电子技术模拟部分第十节互补对称功率放大电路(“电流”相关文档)共10张

第十节互补对称功率放大电路一、功率放大器的一般概念根据能量守衡：直流电源功率PE=交流输出功率Po+管耗PT；为输出最大不失真功率，电压、电流必须在大范围内变化，并接近管子的极限状态；这就决定了功率放大电路的特殊规律；（1）不能使用微变等效方法进行分析；（2）管子的工作参数不能超过其极限参数(ICM、PCM、UCEO)，并且注意散热保护；（3）要求在不失真条件下，输出功率尽可能高；（4）尽可能地提高效率；η=Po/PE；因此，效率、失真、输出功率是功率放大必须考虑的问题。1、功率放大器的特殊规律功率放大器直流电源负载电压放大器2、功率放大器的三种工作状态ICiciCIcm甲类IC≥IcmPo=UcmIcm/2信号越大，则η=Po/PE越高；最高可达50%；效率较低；但输出不易失真；PE=UCCIC；ICicIcmiC甲乙类IC<Icm信号越大，输出的失真越严重；但由于PE=UCCIC降低，所以η有所提高；icIcmiC乙类IC≈0虽然输出功率降低，但PE=UCCIC(IC≈0)很小，而且管耗PT变得很小，使得η有大幅度提高；乙类功放得最高效率可达78.5%；对输入信号而言，输出已经完全失真；而且管耗PT变得很小，PE=UCCIC(IC≈0)很小，4、存在的问题（交越失真）4、存在的问题（交越失真）理解PN结的形成和单向导电性一、N沟道增强型场效应管工作原理功率放大电路的组成和工作过程；直流电源功率PE=交流输出功率Po+管耗PT；3、ui负半周:V2饱和导通；UGS(TH)=5V（3）微变等效电路方法进行动态分析；V1和V2均无静态电流；这样在uo波形的衔接处产生了交越失真；形成电流分量ic2；第十一节场效应管放大电路（5）阻容耦合多级放大电路的分析方法；二、双电源互补对称功率放大器V2V1ui+UCC-UCCuoRL2、ui正半周：V1饱和导通（V2截止）；形成电流分量ic1;3、ui负半周:V2饱和导通；形成电流分量ic2

;ic1ic2uituot1、静态时，V1和V2均无偏置电流；V1和V2均无静态电流；第一章总结UGS(TH)=5V这样在uo波形的衔接处产生了交越失真；3、ui负半周:V2饱和导通；图3：当EDS增加时,产生电流ID四、三极管的电流控制作用：UGS>UGS(TH)，D、S间导通；但由于PE=UCCIC这样在uo波形的衔接处产生了交越失真；1、纯净半导体特点：空穴、自由电子成对存在，但数量少；第十一节场效应管放大电路而且管耗PT变得很小，而且管耗PT变得很小，功率放大电路的组成和工作过程；3、ui负半周：V2饱和导通；三、单电源互补对称功率放大器V2V1ui+UCCuoRL2、ui正半周：V1饱和导通；形成电流分量ic1；3、ui负半周：V2饱和导通；形成电流分量ic2；ic1ic2uituot1、静态时，V1和V2均无偏置电流；V1和V2均无静态电流；A+C+UCC/24、存在的问题（交越失真）ubeibuott理想输出实际输出uituit交越失真当|ui|低于三极管死区电压时，两管均截止；输出电流几乎为零；只有当|ui|高于死区电压时，管子才会交替导通；这样在uo波形的衔接处产生了交越失真；Q第十一节场效应管放大电路N+N+PSDB一、N沟道增强型场效应管工作原理S：源极；G：栅极；D：漏极；B：衬底；GBSDGN+N+PSGDEGBID图2UGS>=开启电压UGS(TH)时,形成源极和漏极间的N型导电沟道N+N+PSGDEGB图1UGS很小时,形成连通的耗尽层IDRDEDSN+N+PGDBID图3：当EDS增加时,产生电流ID

出现不等的沟道；图4：当ED增加到一定值时,漏极附近的沟道消失；ED继续增加时，沟道几乎不变，电流ID基本稳定；RDEDSN+N+PGDBID控制规则：通过UGS的大小控制D、S间的导通或关闭；UGS>UGS(TH)，D、S间导通；（UDS

0）UGS<UGS(TH)，D、S间断开；（D、S间呈高阻状态）二、应用BSG+12VRIDuiuoUGS(TH)=5Vui=10sin(t)tuituo5v10v12V

第一章总结基本要求2、掌握二极管的单向导电性，并能分析含二极管的简单电路；3、掌握稳压二极管的特性及使用方法；4、掌握NPN型三极管：（1）电压放大的基本条件；（2）静态工作点分析；（3）微变等效电路方法进行动态分析；（4）理解饱和、截止失真的产生原因、表现形式及避免措施；（5）阻容耦合多级放大电路的分析方法；（6）了解图解方法分析电压放大电路的过程；1、掌握纯净半导体，P、N型半导体的特点；

理解PN结的形成和单向导电性5、了解功率放大器的三种工作状态以及双、单电源互补对称功率放大电路的组成和工作过程；6、了解绝缘栅场效应管的工作原理、特性曲线；

了解绝缘栅场效应管放大电路的构成和工作过程；一、半导体：1、纯净半导体特点：空穴、自由电子成对存在，但数量少；2、N型半导体特点：多子为自由电子，少子为空穴；（掺5价元素）3、P型半导体特点：少子为自