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上次课主要内容回顾第二章 集成电路中的晶体管及其寄生效应本次课主要内容回忆图2.1集成电路中的双极晶体管构造(a)剖面 (b)符号表示(c)极性规定(a)(C)工作晶体管寄生晶体管双极晶体管的四种工作状态的判断2.2.1 NPN管工作于正向工作区和截止区 寄生PNP管截止。只增加IB，IC的反向漏电流，和衬底漏电流IS 。2.2.2 NPN管工作于反向工作区 寄生PNP管工作区于正向工作区。 定性分析：相当大的反向NPN管“发射极电流作为无用电流流向IS 。 解决寄生管影响的方法思路： IS 减小 SF减小 ：减小PNP管的集电极电流 掺金工艺：少子的寿命减少； 埋层工艺：少子基区渡越时间增加 。 PNP管工作在正向工作区。 解决方法：减小SF 掺金工艺、埋层工艺。 增大V SBC(V =VBE-VBC)CBEN+-BLN+N+PN-epiP+P+P-SUBrc3rc2rc1rbres发射极串联电阻res集电极串联电阻rcs基区电阻rb寄生电阻的计算方法发射极串联电阻res：见黑板集电极串联电阻rcs基区电阻rbLWbLaWT20 14 10 12 10 10 10 10 10 12 10 14 2010 10 10B 的计算方法BErb3rb2rb1CBEN+-BL

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