有研科技术支持工程师考试题库含答案

2026年有研科技术支持工程师考试题库含答案一、单选题（每题2分，共20题）1.在半导体制造过程中，以下哪种设备主要用于晶圆的化学机械抛光（CMP）？A.光刻机B.腐蚀刻蚀机C.气相沉积设备D.化学机械抛光机2.有研科某型号的真空炉在加热过程中出现温度均匀性差的问题，可能的原因是？A.加热元件老化B.真空度不足C.温控器故障D.以上都是3.在半导体封装测试中，以下哪种材料常用于引线键合的导电材料？A.铜线B.银线C.金线D.铝线4.有研科某型号的磁控溅射设备在溅射过程中出现膜层厚度不均，可能的原因是？A.阴极靶材磨损不均B.气体流量不稳定C.工作距离不当D.以上都是5.在半导体设备维护中，以下哪种方法不属于预防性维护？A.定期更换滤芯B.润滑轴承C.紧急故障处理D.清洁真空管道6.有研科某型号的薄膜沉积设备在运行过程中出现沉积速率下降，可能的原因是？A.沉积源堵塞B.工作气压过高C.热源功率不足D.以上都是7.在半导体设备调试过程中，以下哪种参数不属于设备初始设置的关键项？A.温度曲线B.气体流量C.真空度D.操作人员姓名8.有研科某型号的刻蚀设备在刻蚀过程中出现侧蚀严重，可能的原因是？A.刻蚀气体配比不当B.刻蚀速率过高C.工作温度过低D.以上都是9.在半导体设备故障诊断中，以下哪种方法不属于逻辑分析法？A.逐步排查法B.替换法C.参数比对法D.猜测法10.有研科某型号的等离子清洗设备在清洗过程中出现清洗效果差，可能的原因是？A.清洗气体选择不当B.清洗时间过短C.等离子功率不足D.以上都是二、多选题（每题3分，共10题）1.有研科某型号的半导体光刻设备在曝光过程中出现分辨率下降，可能的原因包括？A.光源老化B.镜头污染C.曝光剂量不当D.聚焦误差2.在半导体设备维护中，以下哪些属于日常维护工作？A.检查设备运行状态B.更换易损件C.记录运行参数D.进行设备校准3.有研科某型号的薄膜沉积设备在沉积过程中出现膜层针孔，可能的原因包括？A.沉积源污染B.工作温度过高C.气体纯度不足D.基板清洁不彻底4.在半导体设备故障诊断中，以下哪些方法属于有效的方法？A.参数分析法B.信号追踪法C.隔离法D.猜测法5.有研科某型号的刻蚀设备在刻蚀过程中出现刻蚀速率不稳定，可能的原因包括？A.刻蚀气体流量波动B.刻蚀腔体漏气C.等离子功率不稳定D.工作温度变化6.在半导体设备调试过程中，以下哪些参数需要重点设置？A.温度曲线B.气体流量C.真空度D.操作界面语言7.有研科某型号的等离子清洗设备在清洗过程中出现清洗不彻底，可能的原因包括？A.清洗气体选择不当B.清洗时间过短C.等离子功率不足D.基板表面污染严重8.在半导体设备维护中，以下哪些属于关键部件？A.加热元件B.真空泵C.控制器D.风扇9.有研科某型号的薄膜沉积设备在沉积过程中出现膜层厚度偏差，可能的原因包括？A.基板放置不均匀B.沉积源堵塞C.工作距离不当D.气体流量不匹配10.在半导体设备故障诊断中，以下哪些属于常见故障类型？A.设备无法启动B.运行参数异常C.膜层质量差D.设备报警三、判断题（每题1分，共10题）1.半导体设备的真空度越高，对薄膜沉积的质量越好。（×）2.化学机械抛光（CMP）可以有效去除晶圆表面的划痕。（√）3.有研科某型号的等离子清洗设备在清洗过程中必须使用高纯度气体。（√）4.半导体设备的刻蚀速率越高，刻蚀效果越好。（×）5.光刻机的分辨率越高，曝光效果越好。（√）6.有研科某型号的薄膜沉积设备在沉积过程中必须保持恒温恒压。（√）7.半导体设备的维护工作只需要定期更换滤芯即可。（×）8.刻蚀设备的侧蚀严重会导致膜层厚度不均。（√）9.有研科某型号的等离子清洗设备在清洗过程中必须使用高功率。（×）10.半导体设备的故障诊断只需要依靠经验判断。（×）四、简答题（每题5分，共5题）1.简述有研科某型号的薄膜沉积设备在沉积过程中出现膜层针孔的可能原因及解决方法。答：-可能原因：沉积源污染、工作温度过高、气体纯度不足、基板清洁不彻底。-解决方法：定期清洁沉积源、优化工作温度、使用高纯度气体、确保基板清洁。2.简述有研科某型号的刻蚀设备在刻蚀过程中出现刻蚀速率不稳定的原因及解决方法。答：-可能原因：刻蚀气体流量波动、刻蚀腔体漏气、等离子功率不稳定、工作温度变化。-解决方法：稳定气体流量、检查腔体密封性、校准功率控制、保持工作温度稳定。3.简述有研科某型号的等离子清洗设备在清洗过程中出现清洗不彻底的原因及解决方法。答：-可能原因：清洗气体选择不当、清洗时间过短、等离子功率不足、基板表面污染严重。-解决方法：优化清洗气体配比、延长清洗时间、提高等离子功率、加强基板预处理。4.简述有研科某型号的薄膜沉积设备在沉积过程中出现膜层厚度偏差的原因及解决方法。答：-可能原因：基板放置不均匀、沉积源堵塞、工作距离不当、气体流量不匹配。-解决方法：确保基板均匀放置、定期清洁沉积源、调整工作距离、优化气体流量。5.简述有研科某型号的刻蚀设备在刻蚀过程中出现侧蚀严重的原因及解决方法。答：-可能原因：刻蚀气体配比不当、刻蚀速率过高、工作温度过低。-解决方法：优化刻蚀气体配比、降低刻蚀速率、提高工作温度。五、论述题（每题10分，共2题）1.论述有研科某型号的半导体光刻设备在曝光过程中出现分辨率下降的原因及解决方法。答：-可能原因：光源老化、镜头污染、曝光剂量不当、聚焦误差。-解决方法：更换光源、清洁镜头、优化曝光剂量、校准聚焦系统。-预防措施：定期维护设备、使用高纯度材料、加强参数监控。2.论述有研科某型号的薄膜沉积设备在沉积过程中出现膜层厚度不均的原因及解决方法。答：-可能原因：沉积源堵塞、工作距离不当、气体流量不匹配、基板放置不均匀。-解决方法：定期清洁沉积源、调整工作距离、优化气体流量、确保基板均匀放置。-预防措施：加强设备日常维护、使用高精度控制设备、优化工艺参数。答案与解析一、单选题1.D2.D3.C4.D5.C6.D7.D8.D9.D10.D二、多选题1.ABCD2.ABCD3.ABCD4.ABC5.ABCD6.ABCD7.ABCD8.ABCD9.ABCD10.ABCD三、判断题1.×2