集成电路制造工艺 课件 10.2 CMOS工艺流程_第1页
集成电路制造工艺 课件 10.2 CMOS工艺流程_第2页
集成电路制造工艺 课件 10.2 CMOS工艺流程_第3页
集成电路制造工艺 课件 10.2 CMOS工艺流程_第4页
集成电路制造工艺 课件 10.2 CMOS工艺流程_第5页
已阅读5页，还剩7页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

集成电路制造工艺

--CMOS工艺流程单位：江苏信息职业技术学院微电子教研室第十章CMOS集成电路制造工艺CMOS结构及工作原理CMOS工艺流程CMOS其他相关工艺本章要点第十章CMOS集成电路制造工艺CMOS结构及工作原理CMOS工艺流程CMOS其他相关工艺本章要点1.衬底硅材料选择，阱区形成P-Si衬底（a）衬底准备（b）一次氧化（c）n-阱光刻（第一次光刻）n-阱n-阱n-阱（d）n-阱注入（e）推进后形成阱区（f）去除氧化层后的阱区§10.2CMOS工艺流程2.有源区形成（a）生成薄氧化层和氮化硅层（b）光刻有源区（第二次光刻）（c）生成场氧化层（Fox）（d）去除氮化硅及薄氧化层后的场氧化层3.多晶硅栅形成（a）栅氧化层形成（b）淀积多晶硅（c）光刻多晶硅栅4.NMOS管源、漏形成（a）光刻n+-S/D注入窗口（b）n+-S/D注入5.PMOS管源、漏形成（a）光刻p+-S/D注入窗口（b）p+-S/D注入6.接触孔形成（a）淀积硼磷硅玻璃（b）光刻接触孔（c）淀积金属7.金属互连线形成金

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论