山大数字电子技术基础课件第7章半导体存储器第1节 只读存储器_第1页
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1、第七章 半导体存储器第一节 只读存储器第二节 随机存储器第三节 存储器容量的扩展及应用上 页下 页返 回2第一节 只读存储器 概述 掩模只读存储器 可编程只读存储器下页总目录推出3返回下页上页半导体存储器是一种能存储大量二值信息（或称为二值的数据）的半导体器件。分类： 从存储功能上可分为： 只读存储器（Read Only Memory） 随机存储器（Random Access Memory）2. 从制造工艺上可分为： 双极型 MOS型一、概述4下页返回上页掩模ROM：数据在制作时已经确定，无法更改。可编程ROM（PROM）： 数据可由用户一次写入，但不能再修改。可擦除的可编程ROM（EPROM

2、）： 数据可多次擦写，灵活性更大。 ROMRAM静态存储器（SRAM）：存取速度快。动态存储器（DRAM）：集成度高。5下页返回上页二、掩模只读存储器掩模ROM在出厂时内部存储的数据就已经“固化”。ROM的电路结构：地址译码器存储矩阵输出缓冲器数据输出地址输入三态控制6下页返回上页存储矩阵：由许多存储单元排列而成。 每个单元能放1位二值代码（0或1）。 每一个或一组存储单元有一个对应的地址代码。 地址译码器：将输入的地址代码译成相应的控制信号， 利用这个控制信号从存储矩阵中把指定的单元选出， 并把其中的数据送到输出缓冲器。输出缓冲器：一是能提高存储器的带负载能力， 二是实现对输出状态的三态控制

3、， 以便与系统总线连接。 各部分功能动画7下页返回上页二极管ROM的电路结构图字线位线地址代码存储矩阵地址译码器输出缓冲器二极管ROM8下页返回上页010100110101101101011100地 址数 据 ROM中的数据表二极管ROM的电路结构图9下页返回上页三、可编程只读存储器相当于在所有存储单元中都存入了 1。写入数据时，设法将需要存入0的那些存储单元上的熔丝烧断就可以。PROM的内容只能写入一次。总体结构与掩模ROM一样，但出厂时已经在存储矩阵的所有交叉点上全部制作了存储元件，10下页返回上页 EPROM（UVEPROM）紫外线可擦除的可编程ROM（Ultra-Voilet Erasable Programmable Read-Only Memory）早期存储单元中使用浮栅雪崩注入MOS管，目前多改用叠栅注入MOS管，擦除操作复杂，擦除速度很慢。可擦除的可编程只读存储器11下页返回上页电信号可擦除的可编程ROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）存储单元中采用了浮栅隧道氧化层MOS管，擦除和写入时需要加高电压脉冲，擦、写时间仍较长，正常工作状态下，只能工作在读出状态。2. E2PROM12返回上页电信号可擦除的可编程ROM即吸收了EPROM结构简单、编程可靠的优点，又保留了E2PROM

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