2025年中职微电子技术（微电子基础）试题及答案

2025年中职微电子技术（微电子基础）试题及答案

班级______姓名______（考试时间：90分钟满分100分）一、单项选择题（总共10题，每题4分，每题只有一个正确答案）1.以下哪种半导体材料是目前微电子技术中最常用的？A.硅B.锗C.硒D.碳2.半导体的导电能力介于（）之间。A.导体和绝缘体B.超导体和导体C.绝缘体和超导体D.以上都不对3.N型半导体中，多数载流子是（）。A.空穴B.电子C.离子D.质子4.当PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。A.变宽B.变窄C.不变D.不确定5.二极管的正向伏安特性曲线中，死区电压的大小与（）有关。A.材料B.温度C.光照D.以上都是6.三极管工作在放大区时，其发射结（），集电结（）。A.正偏，正偏B.正偏，反偏C.反偏，正偏D.反偏，反偏7.某三极管的β=50，当IB=20μA时，IC约为（）。A.1mAB.2mAC.5mAD.10mA8.集成运放的输入级通常采用（）。A.共射放大电路B.共集放大电路C.差分放大电路D.功率放大电路9.数字电路中，高电平用（）表示。A.0B.1C.-1D.以上都不对10.二进制数1011转换为十进制数是（）。A.9B.10C.11D.12二、多项选择题（总共5题，每题6分，每题至少有两个正确答案）1.以下属于半导体特性的有（）。A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.超导性2.下列关于PN结的说法正确的是（）。A.具有单向导电性B.正向导通时电流较大C.反向截止时电流很小D.是构成半导体器件的基础3.三极管的主要参数包括（）。A.电流放大倍数βB.集电极最大允许电流ICMC.集电极-发射极反向击穿电压U（BR）CEOD.穿透电流ICEO4.集成运放的组成部分有（）。A.输入级B.中间级C.输出级D.偏置电路5.以下属于数字电路基本逻辑门的是（）。A.与门B.或门C.非门D.与非门三、填空题（总共10题，每题2分）1.半导体是一种导电能力介于______和______之间的物质。2.在纯净的半导体中掺入______价元素可形成N型半导体。3.PN结加正向电压时，其电阻______，加反向电压时，其电阻______。4.二极管的主要特性是______。5.三极管工作在饱和区时，发射结______，集电结______。6.集成运放的开环电压放大倍数通常很______。7.数字电路中，逻辑电平的高电平一般用______表示，低电平一般用______表示。8.二进制数1100转换为十进制数是______。9.逻辑代数中的三种基本运算为______、______、______。10.触发器是一种具有______功能的基本逻辑单元。四、简答题（总共3题，每题10分）1.简述半导体的导电机制以及掺杂对半导体导电性能的影响。2.画出三极管共射极放大电路的原理图，并简述其工作原理。3.解释数字电路中与门、或门、非门的逻辑功能，并分别列出其真值表。五、分析题（总共1题，20分）有一个由三极管组成的放大电路，已知三极管的β=40，IB=30μA，VCC=12V，RC=3kΩ，RB=500kΩ。1.计算三极管的IC和UCE。2.若要使放大电路的电压放大倍数增大，可采取哪些措施？（至少列举两种）答案：一、1.A2.A3.B4.B5.D6.B7.A8.C9.B10.C二、1.ABC2.ABCD3.ABCD4.ABCD5.ABC三、1.导体，绝缘体2.五3.很小，很大4.单向导电性5.正偏，正偏6.大7.1，08.129.与，或，非10.记忆四、1.半导体的导电机制：半导体中存在两种载流子，即电子和空穴。在纯净半导体中，电子和空穴的数量相等，导电能力较弱。当掺入杂质后，杂质原子的价电子会与半导体原子形成共价键，若掺入的是五价元素，会多出一个电子成为自由电子，使半导体中电子浓度增加，N型半导体形成；若掺入的是三价元素，会产生一个空穴，使空穴浓度增加，P型半导体形成。掺杂大大增加了半导体中载流子的浓度，从而显著提高了半导体的导电性能。2.原理图略。工作原理：当输入信号ui加到三极管的基极与发射极之间时，会引起基极电流iB的变化，根据三极管的电流放大作用，iB的变化会引起集电极电流iC的更大变化，iC通过RC时会产生电压降uRC，从而在三极管的集电极与发射极之间得到放大了的输出信号uo。3.与门：逻辑功能是只有当所有输入都为高电平时，输出才为高电平，否则输出为低电平。真值表：输入AB，输出Y，000，010，100，111。或门：逻辑功能是只要有一个输入为高电平，输出就为高电平，只有当所有输入都为低电平时，输出才为低电平。真值表：输入AB，输出Y，000，011，101，111。非门：逻辑功能是输入为高电平时，输出为低电平，输入为低电平时，输出为高电平。真值表：输入A，输出Y，01，10。五、