TCSTM 00314-2023 激光晶体 掺钕氟化钙激光晶体元件

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T/CSTM00314—2023激光晶体掺钕氟化钙激光晶体元件Lasercrystals-Nd-dopedcalciumfluoridelasercrystalelement2023-01-13发布 2023-04-13实施中关村材料试验技术联盟 发布IIT/CSTM00314—2023前 言本文件参照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》，GB/T20001.4《标准编写规则第4部分:化学分析方法》的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本文件由中国材料与试验标准化委员会光电材料及产品标准化领域委员会（CSTM/FC60）提出。本文件由中国材料与试验标准化委员会光电材料及产品标准化领域委员会（CSTM/FC60）归口。学兔兔学兔兔标准下载T/CSTM00314—2023激光晶体掺钕氟化钙激光晶体元件范围(Nd:CaF2)本文件适用于Nd:CaF2（GB/T1185GJB1525GB/T1800.1产品几何技术规范（GPS）极限与配合.第一部分：公差、偏差和配合的基础GB/T11293固体激光材料名词术语GB/T11297.1GB/T16601GB/T22453GB/T27661JB/T8226.1JY/T015GB/T11293界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1激光晶体lasercrystal将外界提供的能量通过光学谐振腔转化为在空间和时间上相干、具有高度平行和单色性激光的晶体。3.2掺钕氟化钙激光晶体Nd-dopedcalciumfluoridecrystal_一种激光晶体属立方晶系，空间群为Fm3m，分子式为Nd:CaF2。3.31T/CSTM00314—2023掺钕氟化钙激光晶体元件Nd-dopedcalciumfluoridecrystalelement掺钕氟化钙激光晶体经过定向、切割、抛光，必要时镀膜后加工成的激光元件。3.4有效通光孔径effectiveaperture3.5激光损伤阈值laserdamagethreshold激光照射激光晶体元件，能使其表面或内部发生局域破坏或光学性质发生变化的最低激光功率密度。[来源：GB/T11293-1989，43，有修改]3.6波前畸变wavefrontdistortion平[来源：GB/T11293-1989，8，有修改]3.7单程损耗lossperpassGB/T11293-1989，14]掺钕氟化钙激光晶体元件应透明无色差，无气泡、无裂纹、无划痕。掺钕氟化钙激光晶体元件单位体积（cm3）内部不允许有直径大于50μm的散射颗粒，直径10μm~50μm的散射颗粒不得多于10个。掺钕氟化钙激光晶体元件在波长为1064nm处，单程损耗系数应不大于0.4%cm-1。掺钕氟化钙激光晶体元件波前畸变PV值在每25.4mm长度内应符合表1中规定。2T/CSTM00314—2023表1 波前变级口径mm合格级=632.8nm优等级=632.8nmd≤10≤0.6λ≤0.15λ10<d≤20≤1.0λ≤0.3λd>20≤1.5λ≤0.65λ掺钕氟化钙激光晶体元件中钕离子浓度偏差应不大于0.1at%。2表2 加工量求项目技术要求外形公差掺钕氟化钙激光晶体元件外形公差应符合GB/T1800.1要求。不平行度掺钕氟化钙激光晶体元件不平行度应不大于10″。不垂直度掺钕氟化钙激光晶体元件不垂直度应不大于1′。表面疵病GB/T1185-2006为激光晶体元件直径，单位为mm；C为划痕；P为崩口。有效通光孔径掺钕氟化钙激光晶体元件有效通光孔径应不小于90%。崩边、崩口及崩裂掺钕氟化钙激光晶体元件崩边应不大于0.2mm；沿边缘方向，崩口宽度之和应不大于0.5mm；角的崩裂应不大于0.2mm。倒角掺钕氟化钙激光晶体元件倒角宽度应在0.07mm~0.15mm范围内。膜层掺钕氟化钙激光晶体元件的膜层应符合表3中规定。表3 膜层项目技术要求剩余反射率掺钕氟化钙激光晶体元件镀增透膜后，在波长为1064nm处，剩余反射率应不大于0.2%抗磨强度掺钕氟化钙激光晶体元件抗磨性应符合JB/T8226.1中要求。麻点和擦痕掺钕氟化钙激光晶体元件麻点和擦痕应符合JB/T8226.1中要求。抗激光损伤阈值500mW/cm2M2<1.2,106410ns~30(101Hz10mm~0.5mm3T/CSTM00314—2023试样在照度不低于20000Lx的白光照明下黑色衬底上，采用目测法进行检验。波长为532nm的绿光激光器，功率0.1W～0.5W、展宽角度30°以内的线光源合适；10倍到40倍带标尺的显微镜试样样品双面和观察面经过检测级抛光加工。主要实验步骤如下：a）将Nd:CaF2激光晶体元件放置V型槽内，调整Nd:CaF2激光晶体元件使光束正射入通光面；用0.1W～0.5,调整Nd:CaF2激光晶体元件，使激光光束从另一端入射，重复b）步骤，并记录散射颗粒总数量。结果按照公式(1)计算单位体积的散射颗粒密：(1)式中：D——散射颗粒密度，单位为个每立方厘米（个/cm3）；n——散射颗粒个数，单位为个；V——Nd:CaF2激光晶体元件体积，单位为立方厘米（cm3）注：所有的测试都是在黑暗环境下进行。按GB/T27661的规定进行检测。仪器斐索激光平面干涉仪，精度不低于λ/20。试样通光面尺寸不小于φ10mm，厚度不小于10mm，两端面抛光，垂直度的偏差应不大于5'，表面疵病不大于B/3×0.25，平行差5′到10′，平面度不大于λ/4。4T/CSTM00314—2023按GB/T11297.1中规定执行。结果测试所得PV值乘以25.4mm再除以样品的长度即为测试结果。仪器等离子体原子发射光谱仪，需经计量检定，符合B级以上测量要求。试样Nd:CaF2Nd:CaF22g，1。主要实验步骤如下：JY/T015Nd:CaF22（%）（2）Nd:CaF21（%）：(2)式中：C——晶坯测试样品掺铒的质量分数，%；y——Nd:CaF2激光晶体掺钕离子的质量分数，%。结果Nd:CaF2(3)式中：C——Nd:CaF2激光晶体掺钕离子的摩尔分数，%；C1、C2——分别为样品1与样品2激光晶体掺钕离子的摩尔分数，%。用检定合格的量具测量掺钕氟化钙激光晶体元件外观，公差的测试方法按GJB1525中规定执行。GB/T224535T/CSTM00314—2023GB/T22453GB/T22453GB/T2245310倍到40倍带标尺的显微镜、观测平台。在暗场照明下观测单晶元件的崩边、崩口及崩裂。倒角10倍到40倍带标尺的显微镜、观测平台。在暗场照明下观测单晶元件的倒角。膜层按照JB/T8226.1中规定执行。按照JB/T8226.1中规定执行。按照JB/T8226.1中规定执行。按照GB/T16601M2<1.2,1064nm，10ns~30ns(101)Hz100.25mm~0.5。6T/CSTM00314—2023分为出厂检验和型式检验，检验项目应符合表4。凡有下列情况之一时，应进行型式检验：12d）批量生产时，每隔24个月进行一次。检验项目应符合表4规定。表4 检验目序号检验项目技术要求章条号试验方法章条号检验类别型式检验出厂检验1外观质量.1●●2散射颗粒.2●●3单程损耗系数.3●—4波前畸变.4●●5钕离子浓度偏差.5●●6外形公差●●7不平行度5.2.2●●8不垂直度5.2.3●●9表面疵病5.2.4●●10有效通光孔径5.2.5●●11崩边、崩口及崩裂5.2.8●●12倒角5.2.9●●13膜层4.35.3●—注：●必检项目，—根据客户要求检验。5不足54组批7T/CSTM00314—2023同一时段，采用同一批原料相同生产和加工工艺的晶体，以20片为一批，不足20片时仍可作为一批。抽样（产品的各项性能要求应符合表4的规定，若有一项指标不合格，则应进行加倍抽样；若仍有一项指标不合格，则判这批产品不合格。标识在产品上应该有明确标识，合格的