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文档简介

1、习传递函数和频率响应波特注意转折频率，以及在转折频率点的误带通函数可作低通和高通近似，分别求上、下截止频率mmS(S zi习传递函数和频率响应波特注意转折频率，以及在转折频率点的误带通函数可作低通和高通近似，分别求上、下截止频率mmS(S zi Y(SzH(S) K (S pj nnSF(S)pjH(j) H( j) H()1习1010S(S 已知H(S) ，求通带增益3dB截止频率(S 10)2(S 106解：其归一化形式1010S习1010S(S 已知H(S) ，求通带增益3dB截止频率(S 10)2(S 106解：其归一化形式1010S(SS(S H(S) 10 2 102106)2)2

2、)20lg20lg102 220lg10 01 10 106rad/15.6(rad /lhS22习四种二极管模数学模型，二极习四种二极管模数学模型，二极管方理想模折线模交流小信号模型，高频、低利用二极管特性分析电3习直流分放大工作条件：发射结正习直流分放大工作条件：发射结正偏、集电结反偏。注PNP和NPN的区三种工作状态的判4习交流分交流小信号模rhcg 1V1m5习交流分交流小信号模rhcg 1V1m5习多级放大器（最多要求两级增习多级放大器（最多要求两级增益计算，考虑级间匹用带宽收缩特性计算多级带6习转移特性曲7习转移特性曲7习输出特性可变电阻区和电流饱和区的界V习输出特性可变电阻区和电

3、流饱和区的界VP0 增强型VGS 耗尽型VGS 8习线性区方程描JFET： 0)2DVPID0 1 习线性区方程描JFET： 0)2DVPID0 1 增强型MOSIDVT KVTIDSV1 GS VPG 耗尽型MOS： IDK9习低频小信号模2vgvImVP0注意不同的组态中频特性的求习低频小信号模2vgvImVP0注意不同的组态中频特性的求习差动放大直流分析方法和交流习差动放大直流分析方法和交流半电路分析方电流源电基本镜像电流源、微电流源、比例电流源以及多路输出电流源习差分放大电路如右图所示所有晶体管的参数相同为+0.7V， T-+1rb 210，rc习差分放大电路如右图所示所有晶体管的参数

4、相同为+0.7V， T-+1rb 210，rcVi-(1)求各管的集电极电(2)若V 20mV，求输出电压io-习120.7 解C22IC4 IC习120.7 解C22IC4 IC2 0.5IC3 IC(2)T3组成的电流源内阻无穷大，电路的共模增益为对差模信号采用半电路分析方法 r (1)r 0.21510.026 be 503 020 10(mVVd2V0 V0直 .261.875 V习反馈的基本判断，反馈极性、反习反馈的基本判断，反馈极性、反馈类基本反馈方程式及其意深度负反馈的分析方稳定性判断主要以增益交界频率和相位交界频率为基稳定裕习比较器电路，特别是迟滞比较器的电压习比较器电路，特别是迟滞比较器的电压传输特同相、反相电差动运算电路，基本电路和仪

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