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文档简介
1、 3/3GDP32多道激电测深数据分析 使用美国Zonge公司的大功率综合电法勘探系统(GDP32接收机、GGT-30发射机)做激电测深,采用正反向单极偶极装置(PD),间隔系数n=0.25,1.2519.25,20.25和n=0.75,1.7519.75。供电极(C1、C2Cn)的间距为25m;接收机采取16道(17个MN极)测量方式,相邻电极为一组测量极,可同时测16个点,极距MN50m。无穷远极垂直于测线布设。观测参数为视充电率Ms(毫秒)和视电阻率s(欧姆米)。 单极偶极激电测深装置示意图 由布极示意图可以得到以下信息: 1,测量极布置好之后固定不动,仅移动供电极即可实现测量极范围内的
2、视电阻率、充电率数据测量,并有较大的深度,效率较高。 2,记录点为AO的中点,视深度为AO长度。 3,供电极在所有测量极左边时为正向单偶极(AMN)数据,移到所有测量极右边后就是反向单偶极(MNB)数据,在测量极中间部位时,供电极左边测量极为反向单偶极(MNB)数据,右边测量极为正向单偶极(AMN)数据。供电极在两个测量极之间不满足装置要求,是废数据或不记录。 4,按照此方法测量完成后,能得到四张有效图件:AMN装置的视电阻率和充电率,MNB装置的视电阻率和充电率。 5,电极的位置已经满足高密度测量方式的电极位置要求,将数据变换后,可以对其进行高密度方式的视电阻率和充电率的反演,方便后期的分析
3、解释。 一GDP32的数据格式说明 测量完成后的GDP32的数据格式,生成为*.AVG文件,数据见下: 说明: 文件为文本格式,其中中文为说明方便后添加的,Tx为供电极坐标,Rx为测量极坐标,首供电极坐标为-662.5米,末供电极位置为662.5米,每次供电极移动25米,供电极在测量极两边对称布置。首测量极坐标为-400米,第9根测量极坐标为0米,末测量极(第17根测量极)位置为400米。实际输入坐标为斜距和高程,GDP32系统处理为平距了,所以距离有差异,实际测量极距离为等间距的50米。记录点为AO的中点,(-662.5+(0+25))/2=-318.75,(-662.5+(-400+25)
4、/2=518.75,与文件中记录点位置相符合。间隔系数=供电极到测量极的距离/测量极距离,为负值时为反向单偶极数据。App.Resist 为视电阻率数据,为平距时装置系数算出,后面需用斜距重算此视电阻率。 二重算视电阻率 为方便处理,将上面的数据放到excel表格中,先将供电极位置和间隔系数做了个主从排序,然后对Rx接收电极位置重新计算,数据中只记录坐标较小的测量极位置(即M极),见下图: 供电极在所有测量极左边或右边的数据均满足单极偶极装置要求,有完整的16个点,可以直接复制粘帖,即供电极坐标小于-400或大于400的数据。供电极在-400与400之间的数据因供电极正好在一组 测量极中,不满
5、足装置要求,有效点只有15个,需要单独处理。 复制后到下面粘帖 测量极坐标位置全部编辑完成后,将其转变为以MN中点为记录点的数据,因数据中显示的是M极位置,MN中点位置在原位置加上MN距离的一半即可得到。把编辑好的数据导入视电阻率计算软件,算出K 值和视电阻率。见下图,A列为测点位置(MN中点),测线列全为0,C列放入充电率,注意电流列要乘上1000,变为毫安,A极x坐标即是Tx发射极坐标。点击“算K”和“算Ps”图标,重算K值和视电阻率。算出的视电阻率与GDP32系统算出的视电阻率有一点差异,前面已说过,是由于平距和斜距的差异造成的,新算的K值均按斜距计算。在后期反演处理时所输入的电极位置也
6、是斜距。 对算出的结果输出为三极记录点的数据格式(MN 中点)。需要说明的是,数据输出后没有按间隔系数的正负单独保存,所以还要做一步工作。将数据放入表格中,用间隔系数再作一次排序,将AMN 和MNB 的数据分开,提取出来单独保存。后面就可用此数据分别绘制AMN 和MNB 的视电阻率和充电率的等值线图。 三数据反演 通过前面的介绍,我们可以看出供电极和测量极的位置均是有规律的。供电极到测量极的最小距离为12.5米,测量极距离为50米,为其4倍,供电极的位置也为12.5米的倍数,这实际上满足高密度电阻率测量方式的电极位置,因此可以将此数据变换为高密度的数据格式,使用高密度的二维反演软件对其进行处理
7、。 相应的,将前面算出的视电阻率和测点坐标,供电极坐标等数据放入反演格式转换软件中,将供电极和测量极的坐标位置和高程放入右边地形表格中,选择转换模式为三极测深,选中输入极化率,选中指定电极间距为12.5米,在“文件”中点击“转换为标准高密度反演格式”即可输出为带地形的、有极化率数据、视电阻率数据的res2dinv 反演格式。 工作模式选为单边三极 编辑好的测点位置放入此列 视电阻率反演结果: 视充电率反演结果: 正向单极偶极视电阻率断面(res2dinv软件中记录点为排列的中点): 反向单极偶极视电阻率断面(res2dinv软件中记录点为排列的中点): 以MN中点作为记录点(国内的定义方式)的等值线图: 前几层剖面重复较多的点可以按MN中点绘制连剖曲线: -400 -200 200 400 020* 8000200400600 800200400600 800200400600 800200400600800200 400600 800 对于视极化率和视充电率的关系,两者并没有本质的不同,视充电率相当于二次场衰变中某点的视极化率乘以系数K 。详情参见江苏地质1990年第三期“视充电率和视极化率关系分析”文章。 如有疑问,请致电1
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