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文档简介
1、电中性条件：仅掺受主的P型半导体同理推出仅掺受主的P型半导体中空穴浓度：其中：同时掺施主和受主的半导体 根据电中性条件： 当NDNA时，受主能级全部电离NA-=NA，空穴很少，n+ NAND+ 温度较低，杂质电离很弱，电子浓度很低。 温度升高，杂质较多电离，电子浓度迅速增加。 温度继续升高，杂质全部电离，多数载流子浓度随温度基本不变。（饱和区） 不同掺杂浓度饱和温区的范围不同。 温度继续升高，本征激发占主导地位。导出电子浓度：少子空穴浓度由p=ni2/n求出。 同理，当NDNA，所以其中：由于：所以T=100K时：代入后求出n：（2）求出EC-EF空 带满 带施主能级Eg 施主能级位于导带底下
2、方，施主能级被电子占据的概率大于导带中的能级。 当ND的量级接近NC时，施主能级上的电子占有率不会很低，杂质不可能充分电离。平衡态下高能级电子占有率不能高于低能级。击穿现象中，电流增大的基本原因不是由于迁移率的增大，而是由于载流子数目的增加。 PN结加反向电压，势垒区能带发生倾斜。偏压越大，势垒区内建电场增大，能带越倾斜。 P区价带中的A点和N区导带的B点能量相同，A点与B点之间隔着水平距离为x的禁带。随着反向偏压的增大，势垒区内的电场增强，能带更加倾斜， x变短。 反向偏压增大到一定数值， x小到一定程度时，根据量子力学，P区价带中的电子将通过隧道效应穿过禁带而达到N区导带中。 浓度较低时，反向偏压大时，势垒宽度增大，隧道长度变长，不利于隧道击穿，但却有利于雪崩倍增效应。 杂质浓度较高的情况下，通过调节反向偏压，隧穿机制有可能雪崩击穿和隧道击穿共存。作业： 2.一个PN结二极管作为压控电容（变容器）使用，在反向偏压电压为2V时，它的可变电容为200pF，试问需要加
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