电解质的电离(第二课时)

7.1电解质的电离一、电解质与非电解质1、化合物的导电性化合物固体时都不能导电；水溶液部分导电，部分不导电；熔化状态时部分导电，部分不导电。电解质：在水溶液里或熔化状态下能导电的化合物。非电解质：在水溶液里和熔化状态下都不能导电的化合物。2、概念如：酸、碱、盐、活泼的金属氧化物如：部分气态氢化物NH3；非金属氧化物CO、CO2、SO2；酒精等大多数有机物练：下列物质的水溶液能导电，但属于非电解质的是A.CH3COOHB.Cl2C.CO2D.NH4HCO3C()上述溶液导电物质导电的必要条件探究为什么盐酸、NaOH、NaCl溶液具有导电性？金属导电→金属内部有自由移动的电子→溶液中有自由移动的离子——有自由移动的带电微粒阴离子阳离子电解质在水溶液中或熔化状态下，离解产生自由移动离子的过程叫做电离。二、电解质的电离：1、概念离子化合物：在水溶液或熔化下产生自由移动的离子。部分共价化合物：水溶液中产生自由移动的离子。溶液中自由移动离子的浓度越大，溶液的导电性越强。2、溶液导电性强弱比较思考电解质溶于水后是否都能全部电离？例如:测定均为0.1mol/L的下列溶液的pH盐酸(HCl)

醋酸(CH3COOH)(3)氢氧化钠(NaOH)(4)氨水(NH3·H2O)

结果是：几种酸溶液和碱溶液的PH演示实验PH=1PH=3PH=13PH=112、弱电解质：1、强电解质：在水溶液中全部电离为离子的电解质。三、强电解质和弱电解质如：强酸、强碱、绝大多数盐HCl→H++Cl-

如：弱酸、弱碱、极少数盐、水NaOH→Na++OH-

NaCl→Na++Cl-在水溶液中只有部分电离为离子的电解质。CH3COOHCH3COO-

+H+NH3·H2ONH4++OH-

强电解质弱电解质强酸:强碱:绝大多数盐:弱酸:弱碱:两性氢氧化物:Al(OH)3水:H2OH2SO4、HNO3、HCl、HBr、HI、HClO4KOH、NaOH、Ba(OH)2、

Ca(OH)2等Na2SO4、FeCl2、AgCl、BaSO4等弱电解质：在水溶液中只能部分电离成离子的电解质。强电解质：在水溶液中全部电离成离子的电解质。（强酸、强碱、绝大多数盐）（弱酸、弱碱、极少数盐、水）HF、CH3COOH、HClO、H2S、H2CO3等NH3·H2O、Fe(OH)3、Cu(OH)2等不溶性碱H2SO3、H3PO4等中强酸:盐:(

CH3COO)2Pb→3、电离方程式电离方程式——表示电解质电离的式子。（1）适用范围：电解质的电离。（3）多元弱酸分步电离分步写。（4）多元弱碱分步电离一步写H2SH++HS-（5）酸式盐强酸的酸式盐一步完全电离：弱酸的酸式盐：先是盐的完全电离，然后是酸根的部分电离。NaHSO4→Na++H++SO42-

NaHCO3→Na++HCO3-

HS-H++S2-HCO3-

H++CO32-Fe(OH)3Fe3++3OH-（2）强电解质用“→”，弱电解质用“”。4.强、弱电解质的区别(电离程度）分子

离子（多元弱酸和弱酸的酸式盐分步电离）既有离子，又有分子可逆，部分电离，有电离平衡分子→

离子只有离子不可逆，全部电离，无电离平衡弱电解质强电解质电离方程式微粒种类电离程度练习写出下列物质的电离方程式：CH3COOH、CH3COONa、Ca(OH)2、Cu(OH)2、H2O、

HClO、HBr、NH3·H2O、H2CO3、

KHSO4、NaHSO31、写出H2O和H+形成水合氢离子的电子式2、判断下列物质哪些属于强电解质，哪些为弱电解质？A、MgCl2

B、H2SC、Fe(OH)3

D、HClE、Ca(OH)2

F、HClOG、KHCO3练习3、下列事实中能证明氯化氢是共价化合物的是（）A、氯化氢极易溶于水B、液态氯化氢不导电C、氯化氢不易分解D、氯化氢溶液可以电离HHO∶H∶∶∶[[+B强电解质弱电解质弱电解质强电解质强电解质弱电解质强电解质复习：1非电解质相同点—化合物不同点—本身能否电离产生离子离子化合物（碱、盐等)：水溶液里和熔化状态都能导电共价化合物（酸、水等）：水溶液里能导电。电解质电解质（酸、碱、盐、活泼的金属氧化物等）—在水溶液里或熔化状态下能导电的化合物。—在水溶液里和熔化状态下都不能导电化合物。（CO、NO、SO2、NH3、酒精等）2强电解质弱电解质强酸:强碱:绝大多数盐:弱酸:弱碱:两性氢氧化物:Al(OH)3水:H2OH2SO4、HNO3、HCl、HBr、HI、HClO4KOH、NaOH、Ba(OH)2、

Ca(OH)2等Na2SO4、FeCl2、AgCl、BaSO4等弱电解质：在水溶液中只能部分电离成离子的电解质。强电解质：在水溶液中全部电离成离子的电解质。（强酸、强碱、绝大多数盐）（弱酸、弱碱、极少数盐、水）HF、CH3COOH、HClO、H2S、H2CO3等NH3·H2O、Fe(OH)3、Cu(OH)2等不溶性碱H2SO3、H3PO4等中强酸:盐:(

CH3COO)2Pb→存在电离平衡的电解质是弱电解质电离平衡的研究对象—弱电解质ν电离

=ν结合V电离V结合反应速率时间定义——在一定条件（如温度、浓度）下，当分子电离成离子的速率和离子结合成分子的速率相等时，电离过程就会达到平衡状态，我们称之为电离平衡。四.弱电解质的电离平衡2.特征——动态平衡，V电离=V结合≠0——条件一定，分子和离子浓度一定。——条件改变，电离平衡发生移动。动定变3.影响电离平衡的因素⑴温度升高，电离平衡向右移动,电离程度增大，离子浓度增大。原因：弱电解质的电离一般为吸热过程⑵浓度

加酸或加碱加水稀释，电离平衡向右移动，电离程度增大，但离子浓度减小。【演示实验】不同条件下醋酸溶液pH的变化在0.1mol/L的HAc溶液中存在如下平衡：

HAcH＋＋Ac－改变条件平衡移动电离程度

C(H＋)微热

加水

加NaOH(s)

通HCl(g)

加NaAc(s)

加0.1mol/L

的氨水

加入冰醋酸

→→→增大增大减小增大减小增大→←←减小增大→减小减小增大减小减小增大移动方向n(H+)C(H+)导电能力加热加水加醋酸钠加HCl锌粒加NaOH增大增大减小增大增大增大增大减小减小增大增大增大减小减小减小减小减小增大减小减小增大增大增大增大正向逆向逆向正向正向正向在0.1mol/L的CH3COOH溶液中CH3COOHCH3COO－+H+－Q影响弱电解质电离平衡的条件温度浓度同离子效应化学反应电离程度在0.1mol/L的氨水中存在如下平衡：

NH3·H2ONH4＋＋OH－改变条件平衡移动电离程度

C(OH－)微热

加水

加NaOH(s)

通HCl(g)

加NH4Cl(s)

加0.1mol/L

的氨水

通入NH3

→←←→→不移动增大增大减小增大减小不变减小增大减小增大减小减小不变增大→4.强、弱电解质的区别(电离程度）分子

离子（多元弱酸和弱酸的酸式盐分步电离）既有离子，又有分子可逆，部分电离，有电离平衡化合物→

离子只有离子不可逆，全部电离，无电离平衡弱电解质强电解质电离方程式微粒种类电离程度假设有下列试剂和仪器可提供，设计一些实验方案证明醋酸是弱酸。0.1mol/L

HAc

、pH=1的HAc溶液、0.1mol/LHCl、Zn粒、CH3COONa固体、0.1mol/LNaOH、pH试纸、学生电源、蒸馏水、电流表、温度计，其他常见仪器可自选探讨验证醋酸是弱电解质思路一：“通过相同浓度的盐酸和醋酸溶液中离子浓度的不同”设计方案思路二：“通过弱电解质的电离平衡随浓度、温度的改变而移动”设计方案探讨《课课精练》P1001、能说明醋酸是弱电解质的事实是（）A、醋酸溶液的导电性比盐酸弱B、醋酸溶液与石灰石反应，缓慢放出二氧化碳C、醋酸溶液用水稀释后氢离子浓度下降D、0.1mol/L的醋酸溶液中，测得氢离子浓度为1.32×10-3

mol/L练习2、下列说法中正确的是（）A、强电解质溶液的导电能力一定比弱电解质溶液的导电能力强B、强电解质的溶液中不存在溶质分子C、Cl2的水溶液能导电，所以Cl2是电解质D、不同的弱电解质只要物质的量浓度相同，电离程度也相同。DB五.电离度1.定义式：

=——————————————×100%已电离的弱电解质分子数溶液中原有弱电解质分子总数一元弱酸：HAH＋＋A－=—————×100%C(H＋)C(HA)起始C(H＋)=C起始·=N已电离N总×100%C已电离C总×100%==n已电离n总×100%一元弱碱：

NH3·H2ONH4＋＋OH-=————————×100%C(OH-)C(NH3·H2O)起始C(OH-)=C起始·2、影响电离度的因素内因：由弱电解质的本身性质决定HFHNO2HCOOHCH3COOHHCNNH3·H2O8.0%>16%4.24%1.32%0.01%1.33%⑴由相同温度、相同浓度时的大小可比较弱电解质相对强弱。⑵一般弱电解质的很小，在溶液中主要以分子形式存在。25℃时，0.1mol/L溶液里某些弱电解质的外因（随温度、浓度变化）b)T，

a)C，

HAc0.2mol/L0.948%;0.001mol/L12.4%描述某弱电解质的

，须指明浓度和温度（省略为25℃）思考冰醋酸[H+]随水的加入的变化，导电能力的变化《精练P106》13、在一定温度下，冰醋酸加水稀释过程中，溶液的导电能力如图所示，则（1）、原点导电能力为零的理由——————（2）、A、B、C三点酸性由大到小的顺序是———（3）、若使C点中c(Ac-)增大，溶液pH值也增大，可采取的措施是————、————、————。···ABC导电能力加水量ONH4化合物（按是否电离）定义分类定义电离方程式溶液中微粒实例

小结在水溶液中或熔化状态下能够导电的化合物在水溶液中和熔化状态下都不能导电的化合物电解质非电解质强电解质弱电解质溶于水完全电离溶于水部分电离NaOH→Na++OH-阴离子、阳离子阴、阳离子和电解质分子有的可与水反应强酸、强碱、大多数盐弱酸、弱碱、少数盐、水非金属氧化物；NH3；酒精等大多数有机物NH3·H2ONH4++OH-在饱和的H2S溶液中存在如下平衡：

HS-H＋＋S2-通入H2S(g)

加热煮沸

通O2(g)

通NH3(g)

加NaOH(s)

加入CuSO4

加入稀H2SO4

pHC(S2－)平衡移动改变条件←→→→←不移动减小增大增大减小减小减小不变减小减小增大增大增大增大不变

H2SH＋＋HS-4、下列说法正确的是（）

A.凡能溶于水的电解质，在溶液中都存在电离平衡

B.强电解质溶液不一定比弱电解质溶液的导电性强

C.电解质电离成离子的过程都是离子键被破坏的过程

D.氯化氢是电解质，因此盐酸和液态氯化氢都能导电B3、相同温度下，下列物质中导电能力最强的是（）A．1000mL0.1mol/L的KOH溶液B．2L0.1mol/L的CH3COOH溶液C．100mL0.1mol/L的HF溶液D．100mL0.1mol/L的K2SO4溶液电解质溶液的导电能力——与自由移动离子的浓度有关DMagneticResonanceImaging磁共振成像发生事件作者或公司磁共振发展史1946发现磁共振现象BlochPurcell1971发现肿瘤的T1、T2时间长Damadian1973做出两个充水试管MR图像Lauterbur1974活鼠的MR图像Lauterbur等1976人体胸部的MR图像Damadian1977初期的全身MR图像

Mallard1980磁共振装置商品化1989

0.15T永磁商用磁共振设备中国安科

2003诺贝尔奖金LauterburMansfierd时间MR成像基本原理实现人体磁共振成像的条件:人体内氢原子核是人体内最多的物质。最易受外加磁场的影响而发生磁共振现象(没有核辐射)有一个稳定的静磁场（磁体）梯度场和射频场：前者用于空间编码和选层，后者施加特定频率的射频脉冲，使之形成磁共振现象信号接收装置：各种线圈计算机系统：完成信号采集、传输、图像重建、后处理等

人体内的H核子可看作是自旋状态下的小星球。自然状态下，H核进动杂乱无章，磁性相互抵消zMyx进入静磁场后，H核磁矩发生规律性排列（正负方向），正负方向的磁矢量相互抵消后，少数正向排列（低能态）的H核合成总磁化矢量M，即为MR信号基础ZZYYXB0XMZMXYA:施加90度RF脉冲前的磁化矢量MzB:施加90度RF脉冲后的磁化矢量Mxy.并以Larmor频率横向施进C:90度脉冲对磁化矢量的作用。即M以螺旋运动的形式倾倒到横向平面ABC在这一过程中，产生能量

三、弛豫（Relaxation）回复“自由”的过程

1.

纵向弛豫（T1弛豫）：

M0（MZ）的恢复，“量变”高能态1H→低能态1H自旋—晶格弛豫、热弛豫

吸收RF光子能量（共振）低能态1H高能态1H

放出能量（光子，MRS）T1弛豫时间：

MZ恢复到M0的2/3所需的时间

T1愈小、M0恢复愈快T2弛豫时间：MXY丧失2/3所需的时间；T2愈大、同相位时间长MXY持续时间愈长MXY与ST1加权成像、T2加权成像

所谓的加权就是“突出”的意思

T1加权成像（T1WI）----突出组织T1弛豫（纵向弛豫）差别

T2加权成像（T2WI）----突出组织T2弛豫（横向弛豫）差别。

磁共振诊断基于此两种标准图像磁共振常规h检查必扫这两种标准图像.T1的长度在数百至数千毫秒（ms）范围T2值的长度在数十至数千毫秒（ms）范围

在同一个驰豫过程中,T2比T1短得多

如何观看MR图像：首先我们要分清图像上的各种标示。分清扫描序列、扫描部位、扫描层面。正常或异常的所在部位---即在同一层面观察、分析T1、T2加权像上信号改变。绝大部分病变T1WI是低信号、T2WI是高信号改变。只要熟悉扫描部位正常组织结构的信号表现，通常病变与正常组织不会混淆。一般的规律是T1WI看解剖,T2WI看病变。磁共振成像技术－－图像空间分辨力，对比分辨力一、如何确定MRI的来源（一）层面的选择1.MXY产生（1H共振）条件

RF=ω=γB02.梯度磁场Z（GZ）

GZ→B0→ω

不同频率的RF

特定层面1H激励、共振

3.层厚的影响因素

RF的带宽↓

GZ的强度↑层厚↓〈二〉体素信号的确定1、频率编码2、相位编码

M0↑--GZ、RF→相应层面MXY----------GY→沿Y方向1H有不同ω

各1H同相位MXY旋进速度不同同频率一定时间后→→GX→沿X方向1H有不同ω沿Y方向不同1H的MXYMXY旋进频率不同位置不同（相位不同）〈三〉空间定位及傅立叶转换

GZ----某一层面产生MXYGX----MXY旋进频率不同

GY----MXY旋进相位不同（不影响MXY大小）

↓某一层面不同的体素，有不同频率、相位

MRS（FID）第三节、磁共振检查技术检查技术产生图像的序列名产生图像的脉冲序列技术名TRA、COR、SAGT1WT2WSETR、TE…….梯度回波FFE快速自旋回波FSE压脂压水MRA短TR短TE－－T1W长TR长TE－－T2W增强MR最常用的技术是：多层、多回波的SE（spinecho，自旋回波）技术磁共振扫描时间参数：TR、TE磁共振扫描还有许多其他参数：层厚、层距、层数、矩阵等序列常规序列自旋回波（SE）,快速自旋回波（FSE）梯度回波（FE）反转恢复（IR），脂肪抑制（STIR）、水抑制（FLAIR）高级序列水成像（MRCP,MRU,MRM）血管造影（MRA,TOF2D/3D）三维成像（SPGR）弥散成像（DWI）关节运动分析是一种成像技术而非扫描序列自旋回波（SE）必扫序列图像清晰显示解剖结构目前只用于T1加权像快速自旋回波（FSE）必扫序列成像速度快多用于T2加权像梯度回波（GE）成像速度快对出血敏感T2加权像水抑制反转恢复（IR）水抑制（FLAIR）抑制自由水梗塞灶显示清晰判断病灶成份脂肪抑制反转恢复（IR）脂肪抑制（STIR）抑制脂肪信号判断病灶成分其它组织显示更清晰血管造影（MRA）无需造影剂TOF法PC法MIP投影动静脉分开显示水成像（MRCP，MRU，MRM）含水管道系统成像胆道MRCP泌尿路MRU椎管MRM主要用于诊断梗阻扩张超高空间分辨率扫描任意方位重建窄间距重建技术大大提高对小器官、小病灶的诊断能力三维梯度回波（SPGR） 早期诊断脑梗塞

弥散成像MRI的设备一、信号的产生、探测接受1.磁体（Magnet）:静磁场B0（Tesla,T）→组织净磁矩M0

永磁型（permanentmagnet）常导型（resistivemagnet）超导型（superconductingmagnet）磁体屏蔽（magnetshielding）2.梯度线圈（gradientcoil）:

形成X、Y、Z轴的磁场梯度功率、切换率3.射频系统（radio-frequencesystem，RF）

MR信号接收二、信号的处理和图象显示数模转换、计算机，等等；MRI技术的优势1、软组织分辨力强（判断组织特性）2、多方位成像3、流空效应（显示血管）4、无骨骼伪影5、无电离辐射，无碘过敏6、不断有新的成像技术MRI技术的禁忌证和限度1.禁忌证

体内弹片、金属异物各种金属置入：固定假牙、起搏器、血管夹、人造关节、支架等危重病人的生命监护系统、维持系统不能合作病人，早期妊娠，高热及散热障碍2.其他钙化显示相对较差空间分辨较差（体部，较同等CT）费用昂贵多数MR机检查时间较长1.病人必须去除一切金属物品，最好更衣，以免金属物被吸入磁体而影响磁场均匀度，甚或伤及病人。2.扫描过程中病人身体（皮肤）不要直接触碰磁体内壁及各种导线，防止病人灼伤。3.纹身（纹眉）、化妆品、染发等应事先去掉，因其可能会引起灼伤。4.病人应带耳塞，以防听力损伤。扫描注意事项颅脑MRI适应症颅内良恶性占位病变脑血管性疾病梗死、出血、动脉瘤、动静脉畸形（AVM）等颅脑外伤性疾病脑挫裂伤、外伤性颅内血肿等感染性疾病脑脓肿、化脓性脑膜炎、病毒性脑炎、结核等脱髓鞘性或变性类疾病多发性硬化（MS）等先天性畸形胼胝体发育不良、小脑扁桃体下疝畸形等脊柱和脊髓MRI适应证1.肿瘤性病变椎管类肿瘤（髓内、髓外硬膜内、硬膜外），椎骨肿瘤（转移性、原发性）2.炎症性疾病脊椎结核、骨髓炎、椎间盘感染、硬膜外脓肿、蛛网膜炎、脊髓炎等3.外伤骨折、脱位、椎间盘突出、椎管内血肿、脊髓损伤等4.脊柱退行性变和椎管狭窄症椎间盘变性、膨隆、突出、游离，各种原因椎管狭窄，术后改变，5.脊髓血管畸形和血管瘤6.脊髓脱髓鞘疾病（如MS），脊髓萎缩7.先天性畸形胸部MRI适应证呼吸系统对纵隔及肺门区病变显示良好，对肺部结构显示不如CT。胸廓入口病变及其上下比邻关系纵隔肿瘤和囊肿及其与大血管的关系其他较CT无明显优越性心脏及大血管大血管病变各类动脉瘤、腔静脉血栓等心脏及心包肿瘤，心包其他病变其他（如先心、各种心肌病等）较超声心动图无优势，应用不广腹部MRI适应证主要用于部分实质性器官的肿瘤性病变肝肿瘤性病变，提供鉴别信息胰腺肿瘤，有利小胰癌、胰岛细胞癌显示宫颈、宫体良恶性肿瘤及分期等，先天畸形肿瘤的定位（脏器上下缘附近）、分期胆道、尿路梗阻和肿瘤，MRCP，MRU直肠肿瘤骨与关节MRI适应证X线及CT的后续检查手段－－钙质显示差和空间分辨力部分情况可作首选：1.累及骨髓改变的骨病（早期骨缺血性坏死，早期骨髓炎、骨髓肿瘤或侵犯骨髓的肿瘤）2.结构复杂关节的损伤（膝、髋关节）3.形状复杂部位的检查（脊柱、骨盆等）软件登录界面软件扫描界面图像浏览界面胶片打印界面报告界面报告界面2合理应用抗菌药物预防手术部位感染概述外科手术部位感染的2/3发生在切口医疗费用的增加病人满意度下降导致感染、止血和疼痛一直是外科的三大挑战，止血和疼痛目前已较好解决感染仍是外科医生面临的重大问题，处理不当，将产生严重后果外科手术部位感染占院内感染的14%～16%，仅次于呼吸道感染和泌尿道感染，居院内感染第3位严重手术部位的感染——病人的灾难，医生的梦魇

预防手术部位感染（surgicalsiteinfection,SSI)

手术部位感染的40%–60%可以预防围手术期使用抗菌药物的目的外科医生的困惑★围手术期应用抗生素是预防什么感染？★哪些情况需要抗生素预防？★怎样选择抗生素？★什么时候开始用药？★抗生素要用多长时间？定义：指发生在切口或手术深部器官或腔隙的感染分类：切口浅部感染切口深部感染器官／腔隙感染一、SSI定义和分类二、SSI诊断标准——切口浅部感染

指术后30天内发生、仅累及皮肤及皮下组织的感染，并至少具备下述情况之一者：

1．切口浅层有脓性分泌物

2．切口浅层分泌物培养出细菌

3．具有下列症状体征之一：红热，肿胀，疼痛或压痛，因而医师将切口开放者（如培养阴性则不算感染）

4．由外科医师诊断为切口浅部SSI

注意：缝线脓点及戳孔周围感染不列为手术部位感染二、SSI诊断标准——切口深部感染

指术后30天内（如有人工植入物则为术后1年内）发生、累及切口深部筋膜及肌层的感染，并至少具备下述情况之一者：

1.切口深部流出脓液

2.切口深部自行裂开或由医师主动打开，且具备下列症状体征之一：①体温＞38℃；②局部疼痛或压痛

3.临床或经手术或病理组织学或影像学诊断，发现切口深部有脓肿

4.外科医师诊断为切口深部感染

注意：感染同时累及切口浅部及深部者，应列为深部感染

二、SSI诊断标准—器官／腔隙感染

指术后30天内（如有人工植入物★则术后1年内）、发生在手术曾涉及部位的器官或腔隙的感染，通过手术打开或其他手术处理，并至少具备以下情况之一者：

1.放置于器官/腔隙的引流管有脓性引流物

2.器官/腔隙的液体或组织培养有致病菌

3.经手术或病理组织学或影像学诊断器官/腔隙有脓肿

4.外科医师诊断为器官/腔隙感染

★人工植入物：指人工心脏瓣膜、人工血管、人工关节等二、SSI诊断标准—器官／腔隙感染

不同种类手术部位的器官/腔隙感染有：

腹部：腹腔内感染（腹膜炎，腹腔脓肿）生殖道：子宫内膜炎、盆腔炎、盆腔脓肿血管：静脉或动脉感染三、SSI的发生率美国1986年～1996年593344例手术中，发生SSI15523次，占2.62%英国1997年～2001年152所医院报告在74734例手术中，发生SSI3151例，占4.22%中国？SSI占院内感染的14～16%，仅次于呼吸道感染和泌尿道感染三、SSI的发生率SSI与部位：非腹部手术为2%～5%腹部手术可高达20%SSI与病人：入住ICU的机会增加60%再次入院的机会是未感染者的5倍SSI与切口类型：清洁伤口 1%～2%清洁有植入物 ＜5%可染伤口＜10%手术类别手术数SSI数感染率(%)小肠手术6466610.2大肠手术7116919.7子宫切除术71271722.4肝、胆管、胰手术1201512.5胆囊切除术8222.4不同种类手术的SSI发生率：三、SSI的发生率手术类别SSI数SSI类别（%）切口浅部切口深部器官/腔隙小肠手术6652.335.412.3大肠手术69158.426.315.3子宫切除术17278.813.57.6骨折开放复位12379.712.28.1不同种类手术的SSI类别：三、SSI的发生率延迟愈合疝内脏膨出脓肿，瘘形成。需要进一步处理这里感染将导致:延迟愈合疝内脏膨出脓肿、瘘形成需进一步处理四、SSI的后果四、SSI的后果在一些重大手术，器官/腔隙感染可占到1/3。SSI病人死亡的77%与感染有关，其中90%是器官/腔隙严重感染

——InfectControlandHospEpidemiol,1999,20(40:247-280SSI的死亡率是未感染者的2倍五、导致SSI的危险因素（1）病人因素：高龄、营养不良、糖尿病、肥胖、吸烟、其他部位有感染灶、已有细菌定植、免疫低下、低氧血症五、导致SSI的危险因素（2）术前因素：术前住院时间过长用剃刀剃毛、剃毛过早手术野卫生状况差（术前未很好沐浴）对有指征者未用抗生素预防五、导致SSI的危险因素（3）手术因素：手术时间长、术中发生明显污染置入人工材料、组织创伤大止血不彻底、局部积血积液存在死腔和/或失活组织留置引流术中低血压、大量输血刷手不彻底、消毒液使用不当器械敷料灭菌不彻底等手术特定时间是指在大量同种手术中处于第75百分位的手术持续时间其因手术种类不同而存在差异超过T越多，SSI机会越大五、导致SSI的危险因素（4）SSI危险指数（美国国家医院感染监测系统制定）：病人术前已有≥3种危险因素污染或污秽的手术切口手术持续时间超过该类手术的特定时间（T）

（或一般手术＞2h)六、预防SSI干预方法根据指南使用预防性抗菌药物正确脱毛方法缩短术前住院时间维持手术患者的正常体温血糖控制氧疗抗菌素的预防/治疗预防

在污染细菌接触宿主手术部位前给药治疗

在污染细菌接触宿主手术部位后给药

防患于未然六、预防SSI干预方法

——抗菌药物的应用101预防和治疗性抗菌素使用目的：清洁手术：防止可能的外源污染可染手术：减少粘膜定植细菌的数量污染手术：清除已经污染宿主的细菌六、预防SSI干预方法

——抗菌药物的应用102需植入假体，心脏手术、神外手术、血管外科手术等六、预防SSI干预方法

——抗菌药物的应用预防性抗菌素使用指征：可染伤口(Clean-contaminatedwound)污染伤口（Contaminatedwound）清洁伤口（Cleanwound）但存在感染风险六、预防SSI干预方法

——抗菌药物的应用外科预防性抗生素的应用：预防性抗生素对哪些病人有用?什么时候开始用药?抗生素种类选择?使用单次还是多次?采用怎样的给药途径？六、预防SSI干预方法

——抗菌药物的应用预防性抗菌素显示有效的手术有：妇产科手术胃肠道手术(包括阑尾炎)口咽部手术腹部和肢体血管手术心脏手术骨科假体植入术开颅手术某些“清洁”手术六、预防SSI干预方法

——抗菌药物的应用外科预防性抗生素的应用：预防性抗生素对哪些病人有用?什么时候开始用药?抗生素种类选择?使用单次还是多次?采用怎样的给药途径？六、预防SSI干预方法

——抗菌药物的应用

理想的给药时间？目前还没有明确的证据表明最佳的给药时机研究显示：切皮前45～75min给药，SSI发生率最低，且不建议在切皮前30min内给药影响给药时间的因素:所选药物的代谢动力学特性手术中污染发生的可能时间病人的循环动力学状态止血带的使用剖宫产细菌在手术伤口接种后的生长动力学

手术过程

012345671hr2hrs6hrs1day3-5days细菌数logCFU/ml六、预防SSI干预方法

——抗菌药物的应用108术后给药，细菌在手术伤口接种的生长动力学无改变

手术过程抗生素血肿血浆六、预防SSI干预方法

——抗菌药物的应用Antibioticsinclot

手术过程

血浆中抗生素予以抗生素血块中抗生素血浆术前给药，可以有效抑制细菌在手术伤口的生长六、预防SSI干预方法

——抗菌药物的应用110ClassenDC,etal..NEnglJMed1992;326:281切开前时间切开后时间予以抗生素切开六、预防SSI干预方法

——抗菌药物的应用不同给药时间，手术伤口的感染率不同NEJM1992;326:281-6投药时间感染数（%）相对危险度(95%CI)早期（切皮前2-24h）36914(3.8%)6.7(2.9-14.7)4.3手术前（切皮前45-75min)170810(0.9%)1.0围手术期（切皮后3h内）2824(1.4%)2.4(0.9-7.9) 2.1手术后（切皮3h以上）48816(3.3%)5.8(2.6-12.3)

5.8全部284744(1.5%)似然比病人数六、预防SSI干预方法

——抗菌药物的应用结论：抗生素在切皮前45-75min或麻醉诱导开始时给药，预防SSI效果好112六、预防SSI干预方法

——抗菌药物的应用切口切开后，局部抗生素分布将受阻必须在切口切开前给药！！！抗菌素应在切皮前45～75min给药六、预防SSI干预方法

——抗菌药物的应用外科预防性抗生素的应用：预防性抗生素对哪些病人有用?什么时候开始用药?抗生素种类选择?使用单次还是多次?采用怎样的给药途径？有效安全杀菌剂半衰期长相对窄谱廉价六、预防SSI干预方法

——抗菌药物的应用抗生素的选择原则：各类手术最易引起SSI的病原菌及预防用药选择六、预防SSI干预方法

——抗菌药物的应用

手术最可能的病原菌预防用药选择胆道手术革兰阴性杆菌，厌氧菌头孢呋辛或头孢哌酮或

(如脆弱类杆菌）头孢曲松阑尾手术革兰阴性杆菌，厌氧菌头孢呋辛或头孢噻肟；

(如脆弱类杆菌）＋甲硝唑结、直肠手术革兰阴性杆菌，厌氧菌头孢呋辛或头孢曲松或

(如脆弱类杆菌）头孢噻肟；＋甲硝唑泌尿外科手术革兰阴性杆菌头孢呋辛；环丙沙星妇产科手术革兰阴性杆菌，肠球菌头孢呋辛或头孢曲松或

B族链球菌，厌氧菌头孢噻肟；+甲硝唑莫西沙星（可单药应用）注:各种手术切口感染都可能由葡萄球菌引起六、预防SSI干预方法

——抗菌药物的应用外科预防性抗生素的应用：预防性抗生素对哪些病人有用?什么时候开始用药?抗生素种类选择?使用单次还是多次?采用怎样的给药途径？六、预防SSI干预方法

——抗菌药物的应用单次给药还是多次给药？没有证据显示多次给药比单次给药好伤口关闭后给药没有益处多数指南建议24小时内停药没有必要维持抗菌素治疗直到撤除尿管和引流管手术时间延长或术中出血量较大时可重复给药细菌污染定植感染一次性用药用药24h用药4872h数小时从十数小时到数十小时六、预防SSI干预方法

——抗菌药物的应用用药时机不同，用药期限也应不同短时间预防性应用抗生素的优点：六、预防SSI干预方法

——抗菌药物的应用减少毒副作用不易产生耐药菌株不易引起微生态紊乱减轻病人负担可以选用单价较高但效果较好的抗生素减少护理工作量药品消耗增加抗菌素相关并发症增加耐药抗菌素种类增加易引起脆弱芽孢杆菌肠炎MRSA（耐甲氧西林金黄色葡萄球菌）定植六、预防SSI干预方法

——抗菌药物的应用延长抗菌素使用的缺点：六、预防SSI干预方法

——抗菌药物的应用外科预防性抗生素的应用：预防性抗生素对哪些病人有用?什么时候开始用药?抗生素种类选择?使用单次还是多次?采用怎样的给药途径？正确的给药方法：六、预防SSI干预方法

——抗菌药物的应用应静脉给药，2030min滴完肌注、口服存在吸收上的个体差异，不能保证血液和组织的药物浓度，不宜采用常用的-内酰胺类抗生素半衰期为12h，若手术超过３４h，应给第２个剂量，必要时还可用第３次可能有损伤肠管的手术，术前用抗菌药物准备肠道局部抗生素冲洗创腔或伤口无确切预防效果，不予提倡不应将日常全身性应用的抗生素应用于伤口局部（诱发高耐药）必要时可用新霉素、杆菌肽等抗生素缓释系统（PMMA—青大霉素骨水泥或胶原海绵)局部应用可能有一定益处六、预防SSI干预方法

——抗菌药物的应用不提倡局部预防应用抗生素：时机不当时间太长选药不当，缺乏针对性六、预防SSI干预方法

——抗菌药物的应用预防用药易犯的错误：在开刀前45-75min之内投药按最新临床指南选药术后24小时内停药择期手术后一般无须继续使用抗生素大量对比研究证明，手术后继续用药数次或数天并不能降低手术后感染率若病人有明显感染高危因素或使用人工植入物，可再用1次或数次小结预防SSI干预方法

——正确的脱毛方法用脱毛剂、术前即刻备皮可有效减少SSI的发生手术部位脱毛方法与切口感染率的关系：备皮方法 剃毛备皮 5.6%

脱毛0.6%备皮时间 术前24小时前 ＞20%

术前24小时内 7.1%

术前即刻 3.1%方法/时间 术前即刻剪毛 1.8%

前1晚剪/剃毛 4.0%THANKYOUMagneticResonanceImagingPART01磁共振成像发生事件作者或公司磁共振发展史1946发现磁共振现象BlochPurcell1971发现肿瘤的T1、T2时间长Damadian1973做出两个充水试管MR图像Lauterbur1974活鼠的MR图像Lauterbur等1976人体胸部的MR图像Damadian1977初期的全身MR图像

Mallard1980磁共振装置商品化1989

0.15T永磁商用磁共振设备中国安科

2003诺贝尔奖金LauterburMansfierd时间PART02MR成像基本原理实现人体磁共振成像的条件:人体内氢原子核是人体内最多的物质。最易受外加磁场的影响而发生磁共振现象(没有核辐射)有一个稳定的静磁场（磁体）梯度场和射频场：前者用于空间编码和选层，后者施加特定频率的射频脉冲，使之形成磁共振现象信号接收装置：各种线圈计算机系统：完成信号采集、传输、图像重建、后处理等

人体内的H核子可看作是自旋状态下的小星球。自然状态下，H核进动杂乱无章，磁性相互抵消zMyx进入静磁场后，H核磁矩发生规律性排列（正负方向），正负方向的磁矢量相互抵消后，少数正向排列（低能态）的H核合成总磁化矢量M，即为MR信号基础ZZYYXB0XMZMXYA:施加90度RF脉冲前的磁化矢量MzB:施加90度RF脉冲后的磁化矢量Mxy.并以Larmor频率横向施进C:90度脉冲对磁化矢量的作用。即M以螺旋运动的形式倾倒到横向平面ABC在这一过程中，产生能量

三、弛豫（Relaxation）回复“自由”的过程

1.

纵向弛豫（T1弛豫）：

M0（MZ）的恢复，“量变”高能态1H→低能态1H自旋—晶格弛豫、热弛豫

吸收RF光子能量（共振）低能态1H高能态1H

放出能量（光子，MRS）T1弛豫时间：

MZ恢复到M0的2/3所需的时间

T1愈小、M0恢复愈快T2弛豫时间：MXY丧失2/3所需的时间；T2愈大、同相位时间长MXY持续时间愈长MXY与ST1加权成像、T2加权成像

所谓的加权就是“突出”的意思

T1加权成像（T1WI）----突出组织T1弛豫（纵向弛豫）差别

T2加权成像（T2WI）----突出组织T2弛豫（横向弛豫）差别。

磁共振诊断基于此两种标准图像磁共振常规h检查必扫这两种标准图像.T1的长度在数百至数千毫秒（ms）范围T2值的长度在数十至数千毫秒（ms）范围

在同一个驰豫过程中,T2比T1短得多

如何观看MR图像：首先我们要分清图像上的各种标示。分清扫描序列、扫描部位、扫描层面。正常或异常的所在部位---即在同一层面观察、分析T1、T2加权像上信号改变。绝大部分病变T1WI是低信号、T2WI是高信号改变。只要熟悉扫描部位正常组织结构的信号表现，通常病变与正常组织不会混淆。一般的规律是T1WI看解剖,T2WI看病变。磁共振成像技术－－图像空间分辨力，对比分辨力一、如何确定MRI的来源（一）层面的选择1.MXY产生（1H共振）条件

RF=ω=γB02.梯度磁场Z（GZ）

GZ→B0→ω

不同频率的RF

特定层面1H激励、共振

3.层厚的影响因素

RF的带宽↓

GZ的强度↑层厚↓〈二〉体素信号的确定1、频率编码2、相位编码

M0↑--GZ、RF→相应层面MXY----------GY→沿Y方向1H有不同ω

各1H同相位MXY旋进速度不同同频率一定时间后→→GX→沿X方向1H有不同ω沿Y方向不同1H的MXYMXY旋进频率不同位置不同（相位不同）〈三〉空间定位及傅立叶转换

GZ----某一层面产生MXYGX----MXY旋进频率不同

GY----MXY旋进相位不同（不影响MXY大小）

↓某一层面不同的体素，有不同频率、相位

MRS（FID）第三节、磁共振检查技术检查技术产生图像的序列名产生图像的脉冲序列技术名TRA、COR、SAGT1WT2WSETR、TE…….梯度回波FFE快速自旋回波FSE压脂压水MRA短TR短TE－－T1W长TR长TE－－T2W增强MR最常用的技术是：多层、多回波的SE（spinecho，自旋回波）技术磁共振扫描时间参数：TR、TE磁共振扫描还有许多其他参数：层厚、层距、层数、矩阵等序列常规序列自旋回波（SE）,快速自旋回波（FSE）梯度回波（FE）反转恢复（IR），脂肪抑制（STIR）、水抑制（FLAIR）高级序列水成像（MRCP,MRU,M