半导体后封装工艺及设备课件

半导体后封装工艺及设备_图文幽默来自智慧，恶语来自无能半导体后封装工艺及设备_图文幽默来自智慧，恶语来自无能1半导体后封装工艺及设备_图文ppt半导体后封装工艺及设备_图文ppt2ICPackage(C的封装形式)QFN-QuadFlatNo-leadPackage四方无引脚扁平封装SOC-Smalloutline|C小外形|C封装TSSOP-ThinSmallShrinkOutlinePackage薄小外形封装QFP-QuadFlatPackage四方引脚扁平式封装BGA-BallGridArrayPackage球栅阵列式封装ICPackage(C的封装形式)3传统半导体封装的工艺流程贴膜打屠去切害=s=D=键合芯片粘贴检测匀检「Lad烘焙烘焙弓脚切割和成斗光印中|检=元成传统半导体封装的工艺流程4封装技术发展方向☆圆晶级封装(WLCSP)☆覆晶封装(Flipchip)☆系统封装SiP)☆硅穿孔(Through-Silicon-Via)☆射频模组(RFModule)☆Bumping技术的印刷(Printing)和电镀(Plating)封装技术发展方向5晶圆级花片封装WLCSP(WaferLevelchipScalePackaging晶圆级花片封装WLCSP6圆片级CSP产品的封装工艺流程★在圆片上制作接触器的圆片级CSP的封装工艺流程圆片→二次布线→减薄→在圆片王制作接触器→接触器电镀→测试、筛选→划片→激光打标●★在圆片上制作焊球的圆片级CSP的封装工艺流程圆片→二次布线亠减薄→在圆片上制作焊球→模塑包封或表面涂敷→测试、筛选→划片→激光打标圆片级CSP产品的封装工艺流程7TSV技术第四代封装技术●硅通孔技术(ISV)是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制●硅通孔TSV(Through-Siliconvia)技术是半导体集成电路产业迈向3DSiP时代的关键技术TSV技术一般和WCSP相结合,工艺流程上可以先钻孔和后钻孔主要工艺流程如下贴膜打磨刻蚀绝缘层处理m-m女钻孔设备:磨抛机γ深反应离子刻蚀、激光我磁控溅TSV技术8Ts∨互连的3D芯片堆叠关键技术采用磁控溅射(1)通孔的形成(2)绝缘层、阻挡层和种子层的淀积(3)铜的填充(电镀)、去除和再分布引线(RDL)电镀(4)晶圆减薄;(5)晶圆/芯片对准、键合与切片ATs∨互连的3D芯片堆叠关键技术9TSV的研究动态TSV参数参数值最小TSV直径最小TSV间距2umTSⅤ深宽比焊凸间距25m5μm(微凸点180℃)芯片间距15m(无铅铜焊柱260℃)芯片厚度15-60umTSV的研究动态10铜通孔中,TiN粘附/阻挡层和铜种子层都通过溅射来沉积。然而,要实现高深宽比(AB>4:1的台阶覆盖,传统的PV直流磁控技术效果并不令人满意。基于离子化金属等离子体(IMP)的PVD技术可实现侧壁和通孔底部铜种子层的均匀沉积。由于沉积原子的方向性以及从通孔底部到侧壁溅射材料过程中离子轰击的使用,ⅠMP提供更好的台阶覆盖性和阻挡层/种子层均匀性。由于电镀成本大大低于PVD/CVP,通孔填充一般用电镀铜的方法实现8D封装与硅通孔(艺技铜通孔中,TiN粘附/阻挡层和铜种子层都通过溅射来沉11半导体后封装工艺及设备图文课件12半导体后封装工艺及设备图文课件13半导体后封装工艺及设备图文课件14半导体后封装工艺及设备图文课件15半导体后封装工艺及设备图文课件16半导体后封装工艺及设备图文课件17半导体后封装工艺及设备图文课件18半导体后封装工艺及设备图文课件19半导体后封装工艺及设备图文课件20半导体后封装工艺及设备图文课件21半导体后封装工艺及设备图文课件22谢谢骑封篙尊慈榷灶琴村店矣垦桂乖新压胚奠倘擅寞侥蚀丽鉴晰溶廷箩侣郎虫林森-消化系统疾病的症状体征与检查林森-消化系统疾病的症状体征与检查11、越是没有本领的就越加自命不凡。——邓拓

12、越是无能的人，越喜欢挑剔别人的错儿。——爱尔兰

13、知人者智，自知者明。胜人者有力，自胜者强。——老子

14、意志坚强的人