微机电系统（MEMS）技术 MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片 编制说明_第1页
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文档简介

《微机电系统（MEMS）技术MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片》一、工作简况1、任务来源2、制定背景一体化多功能复合传感器的主要研究对象是复合信息,这种复合信息包含至少两3、起草过程需修改的内容主要包括：删除准确度参数、pn结和电阻型测温参数和试验方法4、主要参加单位和工作组成员及其所做的工作等二、编制原则、主要内容及其确定依据1）一致性原则本标准的编制原则是对编制过程中所涉及的相关国际2、标准主要内容及其确定依据2.1标准范围2.2标准主要内容2.2标准确定依据三、试验验证的分析、综述报告，技术经济论证，预期的经济效益、社会效益和生态效益1、试验验证的分析、综述报告3.1压敏电阻1234123使用压力控制器对传感器静态校准应在整个输入量程内进行,校准点通常应包括零点和满量程点,并均布取m=6；校准循环取n=3。按照试验方法进行01%FS2%FS3%FS45051021324354657687989温度(℃)温度(℃)出V度%FS0性%FS备注：恒流源1mA供电Uout=0.000025T2+0.00772T+4.134)1)1)2)2)3)3)3-8-8-7-7-7-5-1-1-0-0-8-0594653541313953534031514040497979797123换算温度(℃)1表12压力漂移误差换算温度(℃)0052、预期的经济效益、社会效益和生态效益四、与国际、国外同类标准技术内容的对比情况，或者与测试的国外样品、样机的有关数据对比情况准的缺失严重制约了我国MEMS硅压阻温五、以国际标准为基础的起草情况，以及是否合规引用或者采用国际国外标准，并说明未采用国际标准的原因GB/T2828.1—2012计算抽样检验程GB/T2829—2002周期检验计数抽样程序及表（适用于对过程稳定性的检GB/T18459—2001传感器主要静态性GB/T26111—2023微机电系统（MEMS）技术术语六、与有关法律、行政法规及相关标准的关系七、重大分歧意见的处理经过和依据八、涉及专利的有关说明九、实施国家标

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