太阳能电池制作流程

太阳能电池制作流程第一页，共十三页，2022年，8月28日太阳电池的制造过程硅片检验Waferincominginspection蚀刻和表面制绒Wetetchandsurfacetexture磷扩散POCL3emitterdiffusion去除磷硅玻璃PSGremoval抗反射层镀膜SiNxARCdepositiononfront前面电极印刷和干燥FrontAgscreenprintanddry背面电极印刷和干燥RearAgscreenprintanddry背面电场印刷和干燥RearAlscreenprintanddry前后面金属接触共烧结Front&Rearcontactco-firing激光边缘结隔离Laserisolation光电检测和分类Photoelectrictestandsort入库和出货Storageandshippment第二页，共十三页，2022年，8月28日太阳电池制造过程-硅片检验硅片来料检验外观Appearance半导体导电极性Siconductiontype电阻率Resistivity中心厚度Centralthickness平均厚度Averagethickness表面平坦度/总厚度偏差TTV(totalthicknessvariation)翘曲度Bow少数载流子寿命Minoritycarrierlifetime边长/直径Lengthwaferedges/Diameter第三页，共十三页，2022年，8月28日太阳电池制造过程-蚀刻制绒蚀刻制绒的目的:去除切割损伤层和形成粗糙的吸光表面.蚀刻机台:RENAInTex绒面蚀刻原理:单晶硅碱溶液蚀刻Si+2NaOH+H2O→Na2SiO3+2H2↑流程为:KOH(NaOH)+IPAetch(60-90℃)DIW(去离子水)洗净HF去除氧化层热DIW洗净热风吹干多晶硅酸溶液蚀刻Si+HNO3+HFH2SiF6+HNO2+H2O+H2↑流程为:HNO3+HF+(CH3COOH)etch(5-20℃)KOH中和DIW(去离子水)洗净HCl去除金属离子DIW洗净热风吹干蚀刻深度4.5um.第四页，共十三页，2022年，8月28日太阳电池制造过程-蚀刻制绒单晶硅碱蚀刻多晶硅酸蚀刻10um10um第五页，共十三页，2022年，8月28日太阳电池制造过程-扩散扩散制程目的:形成PN结.扩散机台:TempressTubeFurnace(TS81254)原理:分为两个过程预沉积4POCl3+3O22P2O5+6Cl2(800-900℃)磷驱入2P2O5+5Si4P+5SiO2(850-950℃)扩散深度0.3-0.5um扩散方块电阻50-80ohm/sq.第六页，共十三页，2022年，8月28日太阳电池制造过程-去除磷硅玻璃制程目的:去除含磷的二氧化硅层.蚀刻机台:RENAInOx原理:6HF+SiO2H2SiO6+2H2O(25℃)流程为:HF去除氧化层DIW洗净热风吹干.蚀刻速率选择比:ER(SiO2)/ER(Si)~100第七页，共十三页，2022年，8月28日太阳电池制造过程-PECVDPECVD制程目的:沉积抗反射膜(ARC)沉积机台:OTBDEPx1500原理:NH3+SiH4(400-500℃)SiNx+H2流程为:硅片装入加热沉积SiNx冷却破片清扫硅片卸出沉积厚度:~80nm.第八页，共十三页，2022年，8月28日太阳电池制造过程-印刷烧结网版印刷与烧结制程目的:印刷电极图案并且通过高温烧结与基底形成良好的金属接触。印刷烧结机台机台:OTBMETx1500(CDF7210)流程为:背电极印刷及烘干背电场印刷及烘干正面电极印刷及烘干前后表面高温共烧结正面主栅线(busbar)宽度:1.5mm正面副栅线(finger)宽度:120um,间距2.7mm.背面电极(busbar):4mm第九页，共十三页，2022年，8月28日太阳电池制造过程-印刷烧结FrontsidebusbarFrontsidefingerRearsidebusbar第十页，共十三页，2022年，8月28日太阳电池制造过程-边缘隔离Laser切割制程目的:隔绝边缘结,防止电池的正面与背面短路.切割宽度约20um,切割深度约30um,距离边缘200um-300um.第十一页，共十三页，2022年，8月28日太阳电池制造过程-测试分类光电测试原理:利用模拟太阳光照射测量电池的输出电学参数.光电测试条件:温度25℃,光谱分布AM1.5,光强1000W/m2.光电测试主要参数短路电流Isc开路电压Voc最大功率Pmax