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晶体管的高频等效模型

12晶体管的高频等效模型晶体管的混合模型结构：由体电阻、结电阻、结电容组成。rbb’：基区体电阻rb’e’：发射结电阻Cπ：发射结电容re：发射区体电阻rb’c’：集电结电阻Cμ：集电结电容rc：集电区体电阻混合π模型：形状像Π，参数量纲各不相同因多子浓度高而阻值小因面积大而阻值小30°-45°-90°f0.70710ffHfH：上限截止频率，简称上限频率f=fH时，放大倍数的幅值下降到70.7%，相移为-450。4对数幅频特性fH0-3f10fH0.1fH0°-45°-90°f近似分析中，可以用折线化的近似波特图表示放大电路的频率特性。折线以截止频率fH做拐点，两段直线近似曲线。5几个结论①电路低频段的放大倍数需乘因子②当f=fL时放大倍数幅值约降到0.707倍（增益下降3dB），相角超前45º；当f=fH时放大倍数幅值约降到0.707倍（增益下降3dB）相角滞后45º。③截止频率决定于电容所在回路的时间常数电路高频段的放大倍数需乘因子④频率响应有幅频特性和相频特性两条曲线。6一、完整的混合模型crbb'b'rb'e're'c'e'rb’c'rc'beCb’c’(C)Cb'e’(C)+-+-+-rb’cCrbb'Crcebecb’忽略小电阻忽略小电阻因在放大区iC几乎仅决定于iB而阻值大因在放大区承受反向电压而阻值大+-+-+-rb’cCrbb'Crcebecb’7二、简化的混合模型+-+-+-Crbb'Cbecb’Cμ连接了输入回路和输出回路，引入了反馈，信号传递有两个方向，使电路的分析复杂化8二、简化的混合模型混合π模型的单向化（即使信号单向传递）等效变换后电流不变+-+-+-Crbb'Cbecb’+-+-+-rbb'Cbecb’单向化9+-+-+-rbb'Cbecb’+-+-+-rbb'C’becb’简化的混合模型10三、混合模型的主要参数——从半导体器件手册中可查得。+-+-+-rbb'C’becb’C计算得到。11共射截止频率

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