第三章 双极结型三极管及放大电路基础

第三章双极结型三极管及放大电路基础模拟电子线路第1页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路§3.1双极型晶体管（BJT，bipolarjunctiontransistor）双极型晶体管由两个靠得很近的PN结构成。其中，带正电的空穴和带负电的电子均参与导电。一、晶体管的结构及符号晶体管的结构特点：发射区掺杂浓度高，基区薄且浓度低，集电结面积大，以保证晶体管具有电流放大作用。第2页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路二、晶体管的电流分配与放大作用晶体管内载流子的传输过程发射区向基区注入载流子电子在基区扩散和复合集电结收集电子第3页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路晶体管直流电流传输方程晶体管做放大器时，三个端中一个作输入端，一个作输出端，另一个作输入和输出的公用端。根据作公用端的电极的不同，晶体管可分为三种不同的连接方式：共基集、共发射极和共集电极连接。在这三种不同连接关系下的晶体管内部直流电流关系，称为晶体管的直流电流传输方程。第4页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路1、共基极直流电流传输方程(发射极输入，集电极输出)共基极电流放大系数共基极直流电流传输方程若IC>>ICBO，则所以

稍小于1，电流无放大作用第5页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路2、共发射极直流电流传输方程基极为输入端，集电极为输出端，发射极为公共端∵输入电流为IB、输出电流为Ic，Ic>>IB，

有电流放大作用！∴利用上节晶体管内载流子关系式令则此式称为共发射极直流电流传输方程。第6页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路其中，代表基极开路时的集电极到发射极的直通电流，通常称为穿透电流。有表明等于集电极电流与基极电流的比值。由于共发射极电路的直流电流传输方程可表示为第7页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路3、共集电极直流电流传输方程基极为输入端，发射极为输出端，集电极为公共端由于IE=IC+IB

所以上式即为共集电极直流电流传输方程。通常，故共集电极电路的直流电流传输方程与共射电路近似。第8页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路三、晶体管的共射组态特性曲线晶体管外部各极电流和电压的关系曲线称为晶体管的特性曲线。共发射极晶体管的输入端电流为iB，输入端电压为vBE，输出端电流为iC，输出端电压为vCE。第9页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路1、输入特性曲线以集电极电压vCE为参变量，输入回路中基极电压vBE与基极电流iB的关系曲线称为输入特性曲线，即iB=f(vBE)|vCE(1)vCE=0时,iB-vBE曲线和普通二极管的特性相似。(2)vCE＞1V时的IB-VBE曲线与vCE=0时的曲线相比,特性右移,且不同vCE的曲线基本重合。第10页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路2、输出特性曲线输出特性是指以输入基极电流iB为参变量,输出集电极电流iC和集电极与发射极之间输出电压vCE的关系,即iC=f(vCE)|iB

第11页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路1)放大区发射结正向偏置，集电结反向偏置iB等变量变化时输出iC基本是平行等距的。受基区调制效应影响，随vCE加大，曲线斜率略有加大。基区调制效应：基区宽度受集电极电压调制：vCE↑，集电结厚度↑，基区宽度↓，电子空穴复合↓，维持相同iC所需iB↓，相同iB时iC↑。常数第12页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路2)饱和区vCE较小时，集电结吸引电子能力弱，iC不随iB的增加而增加，晶体管失去放大作用。饱和时集电极电压称为饱和压降VCE(sat)。Si管VCE(sat)≈0.3V，而发射结的饱和压降VBE(sat)≈0.8V，故VCB(sat)=VCE(sat)-VBE(sat)≈-

0.5V在饱和区，集电结和发射结均处于正向偏置。3)截止区通常将iB=0以下的区域称为截止区，此时iE=iC=iCEO。严格的说，iE=0，iC<=iCBO的区域为截止区。晶体管截止时，发射结和集电结均处于反向偏置。第13页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路三极管的四种运用状态第14页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路四、晶体管的主要参数1、电流放大系数共射极电流放大系数直流工作状态下，IC与IB的关系使用直流电流放大系数

描述。忽略ICEO时，固定vCE，集电极电流变化量ΔiC与基极电流变化量ΔiB之比，称为共发射极交流电流放大系数，当忽略ICEO且输出特性曲线平行等距时，可认为

故二者物理意义不同，但常混用！第15页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路共基极电流放大系数共基极电流放大系数也分为直流放大系数和交流放大系数，忽略ICBO时固定vCB，取集电极电流变化量ΔiC与发射极电流变化量ΔiE之比当忽略ICBO且输出特性曲线平行等距时，第16页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路2、极间反向电流集电极－基极反向饱和电流ICBO与二极管反向电流一样，一定温度下为常数，与VCB无关。集电极－发射极反向电流ICEO(穿透电流)集电区贯穿基区至发射区的电流，第17页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路3、频率参数晶体管的电流放大系数和的值在一定频率范围内不变；当频率增加到一定值后和都将随频率升高而下降，这称为晶体管的频率特性，是晶体管两个PN结的电容影响的结果。共发射极截止频率随频率f的变化关系为其中为低频时的共发射极电流放大系数。为降到0.707倍时的频率。第18页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路共基极截止频率降到0.707倍时的频率。特征频率fT降到1时的频率。此时，三个频率参数有以下关系：

共基极连接广泛用于高频和宽频电路中。第19页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路4、极限参数集电极最大允许电流ICM降到额定值2/3时的iC值。iC值超过ICM时管子易损坏。集电极最大允许功耗PCMPCM＝iCvCE反向击穿电压V(BR)CBO-发射极开路时,集电极－基极间反向击穿电压。V(BR)CEO-基极开路时,集电极－发射极间反向击穿电压。V(BR)EBO-集电极极开路时,发射极－基极间反向击穿电压。第20页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路(1)温度对ICBO的影响温度每升高10℃，ICBO约增加一倍。(2)温度对

的影响温度每升高1℃，

值约增大0.5%~1%。(3)温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响温度升高时，V(BR)CBO和V(BR)CEO都会有所提高。

5、温度对BJT参数及特性的影响(4)温度升高时，输入端PN结导通程度加大，输入特性曲线左移。(5)温度升高时，输出曲线上移。第21页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路§3.2放大器的组成及工作原理一、放大器的功能及组成放大器的主要功能是放大微弱的电信号，通过电子器件的控制将直流电源功率转换成一定幅度的、随输入信号变化的输出信号。放大电路应遵循以下原则:1、有直流通路，并保证合适的直流偏置。2、有交流通路，即待放大的输入信号能加到晶体管上，且放大了的信号能从电路中取出。第22页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路共发射极放大器（建立放大器感性认识）共发射极放大器是应用最为广泛的基本放大器。NPN晶体管起放大作用；VBB为基准直流源，提供偏置；VCC为电源；RC将集电极电流转换为输出电压；电容C为耦合电容，只允许变化电压Δvo输出。第23页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路共发射极放大器放大原理：信号电压ΔvI→输入回路电压VBB＋ΔvI→基极电流iB＋ΔiB→集电极电流iC＋ΔiC→RC上电压降vRC＋ΔvRC→集电极-射极间电压vO＋ΔvO→输出电压ΔvO选取适当的Rc值使晶体管工作在正向放大状态，使ΔvO远大于ΔvI，实现电压信号的放大。放大作用：输入回路加微小信号，通过基极电流的改变量去控制集电极电流，从而将VCC的能量转换为与输入信号变化规律相同、能量更大的输出信号。第24页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路对放大器的分析可分为直流分析和交流分析直流分析：确定晶体管的静态工作点（各节点的直流电压值）交流分析：确定电路中各交流信号之间的关系。

直流等效电路交流等效电路第25页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路二、放大器的性能指标首先介绍一下放大器中常用符号的意义。由于放大器电路中既有直流成分又有交流成分,因而晶体管的各极电流、电压都有瞬时值，包含直流分量和交流分量。下面以基极到发射极电压为例,介绍各种符号的含义。vBE—基极到发射极电压的瞬时值;VBE—基极到发射极电压的直流成分;vbe—基极到发射极交流电压的瞬时值;Vbe—基极到发射极交流电压有效值Vbem—

vbe的峰值或振幅。

第26页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路用下式可以清楚地表示出它们的含义第27页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路1、电压放大倍数(电压增益)Av放大器的增益有电压增益、电流增益和功率增益三种。放大器的电压放大倍数（电压增益）是指输出电压Vo与输入电压Vi之比,记为Av，即其中为输入电压和输出电压的相位差。而Vo与信号源开路电压Vs之比称为考虑信号源内阻时的电压放大倍数,记作Avs，即第28页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路2、输入电阻Ri输入电阻是指从信号源右边向放大器视入的电阻，记为Ri，在认为输入电流Ii和输入电压Vi同相位时，Ri为输入电压与输入电流之比：Ri并不是一个实际的电阻，而是一个等效的视在电阻。第29页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路3、输出电阻Ro输出电阻是指从负载电阻左边向放大器视入的电阻，记为Ro。

Ro也并不是一个实际的电阻，是一个等效的视在电阻。第30页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路4、通频带BW

由于放大器中含有电抗元件(放大管的结电容)，所以放大倍数将随信号频率而变化。一般而言，放大器只对某段特定频率范围内的信号有相同放大倍数。fL为下限截止频率，fH为上限截止频率，BW为通频带，BW=fH-fL

第31页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路一、放大器的图解分析法

在晶体管的特性曲线上，用作图的方法定量地分析放大器的基本性能，称为放大器的图解分析法。图解法的处理方法是先确定静态工作点，以找出直流分量；然后绘出各极电流、电压的波形，以确定交流分量。§3.3放大器的分析方法第32页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路1、用图解法确定静态工作点在没有输入信号时，放大器所处的状态称为静态工作状态。确定静态工作点，就是确定IB、VBE、IC和VCE四个量。在输入回路中，此方程描述的直线为负载线，描述输入端口特性，其与三极管输入特性曲线的交点Q即为输入回路的静态工作点。

第33页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路在输出回路中，此方程描述的直线为负载线，描述输出端口特性，其与三极管输出特性曲线的交点Q即为输入回路的静态工作点。第34页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路2、用图解法分析动态工作情况在输入小信号ΔVI时，放大器处于动态工作状态。在输入回路中，此方程描述的是一与负载线平行的直线。在ΔVI作用下，工作点由Q移动到Q`。若ΔV为负值，则工作点对应下移。第35页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路在输出回路中，负载线方程仍为但由于IB变为IB+ΔIB，有

工作点由Q移动到Q`。若ΔV为负值，则工作点对应下移。

第36页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路基于上述分析，对一般的正弦波输入，可采用以下步骤进行图解分析(以共发射极基本放大电路为例)。A、根据vi在输入特性上绘出iB的波形

vBE=VBEQ+Vimsinωt

Vim为正弦波幅值，以VBEQ为中值，Vim为边界确定两极限工作点Q1和Q2。可对应得到iB的幅值Ibm。第37页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路B、根据iB的摆动范围绘出ic和vCE的波形

对应iBmax和iBmin的两条输出特性曲线和负载线相交于Q1和Q2两点，由此可绘出vCE和iC。第38页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路C、各极电流、电压波形的特点和相位关系基极、集电极的电流和电压均为直流分量和交流分量的叠加。vbe与vce相位相反。iC、iB和vbe是同相的，而vce和它们相位相反，即输出电压和输入电压反向，这是共发射极放大器的重要特征。vbe↑iB↑iC↑vRC↑vce↓第39页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路第40页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路D、接RL时放大器输出回路的图解分析由于RL和RC的并联关系，有RL’=RL//RC，使输出电压减小由于存在输出耦合电容，RL介入不会影响静态工作点Q。第41页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路E、计算放大器的电压放大倍数对此节所研究的共发射极放大电路，vo=vce，定义输入信号峰值为Vim，输出信号峰值为Vom，

可将电压放大倍数表示如下：负号表示输出电压与输入电压间有180°的相位差。

第42页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路3、用图解法分析放大器的非线性失真由晶体管特性的非线性引起的波形失真，称为非线性失真。静态工作点选取不当、输入信号过大或要求的放大倍数过大都可能造成非线性失真。非线性失真表现为输入特性曲线的弯曲和输出特性曲线间距不匀。如果输入信号较大，将使ib、vce和ic正、负半周不对称。第43页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路工作点过低、vce正半周削峰、截止失真工作点过高、vce负半周削峰、饱和失真截止失真饱和失真第44页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路在不产生饱和或截止失真的情况下，输出电压所能摆动的最大范围称为放大器的动态范围，记为Vop-p。动态范围等于不失真时最大的输出电压峰－峰值。对较大信号，为避免出现非线性失真，静态工作点Q应选在输出负载线的中部。对小信号，在不出现非线性失真的前提下，可降低静态工作点Q，以减小直流功耗。第45页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路图解法最大的特点是能直观、全面的反映管子的工作状态，但对于非电阻性负载或需要考虑晶体管电容效应的高频应用，采用图解法就难以描述，且较难给出定量的结果。另一种常用的分析方法：等效电路法。第46页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路二、放大器的小信号模型分析法若输入信号幅度小，工作点只在小范围内摆动，晶体管的特性可视为线性，可用由电源和无源器件组成的等效电路来代替晶体管，将包含晶体管的非线性电路转化为线性电路，运用线性电路的定律来方便地求解。晶体管交流小信号等效电路，简称交流等效电路。

电路交流等效电路第47页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路1、晶体管的h参数小信号模型及其等效电路A、晶体管h参数等效电路的导出晶体管输入回路和输出回路的电流、电压关系可表示为对上两式求全微分，得其中dvBE、diB、diC和dvCE表示各电压、电流瞬时值的变化，可用其交流分量代替，可得：第48页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路其中hie、hre、hfe和hoe称为共发射极的h参数，有

输出端交流短路时的输入电阻输入端交流开路时的反向电压传输系数

输出端交流短路时的正向电流传输系数输入端交流开路时的输出电导第49页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路第50页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路B、h参数的意义输入电阻hie反映了输出电压vCE不变时，输入电压vBE对输入电流iB的影响，是输入特性在静态工作点Q处的切线斜率的倒数，又记为rbe。反向电压传输系数hre反映了在iB不变时，输出电压vCE对输入电压vBE的影响。由于这种影响是由晶体管内部反馈作用产生的，因此hre又称为“内部电压反馈系数”。第51页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路正向电流传输系数hfe反映了晶体管对电流的放大能力。Q点附近曲线间距越大，hfe越大。即β。输出电导hoe反映了当iB不变时，输出电压vCE对输出电流iC的影响。输出特性越陡峭，hoe越大。hie=rbe=(1e2~1e3)Ωhfe=β=20~100hre=1e-4~1e-3hoe=1/rce=(10~1e2)uSrce为hoe的倒数，称为晶体管共发射极接法的输出电阻。第52页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路C、简化的h参数等效电路由于hre比较小，在输入回路中可忽略hrevCE由于hoe比较小，在输出回路中可忽略和RL并联的1/hoe第53页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路D、晶体管输入电阻hie的计算采用等效电路法分析放大器时，需确定β和rbe。晶体管内部电阻由体电阻rbb’、rc’、re’，结电阻rc、re组成。rc’和re’通常较小，可忽略。由于基区掺杂浓度低且很薄，rbb’较大，不可忽略。（对低频应用下的小功率管，rbb’通常在200Ω左右）第54页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路由PN结基本方程得发射结电流常温下VT=26mV，静态工作点上iE=IE第55页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路2、用h参数小信号模型分析基本共射极放大器A、画出放大器的交流等效电路画出晶体管的h参数等效电路画出晶体管的外部电路标出电压的极性和电流的方向第56页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路B、计算电压放大倍数∴放大倍数其中负号表示输出电压和输入电压反相。RC↑AV↑但RC的提高受静态工作点的限制。β↑rbe↑AV影响不大。β/IE>50时，AV随IE线性增大∵第57页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路C、计算输入电阻和输出电阻放大器的输入电阻放大器的输出电阻若使用完整的h参数等效，不忽略hoe，有第58页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路D、计算源电压放大倍数根据源电压放大倍数的定义，有而

∴第59页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路共射极放大电路放大电路如图所示。已知BJT的ß=80，Rb=300k

，Rc=2k

，VCC=+12V，求：（1）放大电路的Q点。此时BJT工作在哪个区域？（2）当Rb=100k

时，放大电路的Q点。此时BJT工作在哪个区域？（忽略BJT的饱和压降）解：（1）（2）当Rb=100k

时，静态工作点为Q（40

A，3.2mA，5.6V），BJT工作在放大区。其最小值也只能为0，即IC的最大电流为：BJT工作在饱和区。VCE不可能为负值，此时，Q（120uA，6mA，0V），例第60页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路§3.4放大电路静态工作点的稳定一、温度变化对工作点的影响温度上升时，BJT的反向电流ICBO、ICEO及电流放大系数

或

都会增大，而发射结正向压降VBE会减小。这些参数随温度的变化，都会使放大电路中的集电极静态电流ICQ随温度升高而增加（ICQ=

IBQ+ICEO），从而使Q点随温度变化。要想使ICQ基本稳定不变，就要求在温度升高时，电路能自动地适当减小基极电流IBQ。第61页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路二、射极偏置电路（1）稳定工作点原理

目标：温度变化时，使IC维持恒定。

如果温度变化时，b点电位能基本不变，则可实现静态工作点的稳定。T

IC

IE

VE、VB不变

VBE

IB

IC

（反馈控制）1、基极分压式射极偏置电路(a)原理电路(b)直流通路第62页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路b点电位基本不变的条件：I1>>IBQ，此时，VBQ与温度无关VBQ>>VBEQRe取值越大，反馈控制作用越强一般取I1=(5~10)IBQ，VBQ=3~5V

第63页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路（2）放大电路指标分析①静态工作点第64页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路②电压增益<A>画小信号等效电路第65页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路输出回路：输入回路：电压增益：<B>确定模型参数

已知，求rbe<C>增益第66页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路③输入电阻则输入电阻放大电路的输入电阻不包含信号源的内阻第67页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路④输出电阻输出电阻求输出电阻的等效电路网络内独立源置零负载开路输出端口加测试电压其中则当时，一般（）第68页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路2、含有双电源的射极偏置电路（1）阻容耦合静态工作点第69页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路（2）直接耦合第70页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路3、含有恒流源的射极偏置电路静态工作点由恒流源提供分析该电路的Q点及、、第71页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路§3.5共集电极电路和共基极电路共集电极电路－射极输出器集电极为输入和输出信号的公共端第72页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路一、静态工作点基极回路电压方程∴又有第73页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路二、电压放大倍数输入回路电压方程为输出回路电压方程为∴电压放大倍数为∵，射极输出器电压放大倍数小于1但接近1。输出电压跟随输入电压的变化而变化，又称射极跟随器。Io=(1+β)Ib远大于输入电流Ib，有电流和功率放大作用。第74页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路三、输入电阻和输出电阻输入电阻为Vs短路，输出端加Vt，其中输出电阻为通常第75页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路通常RE较大，β>>1，有射极输出器输入电阻较大，比共发射极的高几十到几百倍。射极输出器输出电阻较小，一般为几十到几百欧。第76页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路四、主要特点和应用射极输出器具有以下特点：电压放大倍数稍小于1输出电压与输入电压同相输入电阻大，输出电阻小射极输出器的应用多极放大器的输出级，以增强负载能力多极放大器的中间缓冲级，利用其输入电阻大、输出电阻小的特点，实现阻抗变换，隔离前后级的相互影响。第77页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路共基极电路集电极为输入和输出信号的公共端第78页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路一、电压放大倍数输入回路电压方程为输出回路电压方程为∴电压放大倍数为输出电压与输入电压同相。第79页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路二、输入电阻和输出电阻输入电阻为考虑RE后，输入电阻Ri`为输出电阻为共基极放大电路输入电阻比共发射极的小得多。共基极放大电路频率响应特点较好，适用于较高频率场合。第80页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路三种放大器性能小结共发射极共集电极共基极第81页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路三种组态的特点及用途共射极放大电路：电压和电流增益都大于1，输入电阻在三种组态中居中，输出电阻与集电极电阻有很大关系。适用于低频情况下，作多级放大电路的中间级。共集电极放大电路：只有电流放大作用，没有电压放大，有电压跟随作用。在三种组态中，输入电阻最高，输出电阻最小，频率特性好。可用于输入级、输出级或缓冲级。共基极放大电路：只有电压放大作用，没有电流放大，有电流跟随作用，输入电阻小，输出电阻与集电极电阻有关。高频特性较好，常用于高频或宽频带低输入阻抗的场合，模拟集成电路中亦兼有电位移动的功能。

第82页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路一、共射—共基放大电路共射－共基放大电路§3.6组合放大电路第83页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路其中所以因为因此组合放大电路总的电压增益等于组成它的各级单管放大电路电压增益的乘积。前一级的输出电压是后一级的输入电压，后一级的输入电阻是前一级的负载电阻RL。电压增益第84页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路输入电阻Ri＝＝Rb||rbe1＝Rb1||Rb2||rbe1

输出电阻Ro

Rc2

第85页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路T1、T2构成复合管，可等效为一个NPN管(a)原理图(b)交流通路二、共集—共集放大电路第86页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路1、复合管的主要特性两只NPN型BJT组成的复合管

两只PNP型BJT组成的复合管

rbe＝rbe1＋(1＋

1)rbe2

第87页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路PNP与NPN组成的复合管NPN与PNP组成的复合管rbe＝rbe1第88页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路2、共集

共集放大电路的Av、Ri、Ro

式中

≈

1

2rbe＝rbe1＋(1＋

1)rbe2R

L＝Re||RL

Ri＝Rb||[rbe＋(1＋

)R

L]第89页，课件共101页，创作于2023年2月模拟电子线路§3.7放大电路的频率响应一、放大器频率特性的概念放大电路中由于有耦合电容、旁路电容、分布电容以及放大管的极间电容等电抗元件的存在，使放大倍数与信号的各频率分量有关，这种关系称为放大器的频率特性，又称频率响应。放大器的频率特性可表示为

表示电压放大倍数的模与频率的关系，称为放大器的幅频特性，