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热激发载流子热激发载流子掺杂半导体(续)掺杂浓度：Fermi能级：n型掺杂p型掺杂半导体的电导率电子的电导率：空穴的电导率半导体的迁移率掺杂半导体的电导率与温度的关系实际的半导体迁移率还与能带结构有关弛豫时间的估计1018/cm31016/cm31013/cm31/T0.05 0.10Conductivity(S/cm)10-2100102n-GeHall效应外磁场下电子的运动：简单估计：开路条件比较：比较：Hall效应（续）两种载流子的霍尔效应：开路条件A VSi、Ge的能带结构导带底价带顶间接带隙GaAs的能带结构直接带隙中心谷卫星谷能带结构测量-电子回旋共振方法 磁场下电子的本征回旋频率：有效质量测量：WB半导体的有效质量三维能带及有效质量张量：外磁场下电子的回旋共振频率：外磁场：外磁场下的运动方程：有效质量张量半导体的有效质量(续)电子的回旋共振吸收谱与能带结构n型Ge的回旋共振吸收谱导带底在布里渊区的轴(8个) 有效质量具有旋转椭球形状p-n结p-n结的形成：载流子的扩散内建电场：p-n结两边掺杂愈多，势垒愈高；势垒宽度随掺杂的增加而下降。内建电场p-n结的整流特性电场对p-n结的影响：正向偏压：导通反向
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