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文档简介
晶体构造
一、基本概念(TheBasicConcepts):
1.晶体(Crystals):
(D物质的质点(分子、离f或原子)在空间有规则地排列而成的、具有整洁外形的、以多面体出现叼固体物质,称为
晶体。
(2)晶体有同质多象性由同样的分子(或原子)可以以不一样的方式堆积成不一样的晶体,这种现象叫做同质多象
性。但同一种物质H勺气态、液态只存在一种构造。
(3)晶体口勺几何度量和物理效应常随方向不一样而体现出量上的差异,这种性质称为各向异性。
2.晶格(Crystallattices)
(1)以确定位置的点在空间作有规则H勺排列所具有一定的几何形状,称为晶体格子,筒称为品格。
Fig.8.10The14Bravaisunitcells
3.晶胞(Unitcells)
(1)在晶格中,具有晶体构造,具有代表性的最小单元,称为单元晶胞,简称晶胞。
⑵在品胞中的各结点上的内容必须相似。
(3)晶胞参数晶胞参数:a.6、3、a、氏y
(4)分数坐标用来表达晶胞中质点的位置
例如:简朴立方立方体心立方面心
在分数坐标中,绝对不能出现1,由于1即0。这阐明晶胞是可此前后、左右、卜.下平移的。等价点只需要•种坐标来
表达即可,上述三个晶胞中所含的质点分别为1、2、4,因此分数坐标分别为1组、2组和4组。
(5)晶面指数晶面在三维空间坐标上的截距H勺倒数(力、k、7)来表达晶体中的晶面,称为晶面指数,如立方晶系中
(100),(110),(11D面分别为
(100)(110)
(111)
Fig.8.12SelectedplanesandtheirMillerindicesforcubicsystem
用X-ray的衍射可以测量晶体中的面间距,2drine=〃•入。
d一晶体的面间距,衍射角,〃一衍射级数,入一X-rayH勺波长。
对于立方晶系,面间距(d)晶胞参数(a)之间的关系式:
41k\=a/4h2+k2+>
4.根据晶体中质点内容『、J不一样,晶体可分类成:金属晶体(metalliccrystals)离子晶体(ioniccrystals)、原子晶体
(atomiccrystals)、分子晶体(molecularcrystals)、混合晶体(mixturecrystals)
二、金属键与金属晶体(MetallicBondandMetallicCrystals)
1.金属键理论(Metallicbond)
(1)改性IT'J共价键理论
(2)能带理论(bandtheory)(以分子轨道理论为基础)
(a)能带理论的基本要点
⑴按照分了•轨道理论,把整个金属晶体看作•种大分子,把金属中能级相似的原子轨道线性组合(原子轨道重叠)
起来,成为整个金属晶体共有的若干分子凯道,合称为能带(energyband),即金屈晶体中H勺〃个原子中的每一种能量相等的原子纨
道重登所形成H勺〃个分子轨道,称为一种能带:
Fig.8.15Bandsofmolecularorbitalsinametalcrystal.
Emptylev#
C^tductionband
EmptyEmptv
tevcHk?vcb
/.
Ivimi
levelsBandgap
FilledFilled
lewisIcveUFilledlevels
Valencrband
Fig.8.16Thepartiallyfilledbandof''molecularorbitals“inametal.(Left)Thehighestfilledlevelis
referredtoastheFermilevel.(Right)Theelectronsarefreertomoveinthenowpartiallyfilledlevels,this
propertyaccountsfortheelectricalconductivityofmetals.
Fig.8.17Bandtheoryappliedtosemiconductorsandinsulators.Incontrasttometals,thebandoffilled
levels(thevalenceband)isseparatedfromthebandofemptylevels(theconductionband)byabandgap.The
bandgapcanrangefromjustafewkJ-mol_1to500kJ-mol-1ormore.
(ii)按照分子轨道法,金属晶体中的多原子形成多原子离域键,〃个原子轨道线性组合成〃个分子轨道,其中有。/2个成键分子轨
道,有〃/2个反键分子轨道(图8.15);
(iii)由〃个相似的充斥电子的原子轨道重叠所形成的能带,称为满带(filledband):由〃个相似的未充斥电子的原子轨
道重叠所形成的高能量能带,称为导带(conductionband),能带与能带之间的间隔是电子不能存在的区域,称为禁带
(forbiddenband)0凡无电子的原子轨道重会所形成口勺能带,称为空带(emptybond):凡价电子所在的能带,称为价带
(valenceband)□满带与空带互相重叠,会使满带变成导带(conductionaond)(图8.16,8.17)。
(b)能带理论的应用
(i)可以区别导体、绝^体和半导体——决定于禁带宽度(£)。瓦<0.3eV的物质属于导体,0.3eVV£W3eV的物质属
于半导体,耳25eV/、J物质属于绝缘体。
(ii)可以阐明金属的导电性随电性随温度的升高而减少。这是由于温度升高,金属中的原子或离子振动加剧,电子在导带中跃
迁受到的阻力加大的缘故。
(iii)可以解释金属具有光泽。这是由于金属中的价电子可吸取波长范围,艮广的光子射线而跳到较高能级,当跳回到较低能级
时又可将吸取的光子发射出来的缘故。
2.金属晶体(Metalliccrysluls):
(1)金属晶体是以紧密堆积方式排列,此种排列方式的势能低,晶体较稳定,并且空间运用率大。空间运用率=晶胞中球所占
的体积/晶胞的体枳
(2)平面密堆积(密置单层)
把金属原子看作等径的圆球,按右图方式堆积,此种堆积称为密置单层(图8.18)o在密置单层中,球数:三角形空穴数=1:
2»
证明:在CABCD中,球数=4x(l/4),三角形空穴数=2,故证得。
另证:在正六边形中,三角形空穴数=6,球数=6x(1/3)+1=3,
.•・球数:三角形空穴数=3:6=1:2
Fig.8.18Closest-packingofspheresofonelayer.Fig.8.19Closest-packingofspheresoftwo
layers.
(3)密置双层:第二密置层的球必须排在笫一密置层I向三角形空穴上(图&I9)。
a.密置双层中的空隙种类:
(i)正四面体空隙第一层的三个相切的球。第二层在其三角形空穴上的一种球构成(图8.20);(ii)正八面体空隙第一
层的三个相切的球与第二层的三个相切的球,但上、卜球构成H勺两个三角形方向必须相反(图8.21)。
Fig.8.20Tetrahedralholessresurrounded8.21Octahedralholesinaclosestpacked
structure
byfouratomsarrangedtowardaresurroundedbysixatomsarranged
toward
thecornersofatetrahedronthecornersofanoctahedron
b.证明:球数:正四面体空隙:正八面体空隙=2:2:1
卜.下两层各取四个球(图8.22),其中有两个正四面体空隙(5-1.3:4一6、7、
8),一种正八面体空隙(3—5、2、4、7-6),球数为4x(1/4)+4x(1/4)=2(由于
平行四边形顶点上的球对平行四边形H勺奉献为1/4,即每个顶点上的球为四个平行四边形共享)故证得。
(4)在密置双层上加第三层、第四层……(立体构造)
a.第一种密置措施:第三层与第一层(A层)平行,第四层与第二层(B层)平行,形成》,称为透光
型(或力s型)的六方最紧密堆积(hep,hexagonalclosestpacking)。
(i)晶胞:六方晶胞如图8.23中的实线部分
(ii)晶胞参数:a,c
(iii)球数:正四面体空隙:正八面体空隙=1:2:1
Fig.8.23Hexagonalclosestpacking(ABAB
证明(两种措施)
措施一:A层与B层构成密置双层,因此球数:正四面体空隙:正八面体空隙=2:2:1,而B层与下一种A层又构成密置双层,
因此球数:正四面体空隙:正八面体空隙=2:2:1,即每一层都用了两次或者说每层球对密置双层的奉献为1/2,球
数减半,因此,球数:正四面体空隙:正八面体空隙=1:2:U
措施二:在六方晶胞中,球数=8x(1/8)+1=1+1=2:晶胞内有两个正四面体空隙,c轴的每条棱上均有2个正四面
体空隙(图8.24),因此正四面体空隙=2+8x(1/4)=2+2=4;正八面体空隙=2(图8.25),故球数:
Fig.8.24Thesiteofte:rahedralholesin4typeFig.8.25Thesiteofoctahedral
holesin4type
b.笫二种密置措施:第三层(C层)不与第一层平行,而是盖在一、二两层未复盖的另一组三角形空穴上(图
8.26),第四层与第一层平行,构成ABCABCABC……型,称为不透光型(或4型)的立方面心最紧密堆积。
Fig.8.26Cubicclosestpacking(ABCABC...)
(i)晶胞:立方面心晶胞如图&26中的右图。
(ii)晶胞参数:a
(iii)球数:正四面体空隙:正八面体空隙=1:2:1
证明:立方面心晶胞中,球数=8x(1/8)+6x(1/2)=1+3=4,正四面体空隙有8个,由于立方体的每个顶点
与相邻的三个面心构成一种正四面体空隙(图&27),正八面体空隙有12x(1/4)+1=4,由于体心和每条被H勺棱心都是正八
面体空隙的位置(图8.28),故球数:正四面体空隙:正八面体空隙=4:8:4=1:2:1。
Fig.8.27ThesiteoftetrahedralholesinAttypeFig.8.28Thesitesofoctahedral
holesin儿lype
(5)上述两种最紧密堆积的空间运用率
六方最紧密堆积:
c43
2x—万•厂=五万=74.05%,其中,22
3/t=J(2r)-(-x—x2r)
空间运用率=
(2r)2xsinl20°x2/26V32
/4316一
4X--r——乃•厂rr
———=3=—7T=74.05%
立方面心最紧密堆积:空间运用率
/(2V2r)36
PracticeExercise:怎样计算立方体心Gt)与金刚石型(A.)的空间运用率?
已知晶体的晶胞参数,求晶体的密度,反之,已知晶体密度,求晶胞参数。
SampleExercise:钙具有体心立方晶格,已知密度为19.30g-cm"\试计算钙原子H勺半径。M=183.9
2x183.912x183.9x6
Solution:p=-------------------------=19.30,=3.163A
x6.022x1023xl0-24V19.30x6.022
•••鸽是体心立方,V3«=4r.♦.,・=6/4。=1.37A
离子晶体(IonicCrystals)
1.正、负离子半径比(,//-)与配位数的关系:(对于AB型离子晶体而言)
r./r-配位数构型
20.1553三角形
NO.2254四面体
20.4146八面体
20.7328立方体
112最紧密堆枳
讦明:六配.侍(立方面心)B勺最小半行比(厂/r_)的计算:
从图8.29中可知,2(匕+匚)=J5x2匚几十匚=J5匚
=72-1=0.414
八配位(简朴立方)H勺最小半径比(「•/r-)的计算:
二.立方体边长a=2r-,体对角线为2"++r_)=0。=26r_
八/匚=73-1=0.732
四配位立方体的六个面对角线构成一种上四面体,
立方体H勺中心就是正四面体的中心(图8.27)。
从图8.28中可知:四面体的边长为立方体的面对角线,长为0a,.•.'=6/2,立方体的体对角线长为
2(匚-r_)=V3iz4+r-=y/3a/2
.r.(G-—及
,一=——a-------a/(——a)=-----产—=0n.225
22
r2)1夜
Fig.8.30ThetetrahedronisshownasfourverticesofacubeFig.8.31The(110)faceinFig.
8.30
注意:,/r-数值不是决定配位数的唯一原因,尚有离子极化等原因对配位数发生影响。
2.常见二元离子化合物的经典构造型式
(1)NaCl型晶胞见图8.32
a.构成比(8x』+6x,]:(l2xL+]=
4:4=1:1।
b.负离子堆积方式:立方最紧密堆积:
曲Na*OCP
c.离子坐标
r,,cm—,.n/•i,iv•»
),00),(另,0七,0,3(岭目
M3
邛八心
N1222八2D/I2/
d.正、负离子配位数之比:6:6:
e.正离子所占空隙种类及拥有率:正八面体空隙100%
(2)CsCl型晶胞见图8.33
a.构成比(8xl):l=l:l
b.负离子堆积方式:简朴立方堆积
(1
c.离子坐标cr:(ao,o),cs,:
?2)
crc•••••*•
d.正负离子配位数之比:8:8
e.正离子所占空隙种类及拥有率:立方体空隙100%
⑶立方ZnS型晶胞见图8.34
11
a.构成比Sx-+6x-:4=4:4=1:1
86J
b.负离子堆积方式:立方最
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