Array-自主学习-制程课件

光罩製程步驟基板成膜光阻光罩光源曝到光部份可被顯影液溶解剝膜後圖案形成顯影蝕刻光罩製程步驟基板成膜光阻光罩光源曝到光部份可剝膜後圖案形成顯1AA’AA’AA’AA’2ARRAY製程1.GE製程璃板玻基Gate成膜Al:2500ÅGate蝕刻Al:2500Å閘極(Gate):2300Å2.SE製程GI成膜SiNx:3000ÅGI成膜SiNx:1000Å閘極絕緣層(SiNx):3000Å+1000Åa-Si成膜a-Si:1500Å半導體層(a-Si):1600Ån+成膜n+:300Å歐姆接觸層(n+a-Si):300ÅSE蝕刻3.SD製程SD成膜Cr:4000ÅSD蝕刻4.CH製程5.PE製程BCE蝕刻源極金屬層(Source):4000Å汲極金屬層(Drain):4000Å完成!後流至ARRAYTESTER工程CH成膜SiNx:3400Å保護層(SiNx):3400ÅCH蝕刻ITO成膜ITO:850ÅITO蝕刻ITO層:850Å3ARRAY製程1.GE製程璃板玻基Gate成膜Gate蝕

PVD:

導電性薄膜

GE工程: gateelectrode,(AL)

SD工程: sourceelectrode,(Cr)

PE工程: pixelelectrode,(ITO)

CVD:

半導電性薄膜 絕緣性薄膜成膜工程PVD:導電性薄膜成膜工程4物質四態高溫低溫離子原子電子離子電漿態氣態液態固態原子+電子++++++++++++++++物質四態高溫低溫離子原子電子離子電漿態氣態液態固態原子+電子5CathodeAnodeTargetSubstrateAr+plasmaChamber

wallSputter裝置圖+_PumpCathodeAnodeTargetSubstrateAr+6黃光製程因為在微影製程中所使用的光阻材料屬於感光性高分子材料。這種感光性材料對於光在波長500nm以下的區域非常敏感，為了使光阻在製程前不受外在環境的光線影響，一般微影需的照明光波長都在黃光範圍的500nm左右，以確保光阻的品質，故又稱為黃光區。

黃光製程因為在微影製程中所使用的光阻材料屬於感光性高分子材料7正光阻、負光阻曝到光部份產生分子分解可被顯影液溶解剝膜後圖案形成顯影後蝕刻光罩光源光罩上的Pattern曝到光部份產生分子結合不被顯影液溶解剝膜後圖案形成顯影後蝕刻正光阻所製造出來的Pattern與光罩上的相同，負光阻則反之。正光阻、負光阻曝到光部份產生分子剝膜後圖案形成顯影後蝕刻光罩8FX-21SMainBody基板平台光罩平台投影鏡頭光源避震儀聚焦鏡頭FX-21SMainBody基板平台光罩平台投影鏡頭光源9FX-21SNewExposureTechnology基板光源MaskLensFX-21SNewExposureTechnolog10周邊曝光目的：將基板周圍未曝到光部分，進行曝光。光源：紫外光。Pattern已曝光區域周邊曝光區域周邊曝光目的：將基板周圍未曝到光部分，進行曝光。Patte111蝕刻技術分類WETetching-溼蝕刻技術DRYetching-乾蝕刻技術1蝕刻技術分類12FABII蝕刻機斜式搬送10度Nozzle蝕刻部斜式搬送方式FABII蝕刻機斜式搬送10度Nozzle蝕刻部斜式搬送13Nozzle噴灑基板頃斜水平搖擺FABII蝕刻機斜式搬送蝕刻部斜式搬送方式Nozzle噴灑基板頃斜水平搖擺FABII蝕刻機斜式搬送14FABII蝕刻機斜式搬送10度Nozzle水洗部斜式搬送方式FABII蝕刻機斜式搬送10度Nozzle水洗部斜式搬送15水平式蝕刻傾斜式蝕刻水平式搬運傾斜式搬運FABIWetetcherFABIIWetetcher水平式蝕刻傾斜式蝕刻水平式搬運傾斜式搬運FABIWet16傾斜式搬送純水用量傾斜式搬送純水用量17剝膜目的將已經蝕刻出所需求圖形之基板，以藥液將覆蓋於圖形上之光阻去除之工程PRThinFilm(pattern)Substrate剝膜前剝膜後剝膜目的將已經蝕刻出所需求圖形之基板，以藥液將覆蓋於圖形上之18剝膜液的性能界面活性劑：MEA（70﹪）

MonoEthanolAmine,HOCH2CH2NH2■濕潤能力■浸透力■溶解能力（只形成可溶解之micell）☆溶劑：DMSO（30﹪）

DiMethylSulfOxide,(CH3)2SO■溶解力■浸透力

■Polymer等之親和力剝膜液的性能界面活性劑：MEA（70﹪）19PECVD簡介乃是利用電漿內的高能電子，撞擊製程氣體分子，斷裂其化學鍵，提高活性，在較低的製程溫度下於加熱的基板表面形成化學反應，而形成所需要的固態沉積。Pumpe-PlasmaAA*hue-e-e-e-RFgas+PECVD簡介乃是利用電漿內的高能電子，撞擊製程氣體分子，20

PECVD應用：非晶矽膜(a-Si)

反應氣體(GasSource)：SiH4(Silane)、H2

(n+a-Si反應時則加入PH3氣體)

SiH4(g)+H2(g)a-Si:H(s)a-Si製程條件:(unaxis)壓力1.2～1.6mbar溫度280o功率90W~320W

RFPECVD應用：非晶矽膜(a-Si)RF21PECVD應用：氮化矽(SiliconNitride)SiNx

反應氣體(GasSource)：SiH4(Silane)、NH3、N2、H2

SiH4(g)+NH3(g)SiNx:H(s)+3H2SiNx製程條件:(unaxis)壓力0.6mbar溫度280o功率1300WRFN2+H2PECVD應用：氮化矽(SiliconNitride)S22SiNxParticleSiNxPinholePECVDSiNx:4000Aa-Si:1500An+a-Si:300A發生Pinhole示意圖洗淨、、a-Si/n+洗淨SPUTTERMetalGateGatea-Si/n+SiNxParticleSiNxPinholePECVD發生23PECVDSiNx:3000A

GI二次成膜對策PECVDSiNx+a-Si洗淨SiNxGateSiNxSiNxPinholeGatePECVDSiNx:1000Aa-Si:1500An+a-Si:300A

SiNxGateGateGatea-SiPECVDGI二次成膜對策PECVDSiNx+a-Si24乾蝕刻設備基本構造乾蝕刻設備基本構造25Array-自主学习-制程课件26Array-自主学习-制程课件27Array-自主学习-制程课件28Array-自主学习-制程课件29Array-自主学习-制程课件30Array-自主学习-制程课件31Array-自主学习-制程课件32Array-自主学习-制程课件33GateDriverSourceDriverArray面板訊號傳輸說明34GateDriverSourceDriverArray面G1G2G3GmGm-1S1S2S3Sn-1SnSource線儲存電容Gate線液晶電容TFTArray面板說明comITOCLC35G1G2G3GmGm-1S1S2S3Sn-1SnSourceG1G2G3GmGm-2Gm-1S1S2S3Sn-2Sn-1SnArray面板示意圖36G1G2G3GmGm-2Gm-1S1S2S3Sn-2Sn-1

1.因TFT元件的動作類似一個開關(Switch)，液晶元件的作用類似一個電容，藉Switch的ON/OFF對電容儲存的電壓值進行更新/保持。2.SWON時信號寫入(加入、記錄)在液晶電容上，在以外時間SWOFF，可防止信號從液晶電容洩漏。3.在必要時可將保持電容與液晶電容並聯，以改善其保持特性。保持電容TFT元件加入電壓液晶371.因TFT元件的動作類似一個開關(Switch)，液晶元Mask1：GE(Gate電極形成)AA’AA’38Mask1：GE(Gate電極形成)AA’AA’38Mask2：SE(島狀半導體形成)AA’AA’39Mask2：SE(島狀半導體形成)AA’AA’39Mask3：SD(Sour