我国集成电路产业自主创新战略研究

我国集成电路产业自主创新战略研究一、本文概述随着信息技术的飞速发展，集成电路产业已成为国家战略性新兴产业的重要组成部分，对于推动经济社会发展、保障国家安全具有举足轻重的地位。我国集成电路产业经历了多年的发展，取得了一系列重要成果，但与此同时，也面临着核心技术缺失、创新能力不足、产业结构不合理等严峻挑战。加强集成电路产业自主创新，提升产业核心竞争力，已成为当前我国集成电路产业发展的紧迫任务。本文旨在全面分析我国集成电路产业自主创新的现状、问题及原因，深入探讨产业自主创新的战略意义、目标任务和实施路径。通过对国内外集成电路产业发展趋势的对比分析，明确我国集成电路产业自主创新的优势与劣势，提出针对性的政策建议和发展措施。本文的研究不仅有助于推动我国集成电路产业实现高质量发展，也有助于提升我国在全球集成电路产业链中的地位和影响力。在接下来的章节中，本文将首先对我国集成电路产业自主创新的现状进行梳理和评价，然后深入剖析制约产业自主创新的关键因素，并在此基础上提出相应的战略思路和政策建议。本文还将对未来我国集成电路产业自主创新的发展趋势进行展望，以期为我国集成电路产业的可持续发展提供有益参考。二、集成电路产业概述集成电路产业，作为现代信息技术的核心和电子产业的基础，是国家综合实力的重要体现。其发展水平直接关系到国家的经济安全、国防安全和其他领域的安全。集成电路产业具有技术密集、资本密集、人才密集的特点，是全球竞争最为激烈的产业之一。集成电路，简称IC，是通过半导体制造工艺，将一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶圆上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。根据制造工艺的不同，集成电路可分为模拟集成电路、数字集成电路和数模混合集成电路。自20世纪50年代美国贝尔实验室发明晶体管以来，集成电路产业经历了从小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路到超大规模集成电路的四个发展阶段。随着技术的不断进步，集成电路的集成度越来越高，性能越来越强大，应用领域也越来越广泛。近年来，我国集成电路产业取得了显著的发展成果。产业规模持续扩大，技术创新能力逐步提升，产业链不断完善。在政策扶持和市场需求的双重推动下，我国集成电路产业呈现出快速发展的态势。与国际先进水平相比，我国集成电路产业在核心技术、高端人才、产业链配套等方面还存在较大差距。集成电路产业是现代信息社会的基石，对于国家的经济发展、科技创新、国防建设等方面具有重要意义。发展集成电路产业，有助于提高我国在全球产业链中的地位，保障国家经济安全，推动产业结构升级，促进经济持续健康发展。集成电路产业作为国家战略性、基础性和先导性产业，对于我国经济社会发展具有重要意义。在新的发展阶段，我们要紧紧抓住全球科技革命和产业变革的机遇，加大自主创新力度，推动我国集成电路产业实现高质量发展。三、我国集成电路产业现状分析当前，我国集成电路产业正处于快速发展的关键时期，产业规模不断扩大，技术水平稳步提升，但同时也面临着一系列挑战和问题。本章节将从产业规模、技术水平、产业链完善度、国际竞争力等多个维度对我国集成电路产业的现状进行深入分析。在产业规模方面，近年来我国集成电路产业实现了显著增长。根据相关统计数据，我国集成电路市场规模已经连续多年保持两位数的增长率，成为全球最大的集成电路市场之一。国家层面的政策支持和市场需求的不断扩大是推动产业发展的主要动力。技术水平方面，虽然我国在某些领域已经取得了突破性进展，但整体上与国际先进水平仍存在一定差距。尤其是在高端芯片设计和制造工艺上，我国企业还面临着较大的技术瓶颈。为了缩小这一差距，国家和企业需要持续加大研发投入，加强与国际先进企业的合作与交流。在产业链完善度方面，我国集成电路产业链正在逐步完善。从设计、制造、封装测试到终端应用，产业链的各个环节都在不断强化。产业链上游的关键材料和设备仍然依赖进口，这在一定程度上制约了产业的自主可控发展。从国际竞争力角度来看，我国集成电路产业在国际市场上的影响力逐步增强，但与国际巨头相比，无论是在市场份额还是在技术创新上，都还有较大的提升空间。为了提高国际竞争力，我国集成电路企业需要加强自主创新，积极参与国际标准制定，提升品牌影响力。我国集成电路产业虽然取得了一定的成就，但仍需在技术创新、产业链完善、国际竞争力等方面持续努力，以实现产业的可持续发展和国际地位的提升。四、集成电路产业自主创新的重要性集成电路产业作为国家高新技术产业的核心，其自主创新能力直接关系到国家的经济发展、国防安全以及国际竞争力。在当前全球化和信息化日益深入的背景下，集成电路产业的自主创新显得尤为重要。自主创新是推动产业升级和转型的关键。随着科技的快速发展，集成电路技术也在不断进步，市场需求也在不断变化。只有通过自主创新，不断研发出更高性能、更低功耗、更小尺寸的集成电路产品，才能满足市场的新需求，推动产业向更高端的方向发展。自主创新有助于保障国家安全。集成电路是现代信息化战争的基础，是国家安全的重要保障。通过自主创新，可以减少对外部技术的依赖，避免在关键时刻受到外部制约，从而确保国家信息安全和国防安全。再次，自主创新能够提升国际竞争力。集成电路产业是全球竞争最为激烈的领域之一。通过自主创新，形成具有自主知识产权的核心技术和产品，可以提高我国集成电路产业在国际市场上的竞争力，增强我国在全球产业链中的地位。自主创新有助于促进经济发展。集成电路产业是推动经济发展的重要引擎。通过自主创新，不仅可以带动相关产业链的发展，还可以创造更多的就业机会，促进经济的持续健康发展。集成电路产业的自主创新对于国家的经济发展、国防安全以及国际竞争力具有重要的意义。我们必须加大研发投入，培养创新人才，完善创新体系，推动集成电路产业的自主创新，为实现中华民族的伟大复兴做出应有的贡献。五、我国集成电路产业自主创新的挑战与问题在探索集成电路产业自主创新的道路上，我国面临着多重挑战和一系列待解决的问题。技术挑战：集成电路产业是一个高度技术密集的行业，涉及材料科学、微电子学、计算机科学等多个领域。目前，我国在高端芯片设计、制造工艺、封装测试等方面仍存在技术瓶颈，与国际先进水平存在差距。随着技术的快速发展，集成电路产业正朝着更小、更快、更低功耗的方向发展，这对我国的技术研发能力提出了更高的要求。人才挑战：集成电路产业需要大量的高素质人才，包括芯片设计、制造工艺、封装测试等方面的专业人才。目前我国在这方面的人才储备并不充足，尤其是高端人才短缺现象严重。这制约了我国集成电路产业的自主创新能力和发展速度。市场挑战：随着全球经济的深度融合和信息技术的飞速发展，集成电路市场竞争日益激烈。国际巨头凭借技术优势和市场占有率，对我国集成电路产业形成了强大的竞争压力。同时，国内市场需求也在不断变化和升级，对我国集成电路产业提出了更高的要求。政策挑战：虽然我国政府出台了一系列支持集成电路产业发展的政策，但在实施过程中仍存在一些问题。例如，政策执行力度不够、政策协调性不足、政策效果不明显等。这些问题制约了政策对集成电路产业自主创新的推动作用。创新体系问题：我国集成电路产业自主创新体系尚不完善，缺乏从基础研究到产业化应用的完整链条。同时，产学研用协同创新机制不够紧密，科技成果转化率较低。这些问题影响了我国集成电路产业自主创新的效率和效果。我国在集成电路产业自主创新方面面临着多方面的挑战和问题。为了解决这些问题，我们需要加强技术研发、人才培养、市场拓展和政策支持等方面的工作，同时完善创新体系，提高自主创新能力。六、集成电路产业自主创新战略的国际经验借鉴发达国家集成电路产业的成功经验表明，市场机制与政府战略引导的紧密结合至关重要。如美国，尽管高度依赖市场竞争推动技术研发与创新，但政府通过立法保护、税收优惠、研发资助等方式，为产业发展提供有力的政策支持和稳定的制度保障。同时，美国国防部、NASA等机构的需求牵引，促进了尖端技术的研发与应用。这种“双轮驱动”模式值得我国借鉴，即在尊重市场规律、鼓励企业主体创新的同时，强化国家层面的战略规划与政策扶持，确保关键领域的技术研发与市场应用得到持续关注与资源投入。全球领先的集成电路企业如英特尔、三星、台积电等，无一不将研发视为核心竞争力的关键来源。它们长期保持高强度的研发投入，占营收比例往往超过10，并建立全球化的研发网络，吸引和培养顶尖科研人才。我国在推动自主创新时，应效仿这一模式，鼓励企业加大研发投入，构建开放式创新体系，与高校、科研院所深度合作，共同培养高层次、复合型人才，并优化人才激励机制，营造有利于创新人才集聚与成长的良好环境。日本和韩国的集成电路产业在崛起过程中，充分展示了产学研深度融合的威力。两国通过建立紧密的产业联盟、校企合作平台以及公共研发机构，实现了基础研究、应用开发与产业转化的高效衔接。我国在推进自主创新战略时，应进一步强化产业链上下游、大中小企业以及科研机构间的协同创新，构建资源共享、风险共担、利益共享的创新生态，打破行业壁垒，促进技术成果快速转化为产业优势。欧洲在集成电路领域，尤其是高端设备与EDA软件方面，注重关键核心技术的自主研发，力求在某些细分领域实现全球领先。我国在面临外部技术封锁与供应链风险的现实压力下，更应借鉴这一经验，围绕产业链关键环节，集中力量进行核心技术攻关，减少对外依赖，提升产业链的自主可控能力。同时，加强供应链多元化建设，降低单一来源风险，确保产业链安全稳定。全球集成电路产业的领军者不仅在技术研发上保持领先，还积极参与甚至主导国际标准制定，通过标准的话语权巩固市场地位。例如，美国企业在IEEE、ISO等国际组织中扮演重要角色，影响着全球技术标准的走向。我国在实施自主创新战略时，既要构建开放包容、充满活力的创新生态系统，鼓励企业积极参与全球创新网络，又要强化在国际标准制定中的影响力，争取更多中国技术成为国际标准，提升产业的国际竞争力。我国集成电路产业在实施自主创新战略过程中，应充分借鉴国际经验，坚持市场导向与国家战略相结合，持续加大研发投入与人才培养，深化产学研融合与协同创新，聚焦关键核心技术攻关与产业链安全，积极参与并影响国际标准制定，从而在全球集成电路产业竞争中实现自主可控、高质量发展。七、我国集成电路产业自主创新战略的构建随着全球科技竞争的加剧，集成电路产业作为现代信息社会的基石，其自主创新能力的提升显得尤为重要。本节将重点探讨我国集成电路产业自主创新战略的构建，旨在为我国在该领域的长远发展提供理论指导和实践路径。政策支持与引导：政府应继续加大政策扶持力度，通过税收优惠、资金支持、研发补贴等方式，鼓励企业加大研发投入，推动产业链上下游企业的协同创新。产学研合作：加强高校、科研机构与企业之间的合作，建立产学研一体化平台，促进科研成果的转化应用。人才培养与引进：加大对集成电路相关专业人才的培养力度，同时积极引进国际高端人才，提升我国集成电路产业的整体技术水平。核心技术研发：聚焦关键核心技术，如高端芯片设计、先进制程工艺等，集中力量进行攻关。产业链完善：鼓励企业向产业链上游延伸，如材料、设备等领域，减少对外依赖，提高产业链的自主可控能力。国际合作：在确保国家安全的前提下，积极开展国际合作，引进国外先进技术和管理经验，促进我国集成电路产业的国际化发展。市场准入与监管：完善市场准入制度，加强市场监管，营造公平竞争的市场环境。知识产权保护：加强知识产权保护，鼓励企业进行技术创新，同时防止技术侵权行为。国际合作与竞争：积极参与国际合作与竞争，推动我国集成电路产品走向国际市场。产业链协同：推动产业链上下游企业的协同发展，形成良好的产业生态。区域协调发展：鼓励各地区根据自身优势发展集成电路产业，形成区域协调发展格局。可持续发展：注重产业发展与环境保护的协调，推动集成电路产业的可持续发展。八、我国集成电路产业自主创新战略实施的路径与措施提出加强基础研究的策略，如增加研发投入、建立高水平研究机构。分析如何通过政策引导、平台建设等手段促进国内外创新资源的整合。讨论国际合作在提升我国集成电路产业自主创新能力中的作用。提出加强国际合作的具体途径，如共建研发中心、参与国际标准制定等。预测实施自主创新战略后，我国集成电路产业可能取得的成就。分析在实施自主创新战略过程中可能遇到的挑战，如技术封锁、人才流失等。九、集成电路产业自主创新战略实施的风险与应对技术风险是集成电路产业自主创新过程中最为直接的风险之一。由于集成电路技术更新迭代速度快，研发周期长，且对技术人才和资金投入要求极高，因此在技术创新过程中可能会出现技术突破不足、研发进度滞后等问题。应对措施：加大研发投入，培养高水平技术人才，加强与国际先进水平的交流合作，推动产学研用相结合，加快技术创新步伐。集成电路产业的市场风险主要体现在市场需求的不确定性、价格波动以及国际市场竞争加剧等方面。市场需求的变化可能导致产能过剩或供不应求，价格波动可能影响企业盈利能力，而国际竞争则可能对国内企业造成压力。应对措施：加强市场研究，及时调整产品结构和生产计划，提高产品附加值，增强市场适应性和竞争力。同时，积极参与国际合作与竞争，提升品牌影响力。政策风险主要指国家政策变动对集成电路产业的影响。政策的不稳定性可能给企业带来不确定性，影响企业长期规划和投资决策。应对措施：密切关注国家政策动向，加强与政府部门的沟通协调，积极参与政策制定过程，争取政策支持和优惠。集成电路产业的研发和生产需要巨额资金支持，资金不足或融资困难都可能成为制约产业发展的瓶颈。应对措施：拓宽融资渠道，加强与金融机构的合作，利用政府支持政策，提高资金使用效率和回报率。人才是集成电路产业发展的核心资源。人才短缺或流失都可能对产业创新能力造成影响。应对措施：建立完善的人才培养和激励机制，提高人才待遇，营造良好的工作环境和企业文化，吸引和留住高端人才。十、结论与展望评估自主创新战略在技术进步、市场扩张和人才培养方面的作用。基于这个大纲，我们可以撰写出一个详尽的“结论与展望”段落，既总结了前文的研究成果，又为未来的发展提供了指导和建议。参考资料：标题：我国体育产业品牌发展战略研究——基于体育用品业自主知识产权创新的实证分析在全球化与知识经济的大背景下，体育产业的发展日益显现出其重要性。特别是在中国，体育产业的成长已经从“量的积累”迈向“质的提升”的关键阶段。体育用品业的自主知识产权创新是推动体育产业升级和发展的重要力量。本文以我国体育用品业的自主知识产权创新为例，对体育产业品牌发展战略进行深入探讨。在过去几十年中，我国体育用品业经历了快速的发展。尽管我国是全球最大的体育用品生产国，但在品牌影响力、技术创新等方面仍存在明显不足。这主要表现在缺乏核心技术和知识产权，以及缺乏品牌的深度和广度上。自主知识产权创新是体育用品业发展的关键驱动力。通过自主创新，可以提高产品的技术含量和附加值，从而提升品牌的竞争力。知识产权的保护可以避免技术的无偿复制，保护企业的经济利益。通过自主创新可以塑造自身的品牌形象，扩大市场占有率。技术创新战略：提高研发经费的投入，积极推动科技研发，鼓励企业进行技术改造和创新。知识产权保护战略：完善知识产权法律体系，提高侵权成本，同时建立公正、公平的市场环境。品牌建设战略：通过持续的技术创新和市场推广，提升品牌的知名度和美誉度。国际化战略：通过自主知识产权创新，提高产品的国际竞争力，推动我国体育用品业的全球化发展。我国体育产业的发展需要以自主知识产权创新为引擎，推动体育用品业的转型升级。通过技术创新、知识产权保护、品牌建设和国际化战略的实施，我国体育用品业可以塑造出具有全球影响力的品牌，推动我国体育产业的持续发展。在全球化的大背景下，体育产业的发展已不仅仅是单独的体育领域，它关乎到一个国家的形象和软实力的体现。我们应当更加重视体育产业的品牌发展战略研究，以此推动我国体育产业的持续繁荣和发展。随着全球汽车市场的快速发展，中国汽车产业也在不断壮大，成为全球汽车市场的重要力量。在中国汽车产业的发展过程中，自主创新能力的不足一直是制约其进一步发展的关键问题。本文将探讨中国汽车产业自主创新的发展现状和关键问题，并提出相应的对策建议。中国汽车产业的发展始于20世纪80年代，经过多年的发展，已经成为全球汽车市场的重要力量。据中国汽车工业协会统计，2022年中国汽车销量达到267万辆，同比增长8%。同时，中国政府也出台了一系列政策，如《汽车产业中长期发展规划》等，旨在推动汽车产业的高质量发展。自主创新对中国汽车产业的重要性不言而喻。自主创新可以提高中国汽车产业的市场竞争力。通过技术创新，企业可以开发出更具竞争力的产品，提高产品质量和品牌价值，从而在市场竞争中占据优势地位。自主创新可以保障国家安全。汽车产业是国家安全的重要组成部分，通过自主创新，可以掌握核心技术，避免受制于人，从而保障国家安全。近年来，中国汽车产业在自主创新方面取得了一定的进展。一方面，中国汽车企业的研发能力得到了提高，一些企业已经建立了研发中心，加大了对技术研发的投入。另一方面，中国汽车产业的专利数量和技术水平也有了显著提升。据统计，2022年中国汽车产业的专利数量已经达到3000余件，其中发明专利数量占比超过50%。人才是推动自主创新的核心力量。当前中国汽车产业在创新人才培养方面存在一定的问题。一方面，人才短缺现象较为严重；另一方面，人才培养机制不够完善。需要加强创新人才培养，建立完善的人才培养机制，提高人才培养质量。知识产权保护是自主创新的重要保障。当前中国汽车产业在知识产权保护方面存在一定的问题。一方面，知识产权保护意识较为薄弱；另一方面，知识产权保护制度不够完善。需要加强知识产权保护，提高知识产权保护意识，完善知识产权保护制度。技术路线选择是自主创新的关键环节。当前中国汽车产业在技术路线选择方面存在一定的问题。一方面，一些企业过于追求短期利益，忽略了长期发展；另一方面，一些企业过于追求技术先进性，忽略了市场需求。需要加强技术路线选择，结合市场需求和企业实际情况，制定科学合理的技术路线。政府应该加强对汽车产业自主创新的支持力度，制定相应的政策措施，如加大对自主创新的资金投入、建立完善的创新激励机制等。同时，政府还应该加强与国际先进企业的合作交流，推动中国汽车产业与国际接轨。企业应该加强创新机制建设，建立完善的创新体系和研发团队，提高自主创新能力。同时，企业还应该加强与高校、科研机构等的合作交流，推动产学研合作，加速技术成果转化。集成电路产业是一种半导体产业，1947年由肖特莱发明，包括制造业，设计业，封装业各产业，是与人们息息相关的产业。1947年：贝尔实验室肖特莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑；集成电路1950年：结型晶体管诞生；1950年：ROhl和肖特莱发明了离子注入工艺；1951年：场效应晶体管发明；1956年：CSFuller发明了扩散工艺；1958年：仙童公司RobertNoyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史；1960年：HHLoor和ECastellani发明了光刻工艺；1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管；1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺；1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍；1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门）；1967年：应用材料公司（AppliedMaterials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司；1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现；1971年：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明；1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802；1976年：16kbDRAM和4kbSRAM问世；1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临；1979年：Intel推出5MHz8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球第一台PC；1981年：256kbDRAM和64kbCMOSSRAM问世；1984年：日本宣布推出1MbDRAM和256kbSRAM；1985年：80386微处理器问世，20MHz；1988年：16MDRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（VLSI）阶段；1989年：1MbDRAM进入市场；1989年：486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用8μm工艺；1992年：64M位随机存储器问世；1993年：66MHz奔腾处理器推出，采用6μm工艺；1995年：PentiumPro,133MHz，采用6-35μm工艺；集成电路1997年：300MHz奔腾Ⅱ问世，采用25μm工艺；1999年：奔腾Ⅲ问世，450MHz，采用25μm工艺，后采用18μm工艺；2000年：1GbRAM投放市场；2000年：奔腾4问世，5GHz，采用18μm工艺；2001年：Intel宣布2001年下半年采用13μm工艺。2003年：奔腾4E系列推出，采用90nm工艺。2005年：intel酷睿2系列上市，采用65nm工艺。2007年：基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2E7/E8/E9上市。2009年：intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳米工艺，并且下一代22纳米工艺正在研发。我国集成电路产业诞生于六十年代，共经历了三个发展阶段：1965年-1978年：以计算机和军工配套为目标，以开发逻辑电路为主要产品，初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件；1978年-1990年：主要引进美国二手设备，改善集成电路装备水平，在“治散治乱”的同时，以消费类整机作为配套重点，较好地解决了彩电集成电路的国产化；1990年-2000年：以908工程、909工程为重点，以CAD为突破口，抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设，为信息产业服务，集成电路行业取得了新的发展。(ballgridarray)球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引集成电路脚，在印刷基板的正面装配LSI芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为5mm的360引脚BGA仅为31mm见方；而引脚中心距为5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA的引脚(凸点)中心距为5mm，引脚数为225。也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。(quadflatpackagewithbumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装。引脚中心距635mm，引脚数从84到196左右(见QFP)。(ceramic)表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECLRAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G即玻璃密封的意思)。表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的集成电路Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP好，在自然空冷条件下可容许5～2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3～5倍。引脚中心距有27mm、8mm、65mm、5mm、4mm等多种规格。引脚数从32到368。带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)。(chiponboard)板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。(dualflatpackage)双侧引脚扁平封装。是SOP的别称(见SOP)。以前曾有此称法，已基本不用。(dualin-lineceramicpackage)陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).(dualin-line)DIP的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。(dualtapecarrierpackage)同上。日本电子机械工业会标准对DTCP的命名(见DTCP)。(dualsmallout-lint)双侧引脚小外形封装。SOP的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。(dualtapecarrierpackage)双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是集成电路TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为定制品。5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定，将DICP命名为DTP。(flatpackage)扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP(见QFP和SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。(finepitchquadflatpackage)小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于65mm的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采用此名称。(globetoppadarraycarrier)美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。(quadfiatpackagewithguardring)带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。在把LSI组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L形状)。这种封装在美国Motorola公司已批量生产。引脚中心距5mm，引脚数最多为208左右。(withheatsink)表示带散热器的标记。例如，HSOP表示带散热器的SOP。(surfacemounttype)表面贴装型PGA。通常PGA为插装型封装，引脚长约4mm。表面贴装型PGA在封装的底面有陈列集成电路状的引脚，其长度从5mm到0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称为碰焊PGA。因为引脚中心距只有27mm，比插装型PGA小一半，所以封装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多(250～528)，是大规模逻辑LSI用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。(J-leadedchipcarrier)J形引脚芯片载体。指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。(Leadlesschipcarrier)无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC用封装，也称为陶瓷QFN或QFN－C(见QFN)。(landgridarray)触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227触点(27mm中心距)和447触点(54mm中心距)的陶瓷LGA，应用于高速逻辑LSI电路。LGA与QFP相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。由于引线的阻抗小，对于高速LSI是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。(leadonchip)芯片上引线封装。LSI封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。(lowprofilequadflatpackage)薄型QFP。指封装本体厚度为4mm的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(5mm中心距)和160引脚(65mm中心距)的LSI逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。(multi-chipmodule)多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C和MCM－D三大类。MCM－L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。MCM－C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。MCM－D是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。(miniflatpackage)小形扁平封装。塑料SOP或SSOP的别称(见SOP和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。(metricquadflatpackage)按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP进行的一种分类。指引脚中心距为65mm、本体厚度为8mm～0mm的标准QFP(见QFP)。(metalquad)美国Olin公司开发的一种QFP封装。基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。在自然空冷条件下可容许5W～8W的功率。日本新光电气工业公司于1993年获得特许开始生产。(minisquarepackage)QFI的别称(见QFI)，在开发初期多称为MSP。QFI是日本电子机械工业会规定的名称。OPMAC(overmoldedpadarraycarrier)模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola公司对模压树脂密封BGA采用的名称(见BGA)。(plastic)表示塑料封装的记号。如PDIP表示塑料DIP。(padarraycarrier)凸点陈列载体，BGA的别称(见BGA)。(printedcircuitboardleadlesspackage)印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)。引脚中心距有55mm和4mm两种规格。正处于开发阶段。(plasticflatpackage)塑料扁平封装。塑料QFP的别称(见QFP)。部分LSI厂家采用的名称。(pingridarray)陈列引脚封装。插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都采用多层陶集成电路瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下，多数为陶瓷PGA，用于高速大规模逻辑LSI电路。成本较高。引脚中心距通常为54mm，引脚数从64到447左右。了为降低成本，封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64～256引脚的塑料PGA。还有一种引脚中心距为27mm的短引脚表面贴装型PGA(碰焊PGA)。(见表面贴装型PGA)。驮载封装。指配有插座的陶瓷封装，形关与DIP、QFP、QFN相似。在开发带有微机的设备时用于评价程序确认操作。例如，将EPROM插入插座进行调试。这种封装基本上都是定制品，市场上不怎么流通。(plasticleadedchipcarrier)带引线的塑料芯片载体。表面贴装型封装之一。引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形，是塑料制品。美国德克萨斯仪器公司首先在64k位DRAM和256kDRAM中采用，已经普及用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件)等电路。引脚中心距27mm，引脚数从18到84。J形引脚不易变形，比QFP容易操作，但焊接后的外观检查较为困难。PLCC与LCC(也称QFN)相似。以前，两者的区别仅在于前者用塑料，后者用陶瓷。但现在已经出现用陶瓷制作的J形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装(标记为塑料LCC、PCLP、P－LCC等)，已经无法分辨。为此，日本电子机械工业会于1988年决定，把从四侧引出J形引脚的封装称为QFJ，把在四侧带有电极凸点的封装称为QFN(见QFJ和QFN)。(plasticteadlesschipcarrier)(plasticleadedchipcurrier)有时候是塑料QFJ的别称，有时候是QFN(塑料LCC)的别称(见QFJ和QFN)。部分LSI厂家用PLCC表示带引线封装，用P－LCC表示无引线封装，以示区别。(quadflathighpackage)四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFP的一种，为了防止封装本体断裂，QFP本体制作得较厚(见QFP)。部分半导体厂家采用的名称。(quadflatI-leadedpackgac)四侧I形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈I字。也称为MSP(见MSP)。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分，贴装占有面积小于QFP。日立制作所为视频模拟IC开发并使用了这种封装。日本的Motorola公司的PLLIC也采用了此种封装。引脚中心距27mm，引脚数从18于68。(quadflatJ-leadedpackage)四侧J形引脚扁平封装。表面贴装封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈J字形。是日本电子机械工业会规定的名称。引脚中心距27mm。材料有塑料和陶瓷两种。塑料QFJ多数情况称为PLCC(见PLCC)，用于微机、门陈列、DRAM、ASSP、OTP等电路。引脚数从18至84。陶瓷QFJ也称为CLCC、JLCC(见CLCC)。带窗口的封装用于紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机芯片电路。引脚数从32至84。(quadflatnon-leadedpackage)四侧无引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。多称为LCC。QFN是日本电子机械工业会规定的集成电路名称。封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比QFP小，高度比QFP低。当印刷基板与封装之间产生应力时，在电极接触处就不能得到缓解。因此电极触点难于作到QFP的引脚那样多，一般从14到100左右。材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC标记时基本上都是陶瓷QFN。电极触点中心距27mm。塑料QFN是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。电极触点中心距除27mm外，还有65mm和5mm两种。这种封装也称为塑料LCC、PCLC、P－LCC等。(FP)(QFPfinepitch)小中心距QFP。日本电子机械工业会标准所规定的名称。指引脚中心距为55mm、4mm、3mm等小于65mm的QFP(见QFP)。(quadin-lineceramicpackage)陶瓷QFP的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP、Cerquad)。(quadin-lineplasticpackage)塑料QFP的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP)。(quadtapecarrierpackage)四侧引脚带载封装。TCP封装之一，在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利用TAB技术的薄型封装(见TAB、TCP)。(quadtapecarrierpackage)四侧引脚带载封装。日本电子机械工业会于1993年4月对QTCP所制定的外形规格所用的名称(见TCP)。(quadin-linepackage)四列引脚直插式封装。引脚从封装两个侧面引出，每隔一根交错向下弯曲成四列。引脚中心距27mm，当插入印刷基板时，插入中心距就变成5mm。因此可用于标准印刷线路板。是比标准DIP更小的一种封装。日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采用了些种封装。材料有陶瓷和塑料两种。引脚数64。(shrinkdualin-linepackage)收缩型DIP。插装型封装之一，形状与DIP相同，但引脚中心距(778mm)小于DIP(54mm)，因而得此称呼。引脚数从14到90。也有称为SH－DIP的。材料有陶瓷和塑料两种。(shrinkdualin-linepackage)同SDIP。部分半导体厂家采用的名称。(singlein-line)SIP的别称(见SIP)。欧洲半导体厂家多采用SIL这个名称。(singlein-linememorymodule)单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插座的组件。标准SIMM有中心距为54mm的30电极和中心距为27mm的72电极两种规格。在印刷基板的单面或双面装有用SOJ封装的1兆位及4兆位DRAM的SIMM已经在个人计算机、工作站等设备中获得广泛应用。至少有30～40%的DRAM都装配在SIMM里。(singlein-linepackage)单列直插式封装。引脚从封装一个侧面引出，排列成一条直线。当装配到印刷基板上时封装呈侧立状。引脚中心距通常为54mm，引脚数从2至23，多数为定制产品。封装的形状各异。也有的把形状与ZIP相同的封装称为SIP。(skinnydualin-linepackage)DIP的一种。指宽度为62mm、引脚中心距为54mm的窄体DIP。通常统称为DIP(见DIP)。(slimdualin-linepackage)DIP的一种。指宽度为16mm，引脚中心距为54mm的窄体DIP。通常统称为DIP。(surfacemountdevices)表面贴装器件。偶而，有的半导体厂家把SOP归为SMD(见SOP)。SOP的别称。世界上很多半导体厂家都采用此别称。(见SOP)。(smallout-lineI-leadedpackage)I形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈I字形，中心距27mm。贴装占有面积小于SOP。日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用了此封装。引脚数26。(smallout-lineintegratedcircuit)SOP的别称(见SOP)。国外有许多半导体厂家采用此名称。(SmallOut-LineJ-LeadedPackage)J形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈J字形，故此得名。通常为塑料制品，多数用于DRAM和SRAM等存储器LSI电路，但绝大部分是DRAM。用SOJ封装的DRAM器件很多都装配在SIMM上。引脚中心距27mm，引脚数从20至40(见SIMM)。(SmallOut-LineL-leadedpackage)按照JEDEC(美国联合电子设备工程委员会)标准对SOP所采用的名称(见SOP)。(SmallOut-LineNon-Fin)无散热片的SOP。与通常的SOP相同。为了在功率IC封装中表