单相全桥逆变电路讲解

1、单相全桥逆变电路讲解单相全桥逆变电路讲解第1页首先介绍学习硬件电路主要性和必要性主要性：找工作面试、考研面试和在以后工作中都是很好基础，起到良好作用。以此为基点，展开，引用李泽元老师话：“现在知识面很宽很大，不可能面面具到，且搞人很多，要找一个自已感兴趣点，深入研究，动手实践做试验，在试验中发觉问题和处理问题，然后再扩展。” 单相全桥逆变电路讲解第2页首先介绍学习硬件电路主要性和必要性必要性：这个电路选取有代表性，因为桥式逆变电源在选择功率开关器件耐压要求能够稍低，并有较高功率输出，现通常采取全桥式逆变电路来实现较大功率输出。单相三相全桥逆变电路应用范围广（各种开关电源如电源车载电源、航空电源

2、、电信电源等；各种电机调速如空调、电焊机等；变频器；牵引传动等领域）。单相全桥逆变电路讲解第3页整体安排一、基础知识讲解（计划两至三个半天）开关管（MOSFET和IGBT）知识、电阻 电容等基本知识、芯片 管脚功效（IR2110 、 SG3525、LM339、 MUR8100 、IRFP450 ）主电路、控制电路工作原理、参数确实定单相全桥逆变电路讲解第4页整体安排二、PROTEL介绍 、原理图绘制（计划三个半天）两个图，主电路和控制电路（各1.5个半天）初步认识元器件封装，画原理图尽可能选正确封装三、 生成PCB、手动布线（计划两个半天）两个PCB图，主电路和控制电路（各一个半天）认真查对元

3、器件封装，检验PCB各种规则单相全桥逆变电路讲解第5页整体安排四、焊板调试 （计划两个半天）PCB画好后，制板需要一周左右时间，可休息）在同学画板当中选一个PCB去腐蚀调试需要两个半天或更长时间，调好为止，完成后将自已作品带走。以上时间可随工作进展情况调整单相全桥逆变电路讲解第6页 基础知识介绍 （晶闸管）晶闸管:只能控制开，不能控制关单相全桥逆变电路讲解第7页基础知识介绍 （晶闸管）单相全桥逆变电路讲解第8页基础知识介绍 （MOSFET）MOSFET:可控开，可控关什么是MOSFET“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transis

4、tor缩写，译成汉字是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大工作电流(几安到几十安)，用于功率输出级器件。 单相全桥逆变电路讲解第9页基础知识介绍 （MOSFET）MOSFET结构单相全桥逆变电路讲解第10页基础知识介绍 （MOSFET）MOSFET体内电容和二极管单相全桥逆变电路讲解第11页基础知识介绍 （MOSFET）为何要在MOS管前串接一个电阻?有什么作用? MOS导通瞬间,因为D、S近似短路,G、D间电容可看作变成G、S间电容,G极驱动电路立刻对其进行充电,这么就产

5、生了驱动电压振荡现象.为了预防MOSFET产生震荡而串接,普通情况下阻值较小, 过高振荡有可能击穿G,S间氧化层.也能够接一个稳压管预防产生振荡 单相全桥逆变电路讲解第12页基础知识介绍 （MOSFET）为何MOSFET G-S之间往往并联一个电阻,这个电阻选择依据什么? 这个电阻主要作用是预防静电损坏MOS，静电损伤是因为GS之间结电容太小造成(U=Q/C)也就是即使有很小静电电荷就有可能产生很大电压, 使MOSFET损坏，这个电阻提供寄生电容电荷泻放通道 ，这个电阻是需要，而且很主要 。 普通情况，取个10k或5.1K已能适应大部分情况 单相全桥逆变电路讲解第13页基础知识介绍 （IGBT

6、）IGBT:可控开，可控关单相全桥逆变电路讲解第14页基础知识介绍 （IGBT）IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET高输入阻抗和GTR低导通压降两方面优点，（输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管 ）GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大; MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件优点，即：驱动功率小和开关速度快,且饱和压降低和容量大优点 。 单相全桥逆变电路讲

7、解第15页基础知识介绍 （IGBT）IGBT 驱动方法和MOSFET 基本相同IGBT开关速度低于MOSFET，但显著高于GTR。非常适合应用于直流电压为600V及以上变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件 单相全桥逆变电路讲解第16页基础知识介绍 （电阻）电阻：导电体对电流妨碍作用称为电阻，用符号R 表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用、k、M表示。电阻器分类 一个分类:固定电阻器（R）、电位器（W）、敏感电阻器、贴片电阻器单相全桥逆变电路讲解第17页基础知识介绍 （电阻）另一个分类以下：1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精

8、密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。 单相全桥逆变电路讲解第18页基础知识介绍 （电阻）电阻主要特征参数：标称阻值 、允许误差 、额定功率、额定电压 、最高工作电压、温度系数 、老化系数、电压系数 、噪声 等。1、标称阻值：电阻器上面所标示阻值。2、额定电压：由阻值和额定功率换算出电压。 3、最高工作电压：

9、允许最大连续工作电压。在低气压工作时，最高工作电压较低。4、温度系数 ：阻值随温度升高而增大为正温度系数，反之为负温度系数。 单相全桥逆变电路讲解第19页基础知识介绍 （电阻）5.额定功率 ：在正常大气压力90-106.6KPa 及环境温度为5570条件下，电阻器长久工作所允许耗散最大功率。线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500非线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100固定电阻器额定功率标称系列为：1/8、1/4、1/2、1

10、、2、5、10W，小电流电路普通采取1/8、1/4、1/2电阻器，而大电流电路中常采取1W以上电阻器。 单相全桥逆变电路讲解第20页基础知识介绍 （电阻）电阻器额定功率识别方法一：对于标注了功率电阻器，可依据标注功率值来识别功率大小，如“10W330RJ”表示额定功率为10W，阻值为330，误差 。方法二：对于没有标注功率电阻器，可依据长度和直径来判别其功率大小。长度和直径越大，功率越大。见下表：单相全桥逆变电路讲解第21页基础知识介绍 （电阻）电阻器额定功率识别电阻功率与长度和直径关系单相全桥逆变电路讲解第22页基础知识介绍 （电阻）电阻器额定功率识别方法三，在电路图中，为了表示电阻器功率大

11、小，普通会在电阻器符号上标注一些标志，电阻器上标志与功率值如图所表示，1W以下用线条表示，1W以上直接用数字表示功率大小。单相全桥逆变电路讲解第23页基础知识介绍 （电阻）电阻器阻值标示方法1、直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差，则均为20%。1).数值+单位+误差：如12 10%。2）用单位代表小数点：1k2,表示1.2K，3M3表示3.3M,3R3(33) 表示3.3，R33(33)表示0.33,3)数值+单位或数值直接表示.如12K或12K单相全桥逆变电路讲解第24页基础知识介绍 （电阻）电阻器阻值标示方法2、文字符号法：用阿拉伯数

12、字和文字符号二者有规律组合来表示标称阻值，其允许偏差也用文字符号表示。符号前面数字表示整数阻值，后面数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值。表示允许误差文字符号如：DFGJKM分别代表允许偏差：0.5%1%2%5%10%20%单相全桥逆变电路讲解第25页基础知识介绍 （电阻）电阻器阻值标示方法3、数码法：在电阻器上用三位数码表示标称值标志方法。数码从左到右，第一、二位为有效值，第三位为指数，即零个数，单位为欧。偏差通常采取文字符号表示。如:100为10,103表示10K,105表示1M,多用于贴片电阻上. 单相全桥逆变电路讲解第26页基础知识介绍 （电阻）电阻器阻值标示方法贴片电阻还有两种

13、表示方法: 1)2位数字后加R标注法:(单位为).两位数字为两位有效字,R表两位有效数字之间小数点.如10R表示1.0,41R表示4.1,89R为8.9. 2) 2位数字中间加R标注法: (单位为).如1R0为1.0,1R3表示1.3,1R5表示1.5.单相全桥逆变电路讲解第27页基础知识介绍 （电阻）电阻器阻值标示方法4、色标法：用不一样颜色带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。国外电阻大部分采取色标法。棕-1、红-2、橙-3、黄-4、绿-5、蓝-6、紫-7、灰-8、白-9、黑-0、金-5%、银-10%、无色-20% 单相全桥逆变电路讲解第28页基础知识介绍 （电阻）电阻器阻值标示方法当

14、电阻为四环时，最终一环必为金色或银色，前两位为有效数字，第三位为乘方数，第四位为偏差。当电阻为五环时，最後一环与前面四环距离较大。前三位为有效数字，第四位为乘方数，第五位为偏差。 单相全桥逆变电路讲解第29页基础知识介绍 （电阻）电阻器阻值标示方法（色环法）单相全桥逆变电路讲解第30页基础知识介绍 （电阻）电阻器阻值标示方法（色环法）判别色环排列次序:1)四环电阻第四环为误差环,普通为金色或银色,所以如靠近电阻器一个引脚色环为金、银色，则该色环为第四环；2）对于色环标注规范电阻器，普通最终一环与倒数第二环间隔较远；3）色环电阻阻值普通小于10M，若大于10M，则色环次序判别错误。单相全桥逆变电

15、路讲解第31页基础知识介绍 （电容）电容：电容是电子设备中大量使用电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。用C 表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF） 。1F=106uF=1012pF单相全桥逆变电路讲解第32页基础知识介绍 （电容）电容器分类1、按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。2、按电解质分类有：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介质电容器等。3、按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。单相全桥逆变电路讲解第33页基础知识介绍 （电容）惯用电容器 铝电解

16、电容器 、钽电解电容器 、薄膜电容器 、瓷介电容器 、独石电容器 、纸质电容器、微调电容器 、陶瓷电容器 、玻璃釉电容器电容极性：引脚长为正，引脚短为负。或标有“+”“” 单相全桥逆变电路讲解第34页基础知识介绍 （电容）电容器主要特征参数1、标称电容量和允许偏差 标称电容量是标志在电容器上电容量。 电容器实际电容量与标称电容量偏差称误差，在允 许偏差范围称精度。 精度等级与允许误差对应关系：00（01）-1%、0（02）-2%、-5%、-10%、-20%、-（+20%-10%）、-（+50%-20%）、-（+50%-30%）普通电容器惯用、级，电解电容器用、级，依据用途选取。单相全桥逆变电路

17、讲解第35页基础知识介绍 （电容）电容器主要特征参数2、额定电压 在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器最高直流电压有效值，普通直接标注在电容器外壳上，假如工作电压超出电容器耐压，电容器击穿，造成不可修复永久损坏。单相全桥逆变电路讲解第36页基础知识介绍 （电容）电容器主要特征参数3、绝缘电阻 直流电压加在电容上，并产生漏电电流，二者之比称为绝缘电阻. 当电容较小时，主要取决于电容表面状态，容量0.1uf 时，主要取决于介质性能，绝缘电阻越大越好。 电容时间常数：为恰当评价大容量电容绝缘情况而引入了时间常数，等于电容绝缘电阻与容量乘积。 单相全桥逆变电路讲解第37页基础知识介绍 （电容

18、）电容容量标注方法 1）直标法在电容器上直接标出容量值和容量单位，“2200uF,63V”， “68nJ”表示68nF，J是表示误差为5%。单相全桥逆变电路讲解第38页基础知识介绍 （电容）电容容量标注方法2）小数点标注法：容量较大无极性电容常采取小数点标注法。小数点标注法容量单位是uF。如0.01表示0.01uF，.033表示0.033uF有电容器用u,n,p来表示小数点，同时指明容量单位，如P1，4n7，3u3分别表示0.1pF，4.7nF，3.3uF，假如用R表示小数点，单位则为uF,如R47表示空量是0.47uF.单相全桥逆变电路讲解第39页基础知识介绍 （电容）电容容量标注方法3）整

19、数标注法 容量较小无极性电容器常采取整数标注法，单位为pF。若整数末位是0，如标“330”则表示该电容器容量为330pF,若整数末位不是0，如标“103”则表示容量为10*103pF。如“223”表示2pF.假如整数末尾是9，不是表示109，而是表示10-1，如“339”表示3.3pF. 4)色码表示法。同电阻表示法。单相全桥逆变电路讲解第40页主电路工作原理及设计单相全桥逆变电路讲解第41页主电路工作原理及设计讲解原理时单相全桥逆变电路图单相全桥逆变电路讲解第42页实际应用电路图单相全桥逆变电路讲解第43页主电路工作原理及设计（整流桥选择）整流桥选择：以电源输入功率300VA,输出240W设

20、计 整流器额定电压确实定：整流器额定电压应为最高输入电压有效值3倍以上，其原因是电网中存在瞬态过电压，通常输入电压或输入电压85265V应选择600V以上耐压整流器或二极管。 单相全桥逆变电路讲解第44页主电路工作原理及设计（整流桥选择）整流桥额定电流确实定：考虑电网电压波动(10%波动)则整流滤波最低电压为： Uin,min=(220-22) = 198=279V， 二极管平均通态电流为 ： 因为整流器单向导电性，在输入电压瞬时值小于滤波电容器上电压（整流输出电压）时，整流器不导通，使输入电流变为24ms窄脉冲。这取得所需要整流输出电流，这个电流窄脉冲幅值将很高。 单相全桥逆变电路讲解第45

21、页主电路工作原理及设计（整流桥选择）通常将输入电流峰值与有效值比值称为波形系数，在交流220V输入整流器直接整流时，这个波形系数约为2.6,大于正弦波。整流器输出电流有效值与平均值之比为22.2，大于正弦波1.1,峰值电流与平均值之比约为5.56。所以，在选择整流器额定电流时，整流器额定电流应为输出电流310倍.所以选择:5A/700V整流桥.单相全桥逆变电路讲解第46页主电路工作原理及设计（滤波电容选择 ）无极性电容Cin2 确实定：为了供给逆变平滑直流电压，必须在输入整流电路和逆变器之间加入滤波电容，以减小整流输出后直流电交流成份。滤波电容普通采取电解电容器，因其滤波电解电容器本身串联等效

22、电阻(Res)和串联等效电感(Les)存在直接影响滤波效果，所以在电解电容Cin1两端并联高频无极性电容Cin2，使高频交流分量从Cin2中经过。单相全桥逆变电路讲解第47页主电路工作原理及设计（滤波电容选择 ）去高频干扰电容Cin2其电容量较难确定，因高频干扰包含电网干扰，也包含电源干扰，通常可选取Cin2=2(15%)F或该数量级其它电容，只要电容Cin2耐压峰值满足即可，耐压峰值电压Up=600V)。(取2F/630V)单相全桥逆变电路讲解第48页主电路工作原理及设计（滤波电容选择 ）滤波电容器额定电压选择滤波电容器在输入电压为 或输入电压为85265V时最高整流输出电压能够到达370V

23、,所以应选择大于400V电解电容器. 单相全桥逆变电路讲解第49页主电路工作原理及设计（滤波电容选择 ）滤波电容电容量选择：滤波电容器为限制整流滤波输出电压纹波,正确选择电容量是非常主要.通常滤波电容器电容量在输入电压为 时,按输出功率选择为：不低于1uF/W（即大于或等于1uF/W）。计算依据以下： 单相全桥逆变电路讲解第50页主电路工作原理及设计（滤波电容选择 ）计算依据：当 交流输入最低时，整流输出电压最低值不低于200V，同一输入电压下整流滤波输出电压约为10ms ，电压差为40V，每半个周期（10ms），整流器导电时间约2ms，其余8ms为滤波电容器放电时间，负担向负载提供全部电流，

24、即：滤波电容确实定: 。I0为负载电流（A），t为电容提供电流时间(s)；V为所允许峰值纹波电压 (V) .单相全桥逆变电路讲解第51页主电路工作原理及设计（滤波电容选择 ） 即1uF/W。实际选取标称值为220F/450V电容。单相全桥逆变电路讲解第52页主电路工作原理及设计（开关管选择 ）额定电压确实定：依据经验，对于不一样电路拓扑和不一样控制方式，要求开关管额定电压将不一样。其输入不一样电压条件下开关管额定电压与电路拓扑和控制方式关系以下： 交流市电不带PFC功效： 桥式变换器：400500V； 推挽式变换器：800900； 单端正/反激变换器：600700V； 单端正激变换器带有有源箝

25、位：600V。单相全桥逆变电路讲解第53页主电路工作原理及设计（开关管选择 ）交流市电带PFC功效。 桥式变换器：500600V； 推挽式变换器：9001000V； 单端正/反激变换器：800V； 单端正激变换器带有有源箝位：800V直流48V电压系统（3575V） 桥式变换器：80V； 推挽式变换器：200V； 单端正/反激变换器：200V； 所以选500V电压值MOSFET.单相全桥逆变电路讲解第54页主电路工作原理及设计（开关管选择 ）额定电流确实定交流220V电压,考虑电源电压改变范围,选择开关管耐压为500V时,其最大占空比为0.37左右,开关管上每流过1A电流能够输出110120W

26、输出功率.所以本设计每开关管要流过2A左右额定电流，峰值电流可能到达 =2.8A左右,选择开关管额定电流应到达该峰值电流34倍，即8.411.2A.单相全桥逆变电路讲解第55页主电路工作原理及设计（开关管选择 ）MOSFET管IRF450、IRF640、IRF740、IRF840、IRFBC40 耐压： 500、200、400、500、600V， 额定电流：14、28、18、10、8、6.2A综上，选择MOSFET管 IRF450（14A/500V）（封装TO247） 单相全桥逆变电路讲解第56页主电路工作原理及设计（吸收缓冲电路 ）功率主回路吸收电路是用来吸收开关管关断浪涌电压和续流二极管反

27、向恢复浪涌电压。在一些应用中，吸收电压还能够降低开关管开关损耗。通常有经典三种吸收电路，RC、RCD|、C，选择时则考虑功率电路大小来选择对应吸收电路。我们选择RCD来进行吸收缓冲处理。单相全桥逆变电路讲解第57页主电路工作原理及设计（吸收缓冲电路 ）单相全桥逆变电路讲解第58页主电路工作原理及设计（吸收缓冲电路 ）电容C选择据 其中，为最大漏极电流(A)；trv为最大漏极电压上升时间(s)；tfi为最大漏极电流下降时间(s)；VDS为最大漏极与源极电压(V)。依据上式计算出电容值， PF 单相全桥逆变电路讲解第59页主电路工作原理及设计（吸收缓冲电路 ）C取值需要足够大，使得开关管电压上升速

28、度足够迟缓，确保开关管不受到冲击。而C因为损耗原因也不能太大，而R大小没有尤其要求，R越小，C放电速度越快。只需要在Ton时间内确保C在下次开关管关断时候放完电荷就能够了。该电容应为大于500V耐压无感电容器。综上,选择1000PF/630V电容.单相全桥逆变电路讲解第60页主电路工作原理及设计（吸收缓冲电路 ）电阻R选择计算R:RC=(1/31/5)Ton R= ton/3C，其中ton为开关管最小导通时间；C为吸收缓冲电路中电容值。当逆变频率为40kHz，则占空比D=ton/t= tonf， 电源最小占空比为0.02,由R= ton/3C，确定其阻值大小。 R= ton/3C=160单相全

29、桥逆变电路讲解第61页主电路工作原理及设计（吸收缓冲电路 ）选取电阻所需最大功率：常计算出该电阻功率较大。因考虑该吸收电路是短路时工作，且放电电压(电流)是按指数规律下降，所以选取较大功率且为无感电阻器即可。 选150/5W单相全桥逆变电路讲解第62页主电路工作原理及设计（吸收缓冲电路 ）二极管选择快恢复二极管(FRD)因有反向恢复时间短(普通在几百纳秒)，正向压降约为0.61.2V，正向导通电流大、反向峰值电压高特点，来对通断中开关管产生突波进行有效地吸收。 选MUR8100单相全桥逆变电路讲解第63页控制电路原理及设计SG3525：见原理图和管脚说明开关频率：死区时间：单相全桥逆变电路讲解

30、第64页控制电路原理及设计IR2110：IR2110自举电容和二极管IR2110用 于 驱 动 半 桥 电 路 如 图 所 示 。 图 中 C1、 VD1分 别 为 自 举 电 容 和 二 极 管 ， C2为 VCC 滤 波 电 容 。 假 定 在 S1关 断 期 间 C1已 充 到 足 够 电 压 （ VC1 VCC） 。 当 HIN为 高 电 平 时 VM1开 通 ， VM2关 断 ， VC1加 到 S1 门 极 和 发 射 极 之 间 ， C1通 过 VM1， Rg1和 S1门 极 栅 极 电 容 Cgc1放 电 ， Cgc1被 充 电 。 此 时 VC1可 等 效 为 一 个 电 压 源 。 当 HIN为 低 电 平 时 ， VM2开