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文档简介

1、总 复 习大规模集成电路工艺学VLSI Technology第一章 绪论集成电路的发展晶体管、集成电路、平面工艺.摩尔定律特征尺寸著名代工企业半导体原理本征半导体掺杂半导体9/3/20222VLSI Technology: Modern CMOS Technology第二章 现代CMOS工艺集成电路工艺的发展现代CMOS工艺基本流程Silicide、Salicide9/3/20223VLSI Technology: Modern CMOS Technology第四章 污染控制污染问题主要污染物、污染引起的问题污染源主要污染源洁净室晶圆清洗晶圆表面污染物颗粒去除化学清洗、RCA清洗流程冲洗、烘干

2、吸杂概念、方法、原理9/3/20225VLSI Technology: Modern CMOS Technology第五章 热氧化SiO2用途SiO2的主要特性、用途热氧化机制干氧化、湿氧化氧化层的生长氧化率影响因素氧化方法氧化系统反应炉、氧化源氧化工艺流程、工艺循环、RTP、RTO热氮化9/3/20226VLSI Technology: Modern CMOS Technology第六章 光刻概述光刻目的、图形转移光刻胶光刻胶极性、掩模版极性光刻胶组成、表现要素、物理性质图形尺寸变化、针孔光刻工艺流程步骤旋转涂胶工艺、光刻机分类9/3/20227VLSI Technology: Modern

3、 CMOS Technology第六章 光刻（续）高级光刻工艺图形处理问题改进曝光源、波长与分辨率对比效应、周相移动掩模版、光学临近纠偏环孔照射、掩模版薄膜晶圆表面问题防反射涂层、驻波平整化、复层光刻胶工艺、回刻平整、CMP双掩模版9/3/20228VLSI Technology: Modern CMOS Technology第八章 掺杂概述结的形成、同型掺杂、横向扩散扩散概念、扩散模式、主要问题扩散工艺步骤、预淀积、推进影响因素、扩散率、固溶率、杂质浓度与深度、扩散源推进中的杂质再分布离子注入概念、优点、缺点离子注入系统注入离子的运动、空间分布、晶体损伤和修复沟道效应、电荷积累、离子注入的应

4、用9/3/202210VLSI Technology: Modern CMOS Technology第十章 封装概述封装概念、影响封装的芯片特性、功能封装工艺流程封装件组成基本工艺流程、晶圆准备、划片、连线、封装封装类型主要封装类型9/3/202212VLSI Technology: Modern CMOS Technology第十二章 版图基本概念层、分类、MOS管版图常用版图文件格式、GDSII、CIF全定制设计、基于标准单元的设计设计规则、版图验证主要版图设计和验证工具设计规则绝对值设计规则、l设计规则主要设计规则类型天线效应、金属密度版图验证DRC、ERC、LVS、PEX9/3/202214VLSI Technology: Modern CMOS Tec

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