在线网课知道智慧《固体物理与半导体物理（浙大）》单元测试考核答案

第一章单元测试1【单选题】(2分)半导体电阻率的范围通常为（）Ω·cmA.10C.10D.2.【多选题】正确答案：ABC半导体的特性包括（）A.杂质敏感性B.温度敏感性C.光敏感性D.导通特性3【判断题】随着温度升高，半导体的电阻率一定升高（）A.对B.错4【判断题】半导体材料的电阻率，跨越了非常大的范围，使得我们能够通过各种效应来对它们进行调制，比如，我们可以通过掺杂改变半导体的电阻率（）A.错B.对5【判断题】摩尔定律，是指单位面积的集成电路上晶体管数目，或者说集成电路的集成度，每18个月要增加一倍。（）A.错B.对第二章单元测试1【单选题】(2分)半导体材料最常见的晶体结构不包括（）A.金刚石型结构B.密堆积结构C.闪锌矿型结构D.纤锌矿型结构2【单选题】(2分)描述晶体结构的最小体积重复单元的是（）A.基矢B.原胞C.单胞D.晶胞3【单选题】(2分)正四面体的对称操作有（）个A.8B.16C.24D.324.【多选题】正确答案：AC晶体结构的基本特点不包括（）A.各向异性B.重复性C.单一性D.周期性5【判断题】各向异性不是晶体的基本特性之一。（）A.对B.错第三章单元测试1【单选题】(2分)每个布里渊区的体积均相等，都等于倒格子（）的体积。A.单胞B.晶体C.原胞D.晶胞2【单选题】(2分)周期性边界条件决定了电子的波矢K在第（）布里渊区内可取值数量与晶体的初基元胞数N相等。A.一B.二C.三D.四3.【多选题】正确答案：BC布里渊区的特点不包括()A.各个布里渊区的形状都不相同B.晶体结构的布喇菲格子虽然相同，但其布里渊区形状却不会相同C.每个布里渊区的体积都不相等D.各布里渊区经过适当的平移，都可移到第一布里渊区且与之重合4【判断题】对于一定的布喇菲晶格，基矢的选择是不唯一的，但是对应的倒格子空间是唯一的。（）A.对B.错5【判断题】存在布里渊区经过任何的平移都无法移到第一布里渊区且与之重合。()A.对B.错第四章单元测试1【单选题】(2分)如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化,则具有这种能带结构的半导体称为（）A.窄禁带半导体B.宽禁带半导体C.简介禁带半导体D.直接禁带半导体2【单选题】(2分)固体能带论的三个基本近似不包括（）A.绝热近似B.玻尔兹曼近似C.单电子近似D.周期场近似3.【多选题】正确答案：BCD依照量子自由电子论，下列不是K空间中电子的等能面的是（）A.球面B.不规则曲面C.抛物面D.椭球面4【判断题】硅材料的能带结构和锗材料的能带结构相同。（）A.错B.对5【判断题】根据能带理论，电子的能态密度随能量变化的趋势是随能量增高而单调增大。（）A.错B.对第五章单元测试1【单选题】(2分)将特定的杂质原子渗入硅材料中间的过程叫做（）A.渗透B.刻蚀C.互联D.扩散2.【多选题】正确答案：ABCD下列工艺属于外延生长技术的是（）A.液相外延B.离子束外延C.分子束外延D.CVD3【判断题】影响CZ直拉法的两个主要参数是拉伸速率和晶体旋转速率（）A.错B.对4【判断题】CVD是应用气态物质在固体上产生化学反应和传输反应等并产生固态沉积物的一种工艺（）A.对B.错5【判断题】与扩散相比，离子注入有两个优点，离子注入的工艺，是低温工艺，可以获得良好的掺杂层。（）A.对B.错第六章单元测试1【单选题】(2分)杂质半导体，其电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，由（）决定。A.掺杂浓度和禁带宽度B.温度和掺杂浓度C.温度、掺杂浓度和禁带宽度D.温度和禁带宽度2.【多选题】正确答案：BCD关于空穴，下列说法正确的是（）A.空穴同电子一样都是物质世界中的实物粒子B.空穴带正电荷C.半导体中电子空穴共同参与导电D.空穴具有正的有效质量3.【多选题】正确答案：ACD关于本征半导体，下列说法中正确的是（）A.本征半导体的费米能级E=E基本位于禁带中线处B.本征半导体的费米能级与温度无关，只决定于材料本身C.本征半导体不含有任何杂质和缺陷D.本征半导体的电中性条件是qn=qp4【判断题】费米分布函数不适用于简并的电子系统。（）A.对B.错5【判断题】将Si掺杂入GaAs中，Si取代Ga则起受主杂质作用，若Si取As则起施主杂质作用。（）A.对B.错第七章单元测试1【单选题】(2分)以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率μ与温度的-3/2次方的关系为（）A.成反比B.成正比C.乘积为1/eD.互为倒数2【单选题】(2分)反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量（）A.速度饱和值B.扩散系数C.扩散电流密度D.迁移率3【单选题】(2分)由于载流子在一定（）的作用下而产生电流是漂移电流。A.电场力B.磁场力C.引力D.弱相互作用力4.【多选题】正确答案：ABCD总电流密度是以下哪几项之和（）A.空穴扩散电流B.电子漂移电流C.电子扩散电流D.空穴漂移电流5【判断题】爱因斯坦关系式是描述迁移率和扩散系数的关系式。（）A.错B.对第八章单元测试1【单选题】(2分)非平衡载流子的复合率定义为单位时间单位体积净复合消失的电子-空穴对数。下面表达式中不等于复合率的（）B.2【单选题】(2分)直接复合时，小注入的小注入的N型半导体的非平衡载流子寿命决定于（）A.其他C.3.【多选题】正确答案：AB半导体中的载流子复合的途径，不包括（）A.带间电子-空穴间接复合B.通过价带内的复合中心进行复合C.通过禁带内的复合中心进行复合D.带间电子-空穴直接复合4【判断题】导带中的电子越过禁带跃迁到价带,与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为间接复合。（）A.对B.错5【判断题】非平衡载流子通过复合作用产生。（）A.错B.对第九章单元测试1【单选题】(2分)关于pn结，下列说法中不正确的是（）A.pn结空间电荷区中的内建电场起着阻碍电子和空穴继续扩散的作用B.pn结是结型半导体器件的心脏。C.平衡时，pn结空间电荷区中正电荷区和负电荷区的宽度一定相等D.所谓平衡pn结指的是热平衡状态下的pn结2【单选题】(2分)金属与P型半导体形成阻挡层，其功函数需满足（）A.Wm=WsB.其他C.Wm＜WsD.WmWs3.【多选题】正确答案：AB金属和半