数电有10年的数电课件lecture7cmos门电路_第1页
数电有10年的数电课件lecture7cmos门电路_第2页
数电有10年的数电课件lecture7cmos门电路_第3页
数电有10年的数电课件lecture7cmos门电路_第4页
数电有10年的数电课件lecture7cmos门电路_第5页
已阅读5页，还剩38页未读， 继续免费阅读

付费下载

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、Lecture7：门电路Lecture7：门电路1内容提内容提MOS管简MOS管（金属-氧化物- 半导体场MOS管简MOS管（金属-氧化物- 半导体场效应晶体管Metal-Oxide-Semiconductor Field-三极栅极基极漏极集电极MOS管简增强型MOS管简增强型NMOS衬uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长当反型层将两个N区相接时，形成导电沟道导电沟MOSvMOSvGS 当vGS VGS (th) 时,管子导通，漏极和iDV2GS。当vGS VGS (th) vDS 0时,管子导通，MOS管简MOS管简MOS管简增MOS管简增强型PMOSMOS管简+-0MOS管简+-0输入

2、输入(1)当vIVIL0(1)当vIVIL0vGS2 0。(2) 当vIVIHVDDvGS1 (2) 当vIVIHVDDvGS1 0 vI 平，T1和TvI 平，T1和T2为CMOS电路。(C：互补2， T1和T2总是有一个截VGS(thVGS(th)P VGS(th)VDD VGS(th)PVGS(th ) 为，即VGS(th) ，T，T1CD段：输截止，T2导通，输出电为低电平，即 BC段：T1、T2同时导BC段：T1、T2同时导通，若T1T2参数完全相同，则当V 1时1IO22：或 时，输出电压vo并不输入端噪声 指在保证输出CMOS：CMOS：AB段：输入低电平，T1，T，T1CD段：

3、输截止，T2导通，输出漏电流近似为零有电流iD 通过，且在vIVDD2附近处，漏围内，即0v围内，即0vI VDD，输入端当vIVDD+VDF时，D1导而当vI VDFD2将栅极电位vG钳位在VDF这样使得C1C2两端电压不时，此时T1T2低电平，即voVOL。电流从负载注高。且VDDVOL 越低。VIL0 时，此时T2T1，即voVOH VOH 越高。 由于MOS 由于MOS CMOS与非CMOS与非CMOS与非CMOS与非Y CMOS或非CMOS或非T1T3为两个串联的PMOSCMOS或非CMOS或非Y (AT4T1T3至A、B同时为“0”时，T2、T4同时截止，T1、T3同时导通，带缓冲

4、级CMOS门电带缓冲级CMOS门电：(1)输出电阻ROA1B则RO RON2 RON4 A0,B 0则 / 1 A0B则RO RON1 RON A1B0则RO RON3 带缓冲级CMOS带缓冲级CMOS门电：带缓冲级带缓冲级CMOS门电在门电路的每个输入端和输出端各增设一级标准参数的反相器。带缓冲器的门电路其输出电阻、输出的高、低电平及电压传输特性不受输入端状态的影响；带缓冲级带缓冲级CMOS门电带缓冲级CMOS门电带缓冲级CMOS门电带缓冲级带缓冲级CMOS门电带缓冲级CMOS门电带缓冲级CMOS门电带缓冲级带缓冲级CMOS门电例：分析图中电路的逻辑功能，写出逻辑函数式带缓冲级CMOS带缓冲级CMOS门电例

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论