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文档简介

半导体清洗设备介绍第1页/共26页

半导体清洗设备介绍第2页/共26页半导体清洗设备介绍第3页/共26页半导体清洗设备介绍第4页/共26页本体清洗槽管路系统气路系统在线加热系统恒温系统循环过滤系统照明控制系统排风系统安全警示安全保护装置

设备构造

第5页/共26页设备构造第6页/共26页设备构造第7页/共26页设备构造第8页/共26页设备构造第9页/共26页常用材料聚丙烯PP100℃聚氯乙烯PVC60℃铁氟龙PTFE260℃聚偏二氟乙烯PVDF140℃聚乙烯PE60℃石英全氟烷氧基化合物PFA260℃第10页/共26页硅片清洗液序号名称配方工作温度作用

1SPM清洗H2SO4:H2O2=4:1110C-130C去除光阻、颗粒及金属离子

2SC-1清洗NH4OH:H2O2:H2O=1:1:570C-90C去除有机污(APM)物、颗粒及金属离子

3SC-2清洗HCL:H2O2:H2O=1:1:670C-90C去除有机污染(HPM)物、颗粒及金属离子

4DIO3清洗O3:H2O低温下去除有机污染物、颗粒及金属离子

5DHF清洗HF（1%）22℃去除氧化物、金属以及深度腐蚀

6SOM清洗H2SO4:O3=4:1110C-130C去除光阻、颗粒及金属离子

第11页/共26页硅片的腐蚀（蚀刻）

序号名称工作温度作用

1BHFHF:NH4OH:H2O22℃二氧化硅蚀刻

2BOEHF:NH4F:/1:200~40022℃二氧化硅蚀刻

3ACIDEtchHNO3/CH3COOH/H2O(1:1:20)常温铜（Cu）（用于多晶硅的蚀刻）

4OrganicacidsNH4OH/H2O,H3PO4/H2O2常温GaAs蚀刻（用于多晶硅的蚀刻）

5OrganicacidsH3PO4/HNO3/CH3COOH160℃Mo蚀刻（用于多晶硅的蚀刻）

6OrganicacidsCe(NH4)2(NO3)6/HNO3或HclO4常温Cr蚀刻（用于多晶硅的蚀刻）第12页/共26页影响清洗效果的因素

清洗液洁净度/浓度/配比/温度前道工序设备材料/洁净度/环境洁净度/传递过程其中刻蚀精度与控温精度及均匀性有关第13页/共26页第14页/共26页完备的生产加工能力钣金加工中心机械加工中心塑料加工中心第15页/共26页电器控制要求电器元件与操作空间要隔离,不得与化学氛围相接触.且应充氮气以防腐蚀.在化学氛围中的控制需采用气动方式.在有易燃易爆化学品时,一定要选用防爆器件.第16页/共26页安全事项电器部分自动控制中各功能的互锁性加热的温度保护材料的合理选择局部易燃区应用防火材料排风量的监测安全警示第17页/共26页生产环境要求

洁净厂房包装运输

包装的洁净、可靠，运输平稳第18页/共26页第19页/共26页第20页/共26页

化学操作台第21页/共26页第22页/共26页设备型号：

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