2025年海量高质量《模拟电子技术》期末试卷附答案

2025年海量高质量《模拟电子技术》期末试卷附答案一、单项选择题（每小题2分，共20分）1.当环境温度升高时，硅二极管的正向导通压降将（）。A.增大B.减小C.不变D.先增后减2.某NPN型三极管在放大电路中测得三个电极电位分别为：U_B=2.7V，U_C=5V，U_E=2V，则该管工作在（）。A.截止区B.饱和区C.放大区D.击穿区3.共集电极放大电路的主要特点是（）。A.电压增益高、输入电阻小B.电压增益近似为1、输入电阻大C.电压增益高、输出电阻大D.电压增益近似为-1、输出电阻小4.集成运算放大器的输入级采用差分放大电路，主要目的是（）。A.提高电压增益B.增大输出功率C.抑制零点漂移D.降低功耗5.某放大电路引入电压串联负反馈后，其输入电阻和输出电阻的变化为（）。A.输入电阻增大，输出电阻减小B.输入电阻减小，输出电阻增大C.输入电阻和输出电阻均增大D.输入电阻和输出电阻均减小6.互补对称功率放大电路（OCL）的最大效率约为（）。A.25%B.50%C.78.5%D.90%7.用集成运放构成的反相比例运算电路中，若输入电阻为R1，反馈电阻为Rf，则闭环电压增益Auf=（）。A.Rf/R1B.-Rf/R1C.1+Rf/R1D.-18.某RC桥式正弦波振荡电路中，若RC串并联选频网络的谐振频率为f0，则放大电路的电压增益需满足（）。A.|Au|≥3B.|Au|≤3C.|Au|≥1D.|Au|≤19.稳压二极管正常工作时应处于（）。A.正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区D.死区10.差分放大电路中，若两个输入信号分别为ui1=5mV，ui2=3mV，则差模输入信号uid=（），共模输入信号uic=（）。A.2mV，4mVB.4mV，2mVC.8mV，1mVD.1mV，8mV二、填空题（每空2分，共20分）1.半导体二极管的主要特性是__________，其正向导通时硅管压降约为__________V。2.三极管实现电流放大的内部条件是发射区掺杂浓度高、基区__________且掺杂浓度低、集电区面积大。3.放大电路的频率特性包括幅频特性和__________特性，通频带是指增益下降至中频增益的__________倍时对应的频率范围。4.集成运放的理想化条件包括开环差模增益Aud→∞、差模输入电阻rid→∞、输出电阻ro→__________、共模抑制比KCMR→__________。5.负反馈放大电路产生自激振荡的条件是环路增益AF=__________，即幅值条件|AF|=1且相位条件φA+φF=__________。三、分析计算题（共60分）1.（15分）图1所示为二极管限幅电路，已知输入电压ui=10sinωt（V），二极管为理想二极管（导通压降为0），试：（1）分析当ui>5V时二极管D的工作状态；（2）画出输出电压uo的波形（标注关键幅值）；（3）若将D反接，输出波形如何变化？图1：二极管限幅电路（电源V=5V，电阻R与二极管串联后接输入ui，输出uo取自二极管与电阻之间）2.（15分）图2所示为分压式偏置共发射极放大电路，已知VCC=12V，RB1=30kΩ，RB2=10kΩ，RC=3kΩ，RE=2kΩ，RL=3kΩ，三极管β=50，UBE=0.7V，rbb’=200Ω。试：（1）计算静态工作点Q（IBQ、ICQ、UCEQ）；（2）画出微变等效电路；（3）计算电压增益Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro。图2：分压式偏置共射放大电路（RB1与RB2串联分压接基极，RE并联旁路电容CE）3.（15分）图3所示为集成运放构成的运算电路，已知R1=10kΩ，R2=20kΩ，R3=10kΩ，Rf=40kΩ，ui1=0.5V，ui2=0.3V，运放为理想运放。试：（1）判断运放A1、A2的电路类型；（2）计算输出电压uo1和uo2；（3）若R3开路，uo2如何变化？图3：运放电路（A1为反相输入，A2为同相输入，A1输出接A2同相端，A2反相端通过R3接地，反馈电阻Rf接A2输出到反相端）4.（15分）图4所示为交流负反馈放大电路，试：（1）判断反馈类型（说明输出取样方式、输入比较方式及反馈极性）；（2）写出闭环电压增益Auf的近似表达式（设满足深度负反馈条件）；（3）若希望稳定输出电流并提高输入电阻，应引入何种类型的反馈？图4：反馈放大电路（输出电压通过电阻Rf反馈到输入级三极管的发射极，输入信号接基极）答案一、单项选择题1.B2.C3.B4.C5.A6.C7.B8.A9.C10.A二、填空题1.单向导电性；0.72.薄3.相频；1/√2（或0.707）4.0；∞5.-1；±(2n+1)π（n=0,1,2…）三、分析计算题1.（1）当ui>5V时，二极管D承受正向电压导通，uo被钳位在5V；当ui≤5V时，D截止，uo=ui。（2）输出波形为：正半周超过5V的部分被限幅为5V，负半周与输入波形一致，幅值范围-10V~5V。（3）D反接后，当ui<-5V时D导通，uo被钳位在-5V；ui≥-5V时D截止，uo=ui，输出波形负半周被限幅为-5V。2.（1）静态工作点计算：UB=VCC×RB2/(RB1+RB2)=12×10/(30+10)=3VIEQ=(UB-UBE)/RE=(3-0.7)/2=1.15mAICQ≈IEQ=1.15mAIBQ=ICQ/β=1.15/50≈0.023mAUCEQ=VCC-ICQ(RC+RE)=12-1.15×(3+2)=12-5.75=6.25V（2）微变等效电路：三极管用rbe代替，输入回路包括RB1∥RB2∥rbe，输出回路包括RC∥RL，受控电流源βib。（3）动态参数计算：rbe=rbb’+(1+β)26mV/IEQ=200+(51×26)/1.15≈200+1153≈1353Ω≈1.35kΩAu=-β(RC∥RL)/rbe=-50×(3∥3)/1.35≈-50×1.5/1.35≈-55.56Ri=RB1∥RB2∥rbe≈30∥10∥1.35≈1.23kΩRo=RC=3kΩ3.（1）A1为反相比例运算电路，A2为同相求和运算电路（或同相比例运算电路）。（2）uo1=-Rf/R1×ui1=-40/10×0.5=-2VA2同相端电压u+=uo1×R3/(R2+R3)=(-2)×10/(20+10)=-2/3Vuo2=(1+Rf/R3)×u+=(1+40/10)×(-2/3)=5×(-2/3)=-10/3≈-3.33V（3）R3开路时，A2同相端直接接uo1，u+=uo1=-2V，uo2=(1+40/∞)×u+=-2V（因R3开路，反馈电阻Rf接反相端到地，电路变为电压跟随器，增益为1）。4.（1）反馈类型：输出电压通过Rf反馈到输入级发射极（输出取样为电压，输入比较为串联，反馈极性为负），故为电压