光子晶体实验方案_第1页
光子晶体实验方案_第2页
光子晶体实验方案_第3页
全文预览已结束

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、光子晶体实验方案实验目的：以硅为原料，通过离子束刻蚀(EBL)、十法刻蚀(dry-etching)、电化学腐蚀等 方法在制备大孔硅的基础上，通过理论分析、设计和模拟，制备具有特殊要求的 二维光子品体。参数如下：平板硅(11.56)，空气孔，品格周期a=300um，孔半径为144um实验原理：介电常数周期性改变的材料会出现对光子的局域作用，会产生类似于电子在 半导体中的带隙结构。实验材料：所有试验材料参见“光子晶体试验设备报表”实验方案：借助传统的半导体的工艺，完成三角品格多孔硅的试验制备方法实验步骤：1、对硅片表面的氧化物、金属及其他杂志进行清洗，主要使用氧化剂h2o2 和丙酮溶剂。2、使用镀

2、膜机在硅的表面镀一层氮化硅掩膜，再在氮化硅掩膜上使用旋转 涂覆的方法甩上一层600nm厚度的光刻胶3、通过显影技术将预先设计好的正方形格子复制到光刻胶上，进而传递到 光刻胶下的氮化硅层4、干法刻蚀氮化硅层到硅片5、使用KOH溶液(35wt%40wt%,60C)在硅片表面形成倒金字塔尖端6、电化学腐蚀的方法腐蚀出深孔硅对于电化学腐蚀：6.1、完成实验步骤第5步后，将已经形成腐蚀尖端的硅片的背面通过铜片 与腐蚀电极的阳极相连6.2、将硅片固定在铁氟龙夹具中，注意密封，保证不会有腐蚀液透过密封 槽到另一侧6.3、将完成密封的铁氟龙夹具放到培养皿中，确保有倒金字塔尖端的一侧 与腐蚀液完全接触。6.4、

3、将体积比大概为1： 1的氢氟酸和乙醇混合溶液500m 1倒入腐蚀槽中， 保证电解液的温度在20C左右。6.5、铂丝与腐蚀电极的阴极相连后放入到腐蚀溶液中，连接导线从腐蚀槽 顶端接出6.6、开始腐蚀，10分钟后完成腐蚀6.7、清洗试验后的硅片实验分析：一、分析影响试验的因素1、光照强度与腐蚀速率的关系，光强与孔隙率的关系2、电解的电流密度与腐蚀的关系3、电解液的配比与腐蚀的关系4、腐蚀时间与结果的关系5、产生的氢气气泡对大孔硅的影响6、光照波长对多孔硅生长的影响二、试验中应注意事项1、有毒性的化学药剂一览：丙酮：吸入后可引起头痛，支气管炎等症状。如果大量吸入，还可能失去意 识。氢氟酸：可经皮肤吸入，对人体组织有脱水腐蚀作用，估计人摄入1.5g氢 氟酸可致立即死亡，吸入高浓度的氢氟酸酸雾，会引起支气

人人文库> 全部分类> 图纸下载 > 毕业设计

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论