光芯片行业市场分析

光芯片行业市场分析

L数字经济时代瑰宝，光芯片高成长赛道

1.1.半导体重要分支，数据驱动绝佳赛道

光电子技术实现光与电优势互补，系全球半导体应用的重要分支。当

前光子技术传输容量已经被人们充分发掘，但光子计算处理能力仍处

于早期操控阶段。电子技术由于发展时间较长，在运算功能上仍难被

光子取代，在现有技术条件下，各取所长是人类技术发展的必然趋势。

光电子领域已是全球半导体应用重要分支：广泛应用在光通信和消费

电子领域。根据2022年8月全球半导体协会WTI的统计及预测数据,

2022年光电子市场空间约435亿美元，在半导体四大分支排名第二,

约占7%的空间。

光通信应用是光电子产业链的重要分支。根据《中国光电子器件产业

技术发展路线图2018-2022》，光电子器件是利用电■光子转换效应

制成的各种功能器件。从光电子器件的应用看，主要包括用于通信领

域的光通信器件和光纤光缆，显示领域的显示面板、OLED显示面板,

用于照明领域的LED照明芯片/模块等光照明器件，以及应用于传感

领域的图像传感器等光传感器件。其中，按利用光的属性区分（信息

传输属性和能量属性），光通信、光传感均属于信息光子，光照明、

光显示均属于能量光子。

光通信芯片是伴随流量增长的绝佳赛道。根据Omdia预测，综合蜂

窝网，有线接入和W市等三种接入渠道统计，全球总网络流量

2019-2024年复合增长率28%,预计至U2024年，全球流量将达到

576万PB。在流量增长的需求带动下，通信基础设施如数据中心、

电信传输网光口速率、密度不断提升。目前，无线接入网已经从10G

转向25G,城域网线路侧也从10GDWDM到目前将大量采用100G

相干高速率端口，领先的云厂商数据中心光芯片从25G逐渐向

50G/100G/200G速率进行升级。流量应用端带来的需求增长是光通

信芯片发展的核心驱动因素。

图4:光通信是光电X件上委应用领域

光芯片是光通信核心元件，广泛应用于光收发模块中。光芯片属主要

应用于光通信系统的发射和接收端，实现光电信号的相互转化，可分

为激光器芯片和探测器芯片。激光器芯片主要实现电信号转换为光信

号，探测器芯片则将光信号还原为电信号c具体地，光芯片广泛应用

于光收发模块中。

制作工序上百道，行业以IDM模式为主。GaAs、InP等三五族半导

体材料。由于三五族半导体材料并不如集成电路可大规模标准化使用,

而是需要很多产线、工艺的Knowhow积累，因此各家光芯片厂商的

制作方案各不相同。但大体的制造流程，主要需要经过四大步骤：购

买衬底-外延生长-后端工艺・测试封装。光芯片厂商主要向成熟的磷化

钢、加化像衬底厂商购买衬底。接下来主要是光芯片厂商自己的设计

和生产工序。以常见的RWGDFB激光器芯片为例，主要流程可以用

两次外延、四次光刻与刻蚀、掩膜层制备、两次金属电极制备，以及

减薄、解理、镀膜、耦合封装等工艺，加上各个流程中材料准备、仪

器调整、清洁等辅助流程，25GDFB激光器生产工序超过280道，

而中低速率激光器也需要200-230道工序。光芯片厂商在每个步骤

的差距，都会导致最终产品巨大数量级的影响。为此，除了少数玩家，

国内专业光芯片厂商、光芯片模块厂商通常采用IDM模式。

1.2,材料与结构各异，市场规模约14亿美金

光芯片类别较多，可从材料和结构两维度进行区分。光芯片属于半导

体激光器/探测器，从结构看，激光器常用的结构有面发射结构的

VCSEL,和边发射(EEL)的FP、DFB和EML,发光材料衬底主要有

InP和GaAs。而目前商用的探测器主要结构有PIN、APD两种，材

料体系较为多样，Si/Ge/LnP均是可选用的材料。

光发射芯片种类较多，应用场景各异。其中，VCSEL主要应用于短

距离传输，成本、功耗较低，在数据中心内数百米内占统治地位，已

经得到广泛使用；FP是多纵模激射的激光器，主要应用于GPON、

EPON等低速率接入场景，工艺已比较成熟；DFB主要在FP上进行

改进，使得实现单波长的出射，主要应用于中短距离较高速率的固定

接入网和无线接入网，25GDFB是目前广泛应用在基站前传、中传的

主力光芯片；EML由于在LnP上集成了DFB激光器和外调制器，需

要两次或多次外延，工艺难，良率低，但其调制和发射性能较好，可

以广泛应用在10km以上的城域网、传输网等。

图7：材料与结构在光电转换技术中十分重要

光

收

发

芯

片

光接收芯片按内部结构分，可分为PN结构、PIN结构和APD结构。

其中，PN结构由于性能不突出，普遍被性能更好的PIN结构广泛代

替。PIN主要应用于短距离（2km以下），成本较低；而APD由于

可实现光子的雪崩倍增现象，对光电探测灵敏度有很大提升，但由于

成本较为昂贵，广泛应用于中长距离如城域网、5G中回传等场景。

光收发芯片约占光模块20%-25%的成本，光发射芯片价值量较大。

在主要的应用场景光模块中，以典型的100GCWDM4光模块成本为

例，普遍采用四通道25G速率的LD芯片和PD芯片（或芯片阵列），

光芯片约占总成本23%,其中，我们预计光发射芯片占比BOM成本

达到20%,探测器芯片约占比3%。

采用成本占比法谨慎测算下，全球光芯片市场约14亿美金。我们采

用较为谨慎的测算方法，过程如下：采用光模块市场规模x光模块营

业成本X光芯片成本占比测算。1）.光模块市场规模采用Lightcounting

预测值;2.光模块平均毛利率30%；3.考虑光芯片在成本中占比20%o

测算下2022年全球约14亿美金，2026年将快速上升到23.2亿美

金。

图9:全球光芯片市场规模约14亿美金

・光芯片市场也根（亿美元）

1.3,面向全球竞争，高端亟需突破

光芯片属于光通信产业最上游，是不可或缺的环节。光芯片是下游有

源器件、光模块中必不可少的元件。国内厂商按覆盖环节主要分专业

光芯片厂商和光芯片模块综合厂商。其中，专业光芯片企业包括源杰

科技、武汉敏芯、中科光芯、光安伦、云岭光电、仕佳光子等；而综

合光芯片模块厂商包括光迅科技、海信宽带、华为海思等。

高端光芯片国产供给与下游需求错配。需求侧，下游光通信模块、设

备厂商在全球份额市占率已经较高。以模块为例，根据Lightcounting

统计2021年前十模块供应商中，我国模块厂商占了5家。此外，2021

年87亿美金的全球光模块销售额中，我国模块供应商占比超过一半

以上。上下游的供需错配将成为我国光芯片产业持久的发展动力。

绝大多数模块厂商并不具备光芯片研发自给能力，需要国内产业链的

大力支持。国内仅少数模块厂商如光迅科技、华为海思、海信宽带、

华工止源等具备光芯片研发和生产能力，绝大部分厂商需要依赖外部

合作或者海外光芯片供应商的长期供应。对于大多数模块厂商而言，

当前时点自研光芯片投入大，短期产出缓慢，亟需国内产业链的大力

支持。

本土光芯片将参与全球竞争，成长不止于国产替代。除了下游国内模

块厂商市占率已经较高以外，由于我国具备人口红利、工程师红利和

市场红利等三大红利优势，全球海外知名模块厂商均在我国拥有办事

处、产能、代工厂或销售服务部门，这也意味着，本土的光芯片企业

不仅有机会参与到国内客户的供应链，也有接触海外客户的机遇。

表4:众多海外知名厂商均在我国速立有产能或服务网点

主要企业产能或服务网点

AOI宁波、中国台湾等

Intel泰国、中山等

Lumentum中国、秦国等

索尔斯成都等

Macom泰国、中国等

Finisar无锡，马来西亚等

1.4.高速模块增长，国产切入量价齐升

高速率模块以多通道为主，高速芯片需求成倍数增长。100G以上高

速率模块普遍采用四通道或八通道方案。例如，400GDR4将采用4

个100G的光芯片，100GCWDM4将采用4个25G的光芯片，

800GDR8将采用8个100G的光芯片。因此，随着未来光模块市场

高速率占比提升，带来的高端光芯片用量将是4倍、8倍的增长。

100G以上模块贡献增量，高速芯片用量快速提升。根据Light

counting对电信市场和数通市场的统计，100G以上模块占比市场规

模将继续提升，电信市场2022年将有超过一半的模块是100G以上,

数通市场则在2018年已经有超过一半的模块市场是100G以上模块

带动的。我们认为，高速率模块在电信、数通市场的广泛应用，将带

动高端光芯片用量的快速提升。

图15:数据中心市场100G以上模块占比提升

芯片速率越高，价值量水平更好。市场上按光芯片速率分，可分为

2.5G、10G、25G、50G、100G等主流速率的芯片。一般而言，速

率越高，芯片的制作难度越大，供应商也相对较少，价格更高。以源

杰招股书披露的数据为例,2.5G芯片平均价格在3元左右，但10G、

25G芯片的价格是其3-4倍，甚至接近10倍。同时，最高端的

100GEML一颗可达十几美金以上，这也意味着，高速率芯片不仅需

求量跟随高速模块提升，使用的单个模块的芯片价值量也在成倍提升。

国内光芯片厂商产品结构正向高端切换，有望迎来量价齐升。国内厂

商平均产品结构主要为2.5G和10G,海外厂商的产品结构主要为

25G及以上更高速率的光芯片。对于国内厂商而言，产品结构将在高

端突破的过程中不断优化，单位芯片价值量有望快速提升。同时整体

光芯片需求量每年都有10%-20%的增长，国内厂商处于绝佳的量价

齐升的上升期。

2.国产高端突破主旋律，新应用领域正快速扩展

光芯片应用场景主要分三大类。三大场景包括4G/5G无线网络，固

定宽带网络，数据中心场景。光芯片的市场增长中，一是跟随下游光

模块的用量走，二是跟随高价值量芯片最集中的场景。从发展历史看，

光纤接入市场由于贴近家庭、企业用户，光模块需求量上亿，是全球

用量最大的场景；数据中心则是高端、高价值量芯片最集中的场景，

当前广泛应用的100G/200G/400G/800G模块需要大量的

25G/50G/100G光芯片•，合计达到数千万量级，也是值得重视的市场。

移动通信市场前传达到千万量级，中回传达到百万量级，技术难度较

高，属于需要继续突破的市场。

我们认为光纤接入和数据中心两个场景将在2023-2025年迎来较为

明显的确定性机遇。边际上，光纤接入场景迎来国内外10GPON升

级，家庭端和运营商机房局端将迎来明显机会。数通场景是传统的高

端光芯片主力市场，长期被日本、美国芯片厂商垄断，也是国内产业

链往高端突破绕不开的路。移动通信市场周期性较强，以较为成熟的

10G、25G为主，市场有望平稳发展。

2.1.光纤接入：全球景气周期，10GPON升级明确

光纤接入网络是家庭宽带用户上网的主要承载网络。通常网络使用光

纤从运营商机房局端设备连接到光分路器，冉进入到家庭用户的光猫

处，其中在局端设备侧将大量使用到OLT光模块，以及在家庭用户

光猫中的ONU光模块。局端设备侧光模块通常采用适合高速率、大

功率、长距离传输的EML芯片，价值量较高，而家庭用户侧通常采

用DFB芯片。

图20:光纤接入网络中光芯片应用在OLT光模块和ONI光模块中

机房AS（局端）家庭便

仙・

光纤接入市场光模块用量以亿为量级，也是光芯片用量最多的场景。

根据Omdia统计，终端ONU、OLT模块每年需求量在数亿量级。运

营商局端OLT侧,我们考虑单个PONOLT模块中含有1个光芯片•（少

数模块例如ComboPONOLT模块需要向下兼容以往的GPON,拥有

不同波长的2个光芯片），考虑OLT端口每年全球约千万量级；而

ONU端考虑每年出货量有望达到2亿片，则OLT和ONU全球FTTH

光芯片用量加总大致在2-3亿片，是光芯片用量最多的场景。

10GPON升级景气度高，可展望2-3年高景气。局端（运营商机房）

提供高速上网能力，需要运营商提前部署：根据2022年11月工信

部数据，我国10GPON端口超过1400万个，大概渗透率达到存量

PON端口的1/3；而家庭端需要家庭用户自身选择是否更换上网套餐

和网关设备，千兆用户数达到约8707万个,大概占5亿家庭用户15%o

从渗透率角度看，我们预计2023-2025年仍将是国内10GPON升级

渗透的景气周期。

海外光纤网络建设迅猛，全球各地区加大投入。疫情爆发后，欧洲、

北美、发展中国家及地区大力投入宽带网络设施建设。根据FTTH

GlobalAlliance的数据，2021年9月的数据显示，墨西哥渗透率仅

19.6%,而美国的渗透率仅21.5%。根据欧洲FTTHCouncilEurope

发布的2021年9月数据，欧盟27国光纤覆盖率约48.5%,欧盟39

国光纤覆盖率约57.0%,而光纤服务订阅者比覆盖率更低。而根据《中

国宽带白皮书2021》,我国光纤接入用户FTTH/O已经超过4.8亿

户，在固定宽带用户中占比94.1%。对比而言，欧洲、北美光纤覆盖

渗透率提升还有很大空间。

北美XGS-PON未来有望高增长。根据DeirOroGroup分析，

2019-2022年北美地区XGS-PONOLT端口出货量增长2231%,从

2019年的3.2万个跃升至2022年的74.8万个。如果供应链问题得

到解决，2022年的出货量数字或将更高。

我国设备商占比较高，国内光芯片产业链有望受益。根据

Omdia2022Q1统计，滚动一年中PON设备市场华为市占率达到

36%,中兴占比22%,烽火占比6%,中国设备商占比超过60%以

上。考虑下游市占率较高的前提下，国内的光芯片产业链有望持续受

益。

图26:我国华为、中兴、蜂火在PON设备市场占比较高(21QA22Q1)

Nokia

20%

光纤接入市场以2.5G和10G芯片为主，国产化水平已经较高。根据

ICC数据，2.5G及以下市场，国内光芯片企业如源杰、敏芯、中科

光芯、仕佳、光安伦等已经占据主要市场份额。公司主要以差异化竞

争，面向附加值更高的1270nm/1490nm为主，所以发货量排名不占

领先地位。10G光芯片市场中我国光芯片企业已经基本掌握核心技术,

根据ICC统计，全球10GDFB市场中公司占比20%,已经超过住友

电工、三菱电机等。

2.2.数据中心：光芯片技术高地，国产化空间大

海外云厂商持续升级，100G/400G模块升级至800G/1.6T。海外互

联网厂商如Meta、Google.Amazon等拥有规模较大、技术先进的

数据中心集群，是每一轮光模块速率升级需求最先出现的地方。当前,

根据800GMSA白皮书,2022-2023年海外北美市场对光模块速率需

求从200G/400G升级到800Go考虑到高速率模块通常采用多通道

方案，意味着50G、100G光芯片用量将快速提升。

该领域海外企业历史悠久，先发优势明显。25G以上高速率芯片目前

几乎全部由海外厂商供应，主要有博通、Lumentum、三菱、AOK

住友、Macom等，其中欧美的厂商主要通过收并购核心资产的方式

发展激光器业务，而日本厂商主要通过自身研发传承，因此两类企业

主要的激光器业务部门历史都较长，先发优势较为明显。

海外厂商在激光器前沿持续创新能力强。在OFC2020,多家欧美日

厂商均公布其前沿的激光器研究成果，主要方向为高速率和PAM4

调制来提升单通道速率，主要厂家有II-VL博通、NTT等厂商。国

内厂商当前速率仍主要在10G-25G领域，仍有很大的追赶空间。

国内厂商数通领域份额高，上游光芯片国产化空间较大。根据Omdia

数据•，我国模块厂商中际旭创、光迅科技、华工科技、新易盛等均在

全球数通市场占据较好份额。此外，海外模块厂商均在国内有办事处

或产能，本土光芯片企业可以实现本土化服务，国产化空间较大。

图30：我国模块厂商在数通市场市占率较高(21Q2-22Q1)

2.3.移动通信：前传国产应用广泛，中回传仍需突破

5G光模块速率较4G时代有明显提升。2020年起，我国5G网络开

始规模建设。其中，5G网络结构可大致分为前传、中回传，其中前

传传输距离一般在10km以内，主要是基站侧和机房的连接，4G时

代普遍采用10G光模块，当前主要使用10G/25G的光模块，未来有

望升级到50G。中回传速率要求比较高，主要是汇聚层或核心网络层

级的长距离连接，通常需要的模块速率达到100G及以上。

为高效利用已有光纤资源，前传波分复用方案部署规模扩大。当前

5G前传主要有四种波分方案，分别为CWDM、LWDM、MWDM和

DWDM可调谐。其中，CWDM实际上在4G时代也已经逐渐使用，

4G大量采用的仍是光纤直驱方案，仅采用少量CWDM；但5G时代

为了提升系统容量，业务光波长的间隔逐渐减少或者产生偏移，产生

如LWDM、MWDM等应用于前传的种类，，需要产业链尤其是光芯

片上游进行快速的印发和量产来进行配合。当前，由于可以复用已有

的产业链，CWDM、MWDM、LWDM应用进展较快，25G波分侧芯

片需求量不断上升。

产业协作下,25G前传光芯片国产厂商基本覆盖,成为良好替代机遇。

在5G建设早期，国内主要使用10G超频等方案进行过渡，而在国

内三大运营商提出四种主流彩光方案后，国内产业链协作不断加深,

模块厂与芯片厂的互动更加频繁，使得大陆众多领先光芯片厂商均在

短时间内可参加送样、测试和量产的全流程，打破了主要由日本等厂

商把持高速率芯片和组件的格局,25G前传光芯片有望成为国内高端

芯片崛起和高端替代的良好机遇。

表8:彩光方案光发射芯片国内厂商基本实现覆盖（包括已报道样品）

前传方案光发射芯片供应商光探测芯片供应商

源杰、光迅、敏芯、

灰光GCS、Sifb.敏芯等

Lumcntum.三支

Macom.源杰.敏芯.

CVVDM6波Lumcntum.住友、艾悦先GCS、Sifb*敏芯等

电

双杰、敏芯、Uscnlight«光

1ANDM12波GCS、Sifb»敏芯等

安伦、艾就光电、Macom

源杰、敏芯、Uscnlight.光GCS、Sifb.敢芯、

MWDM12波

安伦、艾脱光电、Ma8mAlbis等

可调：海思、海信

DWDM12波GCS、Sifb»敏芯等

定波：住友、Finisar等

中回传光芯片难度大，国内厂商有望突破。中回传光模块通常传输距

离超过10km,最高达到40或80km,且传输速率往往大于100G,

需要采用25GBaud及以上速率EML芯片或者高波特率的探测器芯

片。中回传接收端却发射端要求芯片产品性能好•，但技术难度较大,

而且电信级应用对可靠性要求较高，国产化率也较低。

2.4.集成光学：大功率DFB应用伊始，当前标准仍在制定

硅光应用现有成熟的CMOS工艺进行光器件开发和集成，在光模块

领域应用逐渐广泛。硅光的特点是可以实现高密度的光电集成，然后

通过类似芯片一样的大规模生产，持续降低模块生产成本，与传统模

块相比具备更高的成本优势。据Lightcounting预测，硅光模块有望

在2024年全球销售额超过40亿美金。

大功率DFB激光器是随硅光模块兴起的新应用需求。在实际BOM

成本中，硅光方案的光模块主要应用高速率的光模块，如400G/800G

等，其优势在于可以将多通道的器件元件进行集成，大幅降低多通道

模块的尺寸和体积，适应交换机端口更加密集的要求。由于硅自身能

级结构的原因，天然无法高效率发光，因此目前主要有两种方案c一

种为在硅光芯片上异质集成激光器，这种方案依赖于自有晶圆工厂，

绝大部分模块器件厂商不具备这样的能力；另一种是将连续发光的

DFB激光器通过外部耦合的方法导入硅光芯片，其中的关键点在于

提高耦合效率和弥补硅光的损耗，往往需要大功率、小发散角、宽工

作温度的DFB激光器。

共封装光学系统有望是硅光技术的进一步延续，同样提出高功率、低

噪声、低功耗的要求。OIF组织以及在CPO标准化下做了不少工作，

定义了1个3.2T的光模块，可用于最终51.2T容量的CPO。2021

年光通信行业组织发布了《CW-WDMMSATechnicalSpecifications

Rev1.0»,其对硅基高密度共封装光学等外置光源应用进行了初步

的规范，同样要求外置激光器光源满足单模、高功率、低噪声、低功

耗、连续稳定工作。

2.5.激光雷达：1550DTOF和FMCW路径应用广泛

汽车激光雷达产业蓬勃发展，市场规模有望不断扩大。当前，汽车正

进入更高阶智能驾驶阶段，作为传感器的激光雷达因为探测精度高具

有广泛应用前景。根据Yole最新报告分析，当前激光雷达主要应用

领域有汽车ADAS、自动驾驶汽车，工厂自动化、智慧建筑、风能,

地理探测等领域。其中，应用在汽车领域的激光雷达市场规模有望从

2020年的2600万美元，快速增长到2026年的23亿美元，年复合

增长率有望达到94%o

图39:25G以上或采用波分的前传模块占比持续提升

TopographyLogistics2026

OWind•Roboticcars$5.7B

•ManufacturingADASyoM//

多种技术路径并存，当前发射和接收端成本占比约40%-50%。当前，

激光雷达技术路径较多，各家厂商路径不一，但大致可以分为发射端、

接收端和扫描端。根据SystemPlus拆解，Livox激光雷达成本中，

激光二极管、光电二极管大致占比成本约11%；而在SystemPlus对

另一款MEMS激光雷达拆解中，发射端（包含激光器、振镜）、接

收端（探测器芯片、Asic芯片）等大致合计占比成本约40%・50%。

激光雷达1550波长方案性能优良，有望随着产业链成熟上量。发射

端技术方案较多，但若按使用的光波长来划分，主要分为905nm,

1550nm.根据Yole2021年汽车和工业应用激光雷达的报告，905nm

激光雷达是当前主流，大致占比69%；而1550nm方案紧随第二，

占比约14%。1550方案和905方案各有优劣。虽然当前上车方案占

比暂时不高，但1550波长因为对人眼无害、抗干扰能力强，被认为

在未来有广泛的应用前景。目前，全球Luminar,图达通、一径科技、

镭神等是采用1550波长的知名激光雷达厂商，同时其他主流激光雷

达厂商也有报道投入到1550方案的研究中。

1550nmdToF方案需使用磷化锢材料体系的激光器和探测器，光通

信芯片厂商切入有明显优势。由于1550波长也是光通信里应用广泛

的通信波段，主要基于的发光材料体系为磷化钿（LnP）,封装形式

可为TO、蝶形等。发射端，为实现大功率、远距离探测，1550nm

当前主要采用光纤激光器方案，其主要由种子源、泵浦源、合束器、

增益光纤等组成，具有输出功率高、光束质量好、速度快的优点c其

中，种子源模组主要用脉冲式DFB激光器芯片。探测端，1550nm

近红外波段可使用InGaAs近红外探测器，光通信芯片厂商也较为熟

悉。我们认为，在1550nm方案逐渐发展的背景下，源杰切入该赛道，

具有较大的技术积累优势。

大功率、窄线宽、高频谱线性度的DFB激光器有望应用到FMCW激

光雷达。FMCW激光雷达主要依赖光学的相干探测原理，通过傅里

叶变换获得距离和速度两个参数。由十采用频率变化的原理获得参数,

需要采用高度线性化、窄线宽、大功率的激光器，才能满足相应要求。

同时FMCW芯片通常采用硅光集成方案，与硅光模块结构也有相通

之处。

图46：FMCW通常使用硅光集成的方法，使用大功

率DFB有相通之处.

FMDFB

laser

3.重点公司分析

3.1.光迅科技：全球领先的全链条厂商

光迅科技是全球领先的光通信器件及系统解决方案供应商，也是我国

光电产业稀缺的产品能力覆盖芯片、器件、模块、子系统的全链条供

应商。公司前身是我国邮电部固体器件研究所，自2001年成立以来，

一直专注于我国核心光电器件的研发，多次承担国家重点科研攻坚项

目，有能力对光电子器件进行系统性、战略性研究开发。公司2009

年在深交所挂牌上市，是国内首家上市的光电子器件企业。公司产品

囊括各类有源、无源光器件及子系统解决方案。从应用领域看，电信

市场公司产品囊括接入网、汇聚网、核心网、骨干网等各类场景，数

通市场产品包括主流的10G/40G、100G、400G等各速率光模块解

决方案。

兼具无源和有源光芯片能力，多领域实现芯片自给。公司芯片能力发

展历史悠久，一方面通过2013年收购海外芯片厂商IPX及2016年

收购Almae,获得了核心的AWG、PLC无源芯片及InP基EML、

DFB有源芯片能力，另一方面通过自研及国家光电子创新中心合作

研发，已经形成较强的技术储备，当前公司10G及以下速率光芯片

已经十分成熟，25GVCSEL.DFB已得到广泛应用。光纤接入领域

10GEML已经应用于10GPONOLT模块中，移动通信领域

10G/25GDFB已实现大部分自给，数通领域25GVCSEL等也实现自

用。根据公司交流纪要，内部应用的光芯片换算成销售额大致为5-6

亿元。此外，公司凭借原有技术能力，自2022年起进军激光雷达领

域，并在2022年下半年发布一系列1550车载用激光器和探测器芯

片。

图49：光迅发布车规级应用系列光芯片

1550DFB