高三物理同步典型模块练习卷：电源和电流

3/3电源和电流1．【2019云南省宣威市第九中学高二下期中】金属导体中有电流时,自由电子定向移动的速率为v1,电子热运动速率为v2,电流的传导速率为v3,那么()A．v1最大B．v2最大C．v3最大D．无法确定【答案】C2．【2019北京市第156中学高二上期中】通过一段导体的电流是,经过时间通过该导体一个截面的电量是〔〕A．B．C．D．【答案】C3．【2019云南省宣威市第二中学高二下期中】电路中有一电阻,通过电阻的电流为5A,当通电5分钟时,通过电阻横截面的电子数为()A．1500个B．9.375×1019个C．9.375×1021个D．9.375×1020个【答案】C4．【2019北京市北方交通大学附属中学高二上期中】某一探测器因射线照射,内部气体电离,在时间t内有个电子到达探测器的阳极,个二价正离子到达阴极,那么探测器电路中的电流为()A．B．C．D．【答案】B5．【2019北京市西城区高一下期末】有一横截面积为S的铜导线,流经其中的电流为I。单位体积的导线中有n个自由电子,电子的电荷量为q。此时电子的定向移动的速度为v。在△t时间内,通过导线横截面的自由电子数目可表示为A．B．C．D．【答案】D6．【2019北京市第八中学高二上期中】原子中的电子绕原子核的圆周运动可以等效为环形电流．设氢原子的电子以速率在半径为的圆周轨道上绕核转动,周期为．电子的电荷量为、质量为,静电力常量为,那么其等效电流大小为〔〕A．B．C．D．【答案】B7．【2019江西省九江市第三中学高二物理错点专项检测题】一根横截面积为S的铜导线,通过电流为I．已经知道铜的密度为ρ,铜的摩尔质量为M,电子电荷量为e,阿佛加德罗常数为NA,设每个铜原子只提供一个自由电子,那么铜导线中自由电子定向移动速率为〔〕A．B．C．D．【答案】A8．【2019内蒙古包头市第四中学高二10月月考】有一条长L横截面S的银导线,银的密度为ρ,银的摩尔质量为M,阿伏加德罗常数为N,假设导线中每个银原子奉献一个自由电子,电子电量为e,自由电子定向移动的速率为v,通过导线的电流为〔

〕A．I=B．I=C．I=D．I=【答案】C9．【2019河北省唐山市第一中学高二12月月考】截面直径为d、长为L的导线,两端电压为U,当这三个量中的一个改变时,对自由电子定向移动的平均速率的影响,以下说法正确的选项是〔〕A．电压U加倍时,自由电子定向移动的平均速率不变B．导线长度L加倍时,自由电子定向移动的平均速率不变C．导线截面直径d加倍时,自由电子定向移动的平均速率加倍D．导线截面直径d加倍时,自由电子定向移动的平均速率不变【答案】D10．【2019湖南省湖南师大附中炎德英才大联考高三高考模拟卷〔一〕】半径为a的金属球远离其它一切物体,通过阻值为R的电阻与大地相连。电子束从远处射向小球,各物理量达稳定状态后每秒钟有n个电子以速度v不断地落到球上,电子的质量为m,电荷量为e,那么以下结论正确的选项是〔〕A．小球的电势为-neRB．通过电阻的电流为ne,且从金属球流向大地C．电阻上的电熟功率为P=,小球所带电荷量是不为零的一个定值[来源:学。科。网Z。X。X。K]D．金属球单位时间内释放的热量为Q=【答案】AD11．【2019广东湛江市大成中学高二10月月考】电路中,每分钟有的电荷流过导线的某一横截面,求：每分钟内流过该导线这一横截面的电子数目流过该导线的电流。一个电子的带电量为C.【答案】〔1〕〔2〕12．【2019云南省呈贡一中高二下期中】如下图的电解槽中,如果在4s内各有8C的正、负电荷通过面积为0.8m2的横截面AB,那么：(1)指出正、负离子定向移动的方向；(2)电解槽中的电流方向如何？(3)4s内通过横截面AB的电荷量为多少？(4)电解槽中的电流为多大？【答案】(1)正离子向右运动,负离子向左运动(2)向右(3)16C(4)4A13．【2019北京市房山区高三第二次模拟】电荷的定向移动形成电流,电流是物理量中的根本量之一。电流载体称为载流子,大自然有很多种承载电荷的载流子,例如,金属导体内可自由移动的电子、电解液内的离子、等离子体内的正负离子,半导体中的空穴,这些载流子的定向移动,都可形成电流。〔1〕电子绕氢原子核做圆周运动时,可等效为环形电流,静电力常量为k,电子的电荷量为e,质量为m,电子在半径为r的轨道上做圆周运动。试计算电子绕氢原子核在该轨道上做圆周运动形成的等效电流大小；〔2〕如图,AD表示一段粗细均匀的一段导体,两端加一定的电压,导体中的自由电荷沿导体定向移动的速率为v,设导体的横截面积为s,导体每单位体积内的自由电荷数为n,每个自由电荷所带的电荷量为e．试证明导体中电流强度I=nesv；〔3〕有一圆柱形的纯洁半导体硅,其横截面积为2.5cm2,通有电流2mA时,其内自由电子定向移动的平均速率为7.5×10-5m/s,空穴定向移动的平均速率为2.5×10-5m/s。硅的密度2.4×103kg/m3,摩尔质量是28。电子的电荷量e=－1.6×10-19C,空穴和电子总是成对出现,它们所带电荷量相等,但电性相反,阿伏伽德罗常数为N0=6.02×1023mol-1。假设一个硅原子至多只释放一个自由电子,试估算此半导体材料平均多少个硅原子才有一个硅原子释放出自由电子？【答案】〔1〕〔2〕略〔3〕1×10514．导线中的电流是1A,导线的横截面积为1mm2.(1)在1s内,有多少个电子通过导线的横截