大学（微电子科学与工程）微电子技术基础2026年综合测试题及答案

大学（微电子科学与工程）微电子技术基础2026年综合测试题及答案

（考试时间：90分钟满分100分）班级______姓名______一、选择题（总共10题，每题3分，每题只有一个正确答案，请将正确答案填入括号内）1.以下关于半导体材料的说法，错误的是（）A.硅是最常用的半导体材料B.锗的性能优于硅C.半导体材料具有独特的电学特性D.杂质对半导体性能影响很大2.对于P型半导体，其多数载流子是（）A.电子B.空穴C.离子D.中子3.二极管的正向导通压降一般约为（）A.0.1V-0.3VB.0.5V-0.7VC.1V-1.5VD.2V-3V4.三极管处于放大状态时，其发射结和集电结的偏置情况是（）A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏5.集成电路制造中，光刻技术的作用是（）A.定义器件的几何图形B.掺杂杂质C.形成金属互连D.氧化硅生长6.MOSFET的阈值电压与以下哪个因素关系不大（）A.栅氧化层厚度B.衬底掺杂浓度C.源漏电压D.沟道长度7.以下哪种工艺用于在半导体表面形成绝缘层（）A.光刻B.氧化C.扩散D.离子注入8.数字集成电路中，实现逻辑运算的基本单元是（）A.晶体管B.电阻C.电容D.门电路9.动态随机存储器（DRAM）与静态随机存储器（SRAM）相比，主要优点是（）A.速度快B.集成度高C.功耗低D.成本低10.半导体器件的特征尺寸不断缩小，带来的问题不包括（）A.短沟道效应B.功耗增加C.集成度降低D.可靠性下降二、多项选择题（总共5题，每题5分，每题有两个或两个以上正确答案，请将正确答案填入括号内，少选、多选、错选均不得分）1.以下属于半导体的电学特性的有（）A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.绝缘性2.三极管的三个工作区域包括（）A.放大区B.饱和区C.截止区D.击穿区3.集成电路制造工艺中，属于薄膜制备工艺的有（）A.化学气相沉积B.物理气相沉积C.电镀D.溅射4.以下哪些是CMOS逻辑门电路的优点（）A.功耗低B.速度快C.抗干扰能力强D.集成度高5.半导体存储器按照存储原理可分为（）A.随机存取存储器B.只读存储器C.磁性存储器D.光存储器三、判断题（总共10题，每题2分，请判断对错，在括号内打“√”或“×”）1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，且其导电能力不随温度变化。（）2.P型半导体中掺入的是受主杂质，N型半导体中掺入的是施主杂质。（）3.二极管只要加正向电压就一定会导通。（）4.三极管放大电路中，输入信号只能加在基极和发射极之间。（）5.集成电路制造中，光刻的分辨率越高，器件的特征尺寸越小。（）6.MOSFET的沟道长度越长，其驱动电流越大。（）7.氧化工艺可以在半导体表面形成高质量的二氧化硅绝缘层。（）8.数字电路中，高电平用“1”表示，低电平用“0”表示，所以“1”一定比“0”电压高。（）9.SRAM在掉电后数据会丢失，DRAM则不会。（）10.随着半导体器件特征尺寸的缩小，芯片的集成度不断提高，成本也不断降低。（）四、简答题（总共3题，每题各10分，请简要回答问题）1.简述半导体中杂质的作用以及掺杂对半导体性能的影响。2.说明三极管在放大电路中的工作原理，以及如何实现信号放大。3.阐述集成电路制造过程中，光刻、氧化、扩散等主要工艺的作用和相互关系。五、分析题（总共2题，每题15分，请详细分析问题）1.分析一个简单的CMOS反相器电路的工作原理，包括输入高电平和低电平时晶体管的导通和截止情况，以及输出电平的变化。2.考虑一个基于MOSFET的放大器电路，分析当输入信号变化时，MOSFET的工作状态如何改变，从而实现信号的放大，并讨论影响放大器性能的因素。答案：一、选择题1.B2.B3.B4.B5.A6.C7.B8.D9.B10.C二、多项选择题1.ABC2.ABC3.ABD4.ABC5.AB三、判断题1.×2.√3.×4.×5.√6.×7.√8.×9.×10.×四、简答题1.杂质在半导体中可提供导电载流子。掺杂使半导体的导电类型改变，如P型或N型。同时改变其电导率，通过控制掺杂浓度可精确调整半导体的电学性能，用于制造各种半导体器件。2.三极管放大原理：发射结正偏，集电结反偏，使基极电流微小变化能引起集电极电流较大变化。输入信号加在基极与发射极间，改变基极电流，进而控制集电极电流变化，实现信号电流放大，再通过负载电阻转化为电压放大。3.光刻定义器件几何图形；氧化形成绝缘层；扩散用于杂质掺入改变半导体电学性能分布。光刻确定区域后，氧化在特定区域形成绝缘层，扩散在光刻和氧化限定区域内进行杂质掺入，三者相互配合完成器件制造关键步骤。五、分析题1.CMOS反相器由P沟道和N沟道MOSFET组成。输入高电平时，P管截止，N管导通，输出低电平；输入低电平时，P管导通，N管截止，输出高电平。通过两管互补导通截止实现输入