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《计算机组织结构》实验报告实验序号:04实验项目名称:静态随机存储器实验学号姓名专业、班实验地点指导教师时间一、实验目的掌握静态随机存储器RAM工作特性及数据的读写方法。二、实验原理实验所用的半导体静态存储器电路原理如图所示,实验中的静态存储器由一片6116(2K×8)构成,其数据线接至数据总线,地址线由地址锁存器(74LS273)给出。地址灯AD0~AD7与地址线相连,显示地址线内容。数据开关经一个三态门(74LS245)连至数据总线,分时给出地址和数据。因地址寄存器为8位,所以接入6116的地址为A7~A0,而高三位A8~A10接地,所以其实际容量为256字节。6116有三个控制线:CE(片选线)、OE(读线)、WE(写线)。当片选有效(CE=0)时,OE=0时进行读操作,WE=0时进行写操作。本实验中将OE常接地,在此情况下,当CE=0、WE=0时进行读操作,CE=0、WE=1时进行写操作,其写时间与T3脉冲宽度一致。实验时将T3脉冲接至实验板上时序电路模块的TS3相应插孔中,其脉冲宽度可调,其它电平控制信号由“SWITCHUNIT”单元的二进制开关模拟,其中SW-B为低电平有效,LDAR为高电平有效。三、实验内容与步骤(1)形成时钟脉冲信号T3。具体接线方法和操作步骤如下:①接通电源,用示波器接入方波信号源的输出插孔H23,调节电位器W1W2,使H23端输出实验所期望的频率及占空比的方波。②将时序电路模块(STATEUNIT)单元中的ф和信号源单元(SIGNALUNIT)中的H23排针相连。③在时序电路模块中有两个二进制开关“STOP”和“STEP”。将“STOP”开关置为“RUN”状态、“STEP”开关置为“EXEC”状态时,按动微动开关START,则TS3端即输出为连续的方波信号,此时调节电位器W1,用示波器观察,使T3输出实验要求的脉冲信号。当“STOP”开关置为“RUN”状态、“STEP”开关置为“STEP”状态时,每按动一次微动开关START,则T3输出一个单脉冲,其脉冲宽度与连续方式相同。若用PC联机软件中的示波器功能也能看到波形,可以代替真实示波器。(2)按实验图连接实验线路,仔细查线无误后接通电源。(3)写存储器给存储器的00、01、02、03、04地址单元中分别写入数据11、12、13、14、15。写存储器要分两个步骤,第一步写地址,先关掉存储器的片选(CE=1),打开地址锁存器门控信号(LDAR=1),打开数据开关三态门(SW-B=0),由开关给出要写存储单元的地址,按动START产生T3脉冲将地址打入到地址锁存器,第二步写数据,关掉地址锁存器门控信号(LDAR=0),打开存储器片选,使处于写状态(CE=0,WE=1),由开关给出此单元要写入的数据,按动START产生T3脉冲将数据写入到当前的地址单元中。写其它单元依次循环上述步骤。(4)读存储器依次读出第00、01、02、03、04号单元中的内容,观察上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。同写操作类似,读每个单元也需要两步,第一步写地址,先关掉存储器的片选(CE=1),打开地址锁存器门控信号(LDAR=1),打开数据开关三态门(SW-B=0),由开关给出要写存储单元的地址,按动START产生T3脉冲将地址打入到地址锁存器;第二步读存储器,关掉地址锁存器门控信号(LDAR=0),关掉数据开关三态门(SW-B=1),片选存储器,使它处于读状态(CE=0,WE=0),此时数据总线上显示的数据即为从存储器当前地址中读出的数据内容。读其它单元依次循环上述步骤。四、实验结果读入的数据与读出的数据一致。五、分析与讨论储存器中,读出的数据,就是读入的
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