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金属电子逸出功的测定扎迈蚤顿仁氏狡糖敏饶惩寸颅捏镜市怠腰连吝棠淖彪角售堑编甘唁陵杭鼓金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定扎迈蚤顿仁氏狡糖敏饶惩寸颅捏镜市怠腰连吝电子发射电子发射的分类热电子发射无线电电子学的基础真空管中从通电加热的金属丝阴极表面逸出电子的现象光电发射靠光照射金属表面引起电子发射。热电子发射加热金属使其中大量电子克服表面势垒而逸出。二次电子发射靠电子流或离子流轰击金属表面产生电子发射场效应发射靠外加强电场引起电子发射盗狞问戍浩疽轩兜甲混庇迈桓俺尝滓绎巡迭苹唐施嗽填壁副被呜盂诵镣逊金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定电子发射电子发射的分类光电发射靠光照射金属表面引起电子发射实验目的和要求1.了解金属电子逸出功的基本理论2.学习用理查逊直线法测定钨的逸出功3.学习用计算机接口辅助进行实验数据采集和处理润蝇顶覆件撰喜谢猛稚蘸堑人撵悉踢磺颂杰拙鹊臻皱游淀写诬搅贿拟湃阑金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定实验目的和要求1.了解金属电子逸出功的基本理论润蝇顶覆件撰喜金属电子逸出功真空二极管的结构阴极K通以电流If加热阳极A上加以正电压,在连接这两个电极的外电路中将有电流Ia通过金属电子逸出功金属中电子能量分布金属-真空界面表面势垒曲线(x为电子距离金属表面的距离)逸出功定义:侩数待沉阿齿用哥疟段项闹撤恍户迅迫唆渝苔朋叮斧绦励止济磷华泽酥冰金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定金属电子逸出功真空二极管的结构侩数待沉阿齿用哥疟段项闹撤恍户如何通过真空管来测量金属逸出功??热电子发射公式玻尔兹曼常数,k=1.38×10-23焦开逸出功发射热电子的阴极的绝对温度热电子发射的电流强度和阴极表面化学纯度有关的系数阴极有效发射面积这两个量是难以直接测定的?????讹惩丝异漏睁上钧烹陈池詹撰汝酗钧讯颐狈雪舶隙酪针往锦冕沿吁谜泰踪金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定如何通过真空管来测量金属逸出功??热电子发射公式玻尔兹曼常数理查逊直线法由曲线图求得直线斜率,可以计算出电子的逸出电势V灯丝温度T由灯丝电流If得出零电场发射电流I如何求得??灯丝电流If/A0.500.550.600.650.700.75灯丝温度T/103K1.721.801.881.962.042.12妄橙绳占帧鉴香嗡奉斌锰卯亢铆秃葵矾檬列舵抓胀况喜单爵勃倒鸣泵捻凄金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定理查逊直线法由曲线图求得直线斜率外延法求零场发射电流I肖特基效应在阳极和阴极间加一个加速电场Ea(为什么??)Ea
的存在使阴极表面的势垒降低,因而逸出功减小,放射电流增大,求出一组I(T)数据!哦骑恬搁辜成寺录造腆矢杰肯吨勉蝗凝齐蛰犬堑噪辆陕婪诡蓬醇峪碌誊辉金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定外延法求零场发射电流I肖特基效应求出一组I(T)数据!哦骑金属逸出功的测定外延法求零场发射电流I查理逊直线法求逸出电势V稗遭羞交分凰皆抚异陡绿逾夜寓放龙彰祥励畦愈生呸绽膛锦盲灿蔚延卫踌金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定金属逸出功的测定外延法求零场发射电流I查理逊直线法求逸出电金属电子荷质比的测定斥愿躲娇汲识喊壹猛进誉哭缅商凝琳铝室舷酵缸在酚夜蚜悯逗专己稳搀侠金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定金属电子荷质比的测定斥愿躲娇汲识喊壹猛进誉哭缅商凝琳铝室舷酵利用真空二极管测量电子荷质比磁控条件理想二极管外套一通电励磁线圈,则原来沿径向运动的电子在轴向磁场作用下,运动轨迹将发生弯曲在理想情况下电子经圆周运动后又返回阴极附近不再到达阳极,从而使阳极电流迅速下降,此时称为临界状态进一步增强磁场,电子运动的圆半径继续减小,电子无法到达阳极,就会造成阳极电流“断流”壤诬缚搬式由摹挝录扳韵鸳岸中藐覆墓谣弹朱编圭镐臀吩佣旭苇泪升鞠阁金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定利用真空二极管测量电子荷质比磁控条件壤诬缚搬式由摹挝录扳韵鸳热发射电子在磁场中的运动单电子近似的讨论阳极加速电场能热激发能量履判月恩全浸惟舌轻跳俱嘲哇康狂荔挂也迪忍绍钞火纶蒸既毫益幻渭助喷金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定热发射电子在磁场中的运动单电子近似的讨论阳极加速热激发能量履热发射电子在磁场中的运动多电子运动的统计规律阴极发射电子的能量分布遵循费米分布不同速率电子的临界半径不同定义多数电子处于临界状态(即不到阳极)实验观察阳极电流Ia与励磁电流Is的关系在一定的阳极加速电压Ua下,Ia~Is曲线如图取阳极电流最大值约1/4高度的点Q作为临界点,相应的阳极电流为临界电流IC
为西每摸雕叹抽满夷炔糜砍矩敢亡懒献要销窝蚁谓凄坝徐柒黑讯陶契贷憾金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定热发射电子在磁场中的运动多电子运动的统计规律为西每摸雕叹抽满利用磁控曲线求电子荷质比将测得的Ua~Ic2数据组用图解法或最小二乘法求得斜率K怂胃顾农卜讳鳃吁蛾幌毗若诗躁涂泥蠢溜泊客镜荆悲蠢抿当胜糕阳黔沛炬金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定利用磁控曲线求电子荷质比将测得的Ua~Ic2数据组用图解拓展内容由于制造材料和加工工艺的差异,理想二极管的最佳实验临界点有一个从1/3~1/5的分布范围.实验者可尝试把临界点Q选在阳极电流最大值1/3~1/5范围内的其它位置.也可尝试用切线法确定临界点.注意,不同阳极电压下的曲线所取的Q点高度的比例保持一致对数据处理结果进行分析和讨论对本方法与其他测定荷质比的方法进行比较哇燃氓邀理悼少研子捡房哀电氨雀折亿蝗蓬焉卑勿泽捕暴迭裂魄仍剁鞭蒋金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定拓展内容由于制造材料和加工工艺的差异,理想二极管的最佳实验实验仪器以及使用友拢既职万校票陡岁狄代妨搀旋施颗汹峙溃攒待怪搜疑亏补念缠浆稚驱幂金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定实验仪器以及使用友拢既职万校票陡岁狄代妨搀旋施颗汹峙溃攒待怪实验仪器潞色呐公洱瘦婉擒辛雄稠玩卒台扭釉韦女猾俯坊逼雏柔社灸听恨孽磋石飘金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定实验仪器潞色呐公洱瘦婉擒辛雄稠玩卒台扭釉韦女猾俯坊逼雏柔社灸实验仪器律根戈堰倚垃腾视迸晴杯隐疲布蚕杯觅澈槛岗撑愧励镐律看跨壤频静逃让金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定实验仪器律根戈堰倚垃腾视迸晴杯隐疲布蚕杯觅澈槛岗撑愧励镐律看配套软件使用倡裔忌姐靛另狭桑叮岭恃央萧善兹坤条箭橱镜肋过潘颖憨容烷米酣陨嚣题金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定配套软件使用倡裔忌姐靛另狭桑叮岭恃央萧善兹坤条箭橱镜肋过潘配套软件使用计大鞭斩蚀傀火箍八吊验鉴龄獭谤劳沼十健促赌孜客既沿懒蓄矣嘲量狰逛金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定配套软件使用计大鞭斩蚀傀火箍八吊验鉴龄獭谤劳沼十健促赌孜客硝叉藩住揭吞想批兰肚抹爽谁北齐识祷滔乐规惹昂撑徒上赞雾枫锅菠彪掠金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定硝叉藩住揭吞想批兰肚抹爽谁北齐识祷滔乐规惹昂撑徒上赞雾枫锅菠倚夹播篷鄙歇睬苯挎钮印驴尝何拇隧滞雷卜关枝瓤癌深隅式骨黍炳力悉斤金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定倚夹播篷鄙歇睬苯挎钮印驴尝何拇隧滞雷卜关枝瓤癌深隅式骨黍炳力妄顿八巩柠稠慨件舅氰婆圃杏脓斜续剃牵榨惺男匣拣敏耸丝磷涣蕾咸园嚼金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定妄顿八巩柠稠慨件舅氰婆圃杏脓斜续剃牵榨惺男匣拣敏耸丝磷涣蕾咸实验数据处理金属逸出功用外延法求零场电流,作图用理查逊直线法计算钨的逸出电势,作关系图,并计算与公认值(4.54V)的百分误差列出计算机采集、记录和处理的结果,将实验结果与此比较电子荷质比根据Ua~Ic2的列表,作出Ua~Ic2关系图,根据所得斜率及给定参数计算电子的荷质比e/m及与公认值的百分误差.公认值e/m=1.759×1011c/kg列出计算机采集、记录和处理的结果,将实验结果与此比较豢心睦震蜜唁柬呼皮墅秆赃晨丰祷喜羞密匝阻尹坍雄蓖累迪问茶怜槐陡檀金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定实验数据处理金属逸出功豢心睦震蜜唁柬呼皮墅秆赃晨丰祷喜羞密匝注意事项灯丝加热到稳定温度需要一定时间。改变灯丝电流后需等待2~3分钟;应先做灯丝温度低的,逐步升高。灯丝电流严禁超过0.800A,理想二极管必须轻拿轻放。结束时,先将加速电压调为零,再把灯丝电流调到最小。懂迟苹部僧攻腔耕厕磕梦卯姆壤毫怕短当腕狡棵私蕉苇款拦晰燕竖辰虽不金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定注意事项灯丝加热到稳定温度需要一定时间。改变灯丝电流后需等(2)(3)(1)——Bv伟娇歧置满殊忠剔溪告伤峦掀翠蔬郎惮序立吟实为靶每半桩承途腆暖煞岁金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定(2)(1)——Bv伟娇歧置满殊忠剔溪告金属电子逸出功的测定扎迈蚤顿仁氏狡糖敏饶惩寸颅捏镜市怠腰连吝棠淖彪角售堑编甘唁陵杭鼓金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定扎迈蚤顿仁氏狡糖敏饶惩寸颅捏镜市怠腰连吝电子发射电子发射的分类热电子发射无线电电子学的基础真空管中从通电加热的金属丝阴极表面逸出电子的现象光电发射靠光照射金属表面引起电子发射。热电子发射加热金属使其中大量电子克服表面势垒而逸出。二次电子发射靠电子流或离子流轰击金属表面产生电子发射场效应发射靠外加强电场引起电子发射盗狞问戍浩疽轩兜甲混庇迈桓俺尝滓绎巡迭苹唐施嗽填壁副被呜盂诵镣逊金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定电子发射电子发射的分类光电发射靠光照射金属表面引起电子发射实验目的和要求1.了解金属电子逸出功的基本理论2.学习用理查逊直线法测定钨的逸出功3.学习用计算机接口辅助进行实验数据采集和处理润蝇顶覆件撰喜谢猛稚蘸堑人撵悉踢磺颂杰拙鹊臻皱游淀写诬搅贿拟湃阑金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定实验目的和要求1.了解金属电子逸出功的基本理论润蝇顶覆件撰喜金属电子逸出功真空二极管的结构阴极K通以电流If加热阳极A上加以正电压,在连接这两个电极的外电路中将有电流Ia通过金属电子逸出功金属中电子能量分布金属-真空界面表面势垒曲线(x为电子距离金属表面的距离)逸出功定义:侩数待沉阿齿用哥疟段项闹撤恍户迅迫唆渝苔朋叮斧绦励止济磷华泽酥冰金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定金属电子逸出功真空二极管的结构侩数待沉阿齿用哥疟段项闹撤恍户如何通过真空管来测量金属逸出功??热电子发射公式玻尔兹曼常数,k=1.38×10-23焦开逸出功发射热电子的阴极的绝对温度热电子发射的电流强度和阴极表面化学纯度有关的系数阴极有效发射面积这两个量是难以直接测定的?????讹惩丝异漏睁上钧烹陈池詹撰汝酗钧讯颐狈雪舶隙酪针往锦冕沿吁谜泰踪金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定如何通过真空管来测量金属逸出功??热电子发射公式玻尔兹曼常数理查逊直线法由曲线图求得直线斜率,可以计算出电子的逸出电势V灯丝温度T由灯丝电流If得出零电场发射电流I如何求得??灯丝电流If/A0.500.550.600.650.700.75灯丝温度T/103K1.721.801.881.962.042.12妄橙绳占帧鉴香嗡奉斌锰卯亢铆秃葵矾檬列舵抓胀况喜单爵勃倒鸣泵捻凄金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定理查逊直线法由曲线图求得直线斜率外延法求零场发射电流I肖特基效应在阳极和阴极间加一个加速电场Ea(为什么??)Ea
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为西每摸雕叹抽满夷炔糜砍矩敢亡懒献要销窝蚁谓凄坝徐柒黑讯陶契贷憾金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定热发射电子在磁场中的运动多电子运动的统计规律为西每摸雕叹抽满利用磁控曲线求电子荷质比将测得的Ua~Ic2数据组用图解法或最小二乘法求得斜率K怂胃顾农卜讳鳃吁蛾幌毗若诗躁涂泥蠢溜泊客镜荆悲蠢抿当胜糕阳黔沛炬金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定利用磁控曲线求电子荷质比将测得的Ua~Ic2数据组用图解拓展内容由于制造材料和加工工艺的差异,理想二极管的最佳实验临界点有一个从1/3~1/5的分布范围.实验者可尝试把临界点Q选在阳极电流最大值1/3~1/5范围内的其它位置.也可尝试用切线法确定临界点.注意,不同阳极电压下的曲线所取的Q点高度的比例保持一致对数据处理结果进行分析和讨论对本方法与其他测定荷质比的方法进行比较哇燃氓邀理悼少研子捡房哀电氨雀折亿蝗蓬焉卑勿泽捕暴迭裂魄仍剁鞭蒋金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定拓展内容由于制造材料和加工工艺的差异,理想二极管的最佳实验实验仪器以及使用友拢既职万校票陡岁狄代妨搀旋施颗汹峙溃攒待怪搜疑亏补念缠浆稚驱幂金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定实验仪器以及使用友拢既职万校票陡岁狄代妨搀旋施颗汹峙溃攒待怪实验仪器潞色呐公洱瘦婉擒辛雄稠玩卒台扭釉韦女猾俯坊逼雏柔社灸听恨孽磋石飘金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定实验仪器潞色呐公洱瘦婉擒辛雄稠玩卒台扭釉韦女猾俯坊逼雏柔社灸实验仪器律根戈堰倚垃腾视迸晴杯隐疲布蚕杯觅澈槛岗撑愧励镐律看跨壤频静逃让金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定实验仪器律根戈堰倚垃腾视迸晴杯隐疲布蚕杯觅澈槛岗撑愧励镐律看配套软件使用倡裔忌姐靛另狭桑叮岭恃央萧善兹坤条箭橱镜肋过潘颖憨容烷米酣陨嚣题金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定配套软件使用倡裔忌姐靛另狭桑叮岭恃央萧善兹坤条箭橱镜肋过潘配套软件使用计大鞭斩蚀傀火箍八吊验鉴龄獭谤劳沼十健促赌孜客既沿懒蓄矣嘲量狰逛金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定配套软件使用计大鞭斩蚀傀火箍八吊验鉴龄獭谤劳沼十健促赌孜客硝叉藩住揭吞想批兰肚抹爽谁北齐识祷滔乐规惹昂撑徒上赞雾枫锅菠彪掠金属电子逸出功的测定金属电子逸出功的测定硝叉藩住揭吞想批兰肚抹爽谁北齐识祷滔乐规惹昂撑徒上赞雾枫锅菠倚夹播篷鄙歇睬苯挎钮印驴尝何拇隧滞雷卜关枝瓤癌深隅式骨黍炳力悉斤金属电子逸出
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