内存的性能指标

1、内存的性能指标内存的性能指标5/5内存的性能指标（1）CAS(ColumnAddressStrobe)Latency：列地址选通脉冲延缓时间，即DDRRAM内存接收到一条数据读取指令后要延缓多少个时钟周期才执行该指令。这个参数越小，内存的反应速度越快，能够设置为2.0、2.5、3.0。2）Rowactivedelay（tRAS）：内存行地址选通延缓时间，供选择的数值有115，数值越大越慢。（3）RAStoCASdelay（tRCD）：从内存行地址转到列地址的延缓时间。即从DDRRAM行地址选通脉冲(RAS，RowAddressStrobe)信号转到列地址选通脉冲信号之间的延缓周期，也是从115

2、可调治，越大越慢。（4）Rowprechargedelay（tRP）：内存行地址选通脉冲信号预充电时间。调治在刷新DDRRAM以前，行地址选通脉冲信号预充电所需要的时钟周期，从17可调，越大越慢。（5）物理Bank：内存与CPU之间的数据交换经过主板上的北桥芯片进行，内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，这个位宽就称之为物理Bank（PhysicalBank，简称P-Bank）的位宽。以目前主流的DDR系统为例，CPU与内存之间的接口位宽是64bit，也就意味着CPU在一个周期内会向内存发送或从内存读取64bit的数据，那么这一个64bit的数据会集就是一个内存条物理Bank。6）逻辑

3、Bank：在芯片的内部，内存的数据是以位（bit）为单位写入一张大的矩阵中，每个单元我们称为CELL，只要指定一个行Row），再指定一个列（Column），就可以正确地定位到某个CELL，这就是内存芯片寻址的基根源理。这个阵列我们就称为内存芯片的BANK，也称之为逻辑BANK（LogicalBANK）。由于工艺上的原因，这个阵列不能能做得太大，因此一般内存芯片中都是将内存容量分成几个阵列来制造，也就是说存在内存芯片中存在多个逻辑BANK，随着芯片容量的不断增加，逻辑BANK数量也在不断增加，目前从32MB到1GB的芯片基本都是4个，只有早期的16Mbit和32Mbit的芯片采用的还是2个逻辑B

4、ANK的设计，（7）位宽和带宽：内存的位宽是指内存在一个时钟周期内所能传达数据的位数，以bit为单位，位数越大则刹时所能传输的数据量越大，这是内存的重要参数之一。内存的带宽是指内存在单位时间内的数据传输速率。（8）内存频率：是指在默认情况下，内存正常工作时的额定运行频率，以MHz（兆赫兹）为单位。显存频率与显存时钟周期是相关的，二者成倒数关系，也就是显存频率1/显存时钟周期。由于DDRRAM在时钟上升期和下降期都进行数据传输，其一个周期传输两次数据，相当于SDRAM频率的二倍，因此习惯上称呼的DDR频率是其等效频率，在其实质工作频率上乘以2，就获取了等效频率。因此所谓的PC3200内存，是指工

5、作频率为200MHz，等效频率为400MHz的DDR内存，也就是常说的DDR400。（9）内存封装：是指内存颗粒所采用的封装技术种类，封装就是将内存芯片包裹起来，以防范芯片与外界接触，防范外界对芯片的损害。空气中的杂质和不良气体，致使水蒸气都会腐化芯片上的精巧电路，进而造成电学性能下降。不相同的封装技术在制造工序和工艺方面差别很大，封装后对内存芯片自己性能的发挥也起到至关重要的作用。显存封装形式主要有TSOP、TSOP-II、MBGA、FBGA等。（10）SPD（SerialPresenceDetect，串行存在检测）：SPD是一颗8针的EEPROM（ElectricallyErasableP

6、rogrammableROM，电可擦写可编程只读储藏器）芯片。它一般位于内存条正面的右侧（如图1），采用SOIC封装形式，容量为256字节（Byte）。SPD芯片内记录了该内存的好多重要信息，诸如内存的芯片及模组厂商、工作频率、工作电压、速度、容量、电压与行、列地址带宽等参数。SPD信息一般都是在出厂前，由内存模组制造商依照内存芯片的实质性能写入到ROM芯片中。给大家送上内存常有性能指标的讲解此后，就进入到文章的压轴部分，来谈一谈我对内存选购的一些看法。说实在的，自己关于内存条这玩意还算不上是专家，跟硬盘对照，我对内存技术的认识就稍逊一筹了。但是在跟电脑摸爬滚打的这十年里，我也先后使用过EDO

7、RAM、PC100SDRAM、PC2100DDRRAM、PC3200DDRRAM这四种内存条，在使用过程中也真切地感觉到内存颗粒技术的发展真可谓是“日异月新”啊，不但在运行频率方面提升很快，而且在内存颗粒的位宽、工作时序、工作电压、封装技术等方面也有了很大的发展。记得以前在好多人（包括鄙人在内）还只能用得起杂牌LG-7JSDRAM的年代里，能够获取一条金士顿的PC133SDRAM就已经算得上是极品了，每当看到一些“有米”的朋友拿着引人眼馋的金士顿内存条在自己的机器上超频超得不亦乐乎的时候，我们这些穷人就只有敬羡得直流口水的份了（钱啊）。现在就不相同了，市道上的品牌内存条除了金士顿之外，还有三星

8、金条、威刚、Kingmax、超胜、宇瞻、海盗船、芝奇等好几个品牌，不但种类众多、做工精巧，而且价钱也越来越平和可亲，大大满足了众多电脑玩家（特别是超频玩家）的胃口，杂牌内存条称雄DIY市场的时代已经是一去不复返了。在选购内存条的过程中，除了要看内存颗粒的运行频率、带宽、工作时序等指标可否能满足自己的需要，以及内存颗粒自己有没有经过打磨、涂漆等Remark手段的办理之外，还要看PCB的色彩和质量、电路板的走线可否清楚、焊点可否饱满牢固、金手指镀层可否均匀、内存颗粒和电容的排列可否整齐、贴片电容的数量可否足够等等。至于该如何优选合适的内存条这个问题，自己感觉很重要的一条原则就是“什么样的马就配什么

9、样的鞍”，要依照自己的CPU的性能品位和外频情况来选购相应品位的内存条，“好马配劣鞍”也许“劣马配好鞍”都不是理智的选购方法，前者简单使选购回来的内存条成为系统的瓶颈，令CPU的性能优势无法充发散挥出来，后者大器小用，浪费Money。关于大多数使用CeleronD也许Sempron级其余CPU，而且其实不打算超频的一般电脑用户来说，选购DDR400的内存条就绰绰有余了，没必要上DDR2内存条，免得大器小用，适得其反。至于内存条的牌子嘛，能够选择三星金条、Hynix、宇瞻等品牌，无论在性能方面还是在兼容性方面都是有保证的，其中Hynix的内存条由于假货很多，因此选购时要注意一下。至于使用Pent

10、iumD级别的CPU，而且又比较喜欢超频的玩家来说，能够考虑上海盗船、芝奇等“极品”DDR2内存条，无论其性能还是价钱上都是够“发热”的，一般采用到这些内存条的都是一些“骨灰级”玩家，他们关于内存条这玩意可能比我还行家，因此在这里就不细说了。至于好多人都很关心的关于内存工作时序对内存性能的影响问题，个人感觉理论上会有一些影响，但实质上其实不明显，要知道那些工作时序都是一些ns级的性能指标，凭着我们这些“肉眼凡胎”是很难直接看出它们之间的细微差其余。要不大家来做一个实验，在同一台机器上分别插上一条容量相同，运行频率和带宽相等，但工作时序分别为53315和33310的DDR2内存条，倘如有哪一位仁

11、兄在不使用一些测试软件手段的情况下，单凭操作电脑时的肉眼感觉能够把这两条内存的性能差距鉴识出来的话，我就叫他一声老大！关于内存的工作时序问题，若是你既不是内存芯片工程师出身的专业人士，又不是极度“发热”的超频玩家的话，那就根本不需要在这些“微观”的性能指标上花太多的精力！一家之言，纯属抛砖引玉，如有不相同建议的话，欢迎前来灌水谈论！感谢！1tCKtCK代表SDRAM所能运行的最大频率，数字越小说明SDRAM芯片所能运行的频率就越高。关于一片一般的PC-100的SDRAM内存条来说，其芯片上的表记10代表了它的运行时钟周期为10ns，即可在100MHz的外频下正常工作。大多数内存标号的尾数表示的

12、就是tCK周期，像PC-133标准要求tCK的数值不大于7.5ns。2CL(CASLatency)CL(CASIatency)为CAS(ColumnAddressStrobe，列地址控制器)的延缓时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在必然频率下衡量不相同规范内存的重要标志之一。比方现在大多数的SDRAM(在外频为100MHz时)都能在CL=2或CL=3的模式下运行，就是说，它们读取数据的延缓时间能够是2个时钟周期也能够是3个时钟周期。在SDRAM的制造过程中，能够将这个特点写入SDRAM的EEPROM(就是SPB)中，在开机时主板的BIOS就会检查此项内容，并以CL=2这一默认的模式运行。关于PC一100内存来说，要求当CL的值为3时，tCK的数值要小于10ns、tAC：要小于6ns。至于为什么要重申是CL=3的时候呢?这是由于关于同一个内存条，当把它设置成为不相同cL数值时，tCK的值即可能不相同，其性能与牢固性都不相同。总延缓时间一般用公式来计算：总延缓时间=系统时钟周期cL+存取时间(tAC)，比方某PC100内存的存取时间为6ns，我们设定比模式数为2(即CL=2)，则总延缓时间=10ns2+6ns=26ns。3tACtAC也就是最大CAS延缓时的最大输入时钟值，PC一100规范要求在CL=3时，tAC不大于6ns，而某些内存编号的尾数则表示的是这个值。目前大多