版四探针法测方块电阻原理_第1页
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四探针法测方块电阻的原理四探针法是一种简易的丈量电阻率的方法。关于一般的线性资料，我们经常用电阻来表征某一段传输电流的能力，其知足以下关系式：Rls(式3-1)此中、l和s分别表示资料自己的电阻率、长度和横截面积。关于某种资料知足关系式：(neqnnhqh)1(式3-2)ne、nh、un、uh和q分别为电子浓度、空穴浓度、电子迁徙率、空穴迁徙率和基本电荷量。关于拥有必定导电性能的薄膜资料，其沿着平面方向的电荷传输性能一般用方块电阻来表示，关于边长为l、厚度为xj方形薄膜，其方块电阻可表示为：Rll(式3-3)slxjxj即方块电阻与电阻率成正比，与膜层厚度xj成反比，而与正方形边长l没关。方块电阻一般采纳双电测电四探针来丈量，丈量装置如图3-4所示。四根由钨丝制成的探针等间距地排成直线，相互相距为s(一般为几个mm)。丈量时将针尖压在薄膜样品的表面上，外面两根探针通电流I(一般选用0.52mA)，里面的两探针用来丈量电压V，往常利用电位差计丈量。图3-4双电测电四探针丈量薄膜方块电阻构造简图当被测样品的长度和宽度远远大于探针间距，薄膜方块电阻详细表达式为：VRc(式3-4)I即薄膜的方块电阻和外侧探针通电流后在内探针处产生的电位差大小相关。假如样品的线度相对探针间距大不多时，上式中的系数c一定加以

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