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文档简介
材料加工先进技术考试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1.在激光选区熔化(SLM)过程中,下列哪一项参数对致密度影响最显著?A.扫描速度B.铺粉层厚C.激光光斑直径D.基板预热温度答案:A解析:扫描速度直接决定单位面积能量输入(E=V·P/v),能量不足时粉末未完全熔化,致密度骤降;层厚与光斑直径为次要因素,预热温度主要降低热应力。2.关于电子束熔化(EBM)的“预热—熔化—保温”三段式工艺,下列说法正确的是:A.预热阶段电子束电流最大,用于快速升温B.保温阶段束流周期性扫描,目的是消除残余应力C.熔化阶段束斑直径大于预热阶段,以提高效率D.预热温度通常低于粉末材料的再结晶温度答案:B解析:保温阶段通过小束流快速来回扫描,使已凝固层温度均匀,降低温度梯度,从而削减残余应力;预热电流最小,熔化束斑直径与预热相同,预热温度远高于再结晶温度。3.在金属玻璃(MG)粉末的放电等离子烧结(SPS)中,为抑制晶化,最关键的控温策略是:A.升温速率≥200℃min⁻¹B.烧结温度略高于Tg(玻璃转变温度)C.保温时间≥30minD.冷却速率≤5℃min⁻¹答案:B解析:略高于Tg时黏度迅速下降,可在低压力下致密化;升温过快导致局部过热晶化,长时保温与慢冷均给原子扩散提供时间,促进晶化。4.采用冷喷涂(ColdSpray)制备AlCuMg合金涂层时,颗粒临界速度vc与下列哪项呈线性正相关?A.颗粒熔点B.颗粒密度C.颗粒比热容D.颗粒硬度答案:D解析:根据Assadi模型,vc∝(Hv/ρ)^0.5,硬度Hv越高,需更大动能产生绝热剪切失稳实现冶金结合,故呈正相关;熔点、密度、比热容为次要修正项。5.在增材制造316L不锈钢中观察到“鱼鳞”状熔池边界,其本质为:A.未熔粉末残留B.元素偏析形成的δ铁素体薄膜C.激光重熔导致的柱状晶断裂D.熔池Marangoni对流痕迹答案:B解析:快速凝固使Cr、Mo在熔池边界富集,稳定δ铁素体,腐蚀后呈亮白色“鱼鳞”;并非未熔粉或对流痕迹。6.关于超声辅助半固态触变成形,超声振动的主要作用是:A.降低液相线温度B.破碎初生αAl相,提高黏度C.促进晶粒旋转,降低成形载荷D.空化效应细化固相颗粒答案:D解析:超声空化产生高压微射流,击碎枝晶形成蔷薇状颗粒,降低黏度并提高成形性;液相线不变,旋转效应可忽略。7.在激光熔覆NiWC复合涂层时,WC颗粒发生“溶解—析出”型退化,其析出相为:A.M6CB.M23C6C.M7C3D.MC答案:A解析:富W环境促使M6C(Ni3W3C)在界面析出,降低硬度;M7C3、M23C6为富Cr相,MC为未溶WC。8.采用高压扭转(HPT)制备超细晶纯铜,其晶粒细化极限主要受限于:A.位错塞积饱和B.动态再结晶临界应变C.绝热温升D.样品中心零剪切区答案:B解析:当应变足够高时,动态再结晶与细化达到动态平衡,晶粒尺寸趋于稳定极限;位错饱和为前期机制,温升与零剪切区为次要因素。9.在聚合物材料的选择性激光烧结(SLS)中,为防止“翘边”(curling),最常用的预热策略是:A.红外灯分区动态补偿B.降低激光功率C.增加铺粉层厚D.提高扫描间距答案:A解析:红外灯实时补偿边缘散热,降低温度梯度;降低功率与增加层厚反而致密度下降,扫描间距对翘边影响小。10.关于金属增材制造中的“层间未熔合”缺陷,下列无损检测方法灵敏度最高的是:A.工业CT(微米级焦点)B.高频超声(50MHz)C.数字射线DRD.交流场测量(ACFM)答案:A解析:微米CT可检出≥5μm未熔缝隙,且三维定位;50MHz超声受晶粒散射限制,DR二维叠加,ACFM仅适合表面。二、多项选择题(每题3分,共15分;多选少选均不得分)11.在激光冲击强化(LSP)中,采用黑漆作烧蚀层时,其主要作用包括:A.提高等离子体临界密度B.降低激光反射率C.增加冲击波峰值压力D.防止工件表面熔化E.充当绝热层减少热影响答案:B、C、D解析:黑漆吸收率>90%,降低反射,吸收后汽化形成高压等离子体,峰值压力提升2~3倍;同时隔离激光直接照射,避免熔化;不提高临界密度,也非绝热层。12.下列哪些现象与增材制造钛合金的“β退火”处理有关?A.原始β晶粒长大B.位错密度显著降低C.α片层厚度增加D.织构强度减弱E.残余应力释放答案:A、C、E解析:β退火高于β相变点,β晶粒长大,缓冷形成粗大α片层;空冷应力释放;位错密度降低有限,织构因β→α变体选择反而增强。13.在摩擦搅拌焊(FSW)铝铜异种接头中,为避免Al4Cu9脆性相,可采取:A.将铜置于前进侧B.采用无针搅拌头C.降低旋转速度D.添加Zn中间层E.提高焊接速度答案:C、D、E解析:降低热输入(低转速、高焊速)抑制金属间化合物;Zn与Al、Cu形成固溶体,阻断Al4Cu9;铜在前退侧增加混合,无针无法连接。14.关于非晶合金的“超塑性”成形,下列说法正确的是:A.需加热至过冷液相区ΔTxB.应变速率敏感性指数m≈1C.可实现微米级精密复形D.晶化体积分数需<3%E.需施加保护气体防止氧化答案:A、C、D、E解析:在ΔTx内黏度降至10⁶–10⁸Pa·s,m≈0.5–0.8,可实现纳米复形;晶化>3%即脆化;需Ar保护。15.在选区激光熔化Fe36Ni因瓦合金时,为消除“裂纹孔隙”耦合缺陷,可同步实施:A.基板预热200℃B.激光重熔策略C.添加0.2wt%ZrD.层间停顿10sE.采用椭圆光斑答案:A、B、C解析:预热降低温度梯度,重熔闭合孔隙,Zr脱氧固硫抑制热裂纹;层间停顿增加氧化,椭圆光斑对裂纹无显著改善。三、判断改错题(每题2分,共10分;先判断对错,再改正错误部分)16.在电子束熔化Ti6Al4V时,提高束流能量密度可完全消除“α集束”织构。答案:错。改正:提高束流能量密度使冷却速率降低,α集束织构反而增强;需降低能量密度或后续热机械处理才能弱化。17.冷喷涂制备的Cu涂层密度可达99.9%,因此其电导率与退态纯铜相同。答案:错。改正:冷喷涂产生剧烈塑性变形,位错密度高,电导率约为退态铜的85–90%,需再结晶退火恢复。18.在激光熔覆高熵合金CoCrFeMnNi时,添加碳元素会扩大FCC单相区。答案:错。改正:碳稳定FCC能力弱,易形成M23C6或M7C3碳化物,导致FCC区缩小,脆性增加。19.采用超声振动辅助半固态A356压铸,可显著降低铸件气孔率,其机理为超声空化促进氢扩散外逸。答案:对。解析:空化气泡崩溃产生局部高温高压,使溶解氢聚集并逸出,同时破碎枝晶降低黏度,利于气体排出。20.对于选区激光熔化18Ni300模具钢,层厚从30μm提高到60μm,表面粗糙度Ra一定增大。答案:错。改正:若同步提高激光功率、降低扫描速度,使单道熔池宽深比优化,Ra可维持甚至降低,并非“一定”增大。四、简答题(每题8分,共24分)21.试述激光选区熔化(SLM)制备AlSi10Mg时“热裂纹”形成机理,并给出三条工程抑制措施(需给出具体参数)。答案:机理:1.高热膨胀系数(23×10⁻⁶K⁻¹)与低高温塑性导致凝固末期收缩应力超过材料临界断裂强度;2.共晶Si呈网状分布,削弱晶界结合力;3.柱状晶沿热流方向贯穿,晶界液膜在拉应力下开裂。抑制措施:1.基板预热150–200℃,降低温度梯度至<80Kmm⁻¹,应力减少30%;2.激光重熔策略:首道参数200W、1200mms⁻¹,重熔80W、2400mms⁻¹,输入能量降低40%,使晶界Si破碎球化;3.添加0.15wt%Sc+0.08wt%Zr,形成Al3(Sc,Zr)纳米弥散,晶粒细化至~1μm,裂纹密度由4.2mmcm⁻²降至0.1mmcm⁻²。22.对比传统热等静压(HIP)与增材制造原位HIP(“HIPinprocess”)在消除Ti6Al4V内部孔隙方面的差异,并给出原位HIP的关键工艺窗口。答案:传统HIP:需将打印件置于1000–1050℃、100–150MPaAr环境中2–4h,设备昂贵,晶粒长大至300μm,屈服强度降低8–10%。原位HIP:在SLM过程中层间实施激光重熔+滚压复合,利用局部高温(β相变点以上)+压力(滚压≥500MPa)闭合孔隙,晶粒保持~50μm。关键窗口:1.重熔深度≥1.5倍层厚(60μm层厚选90μm熔深);2.滚压压下量0.6–0.8%,滚轮温度300℃防冷裂;3.层间间隔<30s,防止氧化;孔隙率可由0.4%降至<0.05%,疲劳寿命提高2.3倍。23.阐述高熵合金CoCrFeMnNi在选区电子束熔化(SEBM)中的“元素挥发”规律,并设计一种成分补偿策略。答案:规律:1.饱和蒸气压Ps:Mn>Cr>Fe>Co>Ni,Mn在1600℃下Ps=1.2×10⁻²Pa,为Ni的260倍;2.能量密度>120Jmm⁻³时,Mn损失率呈指数上升,每增加10Jmm⁻³损失率增加1.8%;3.挥发导致表面Mn含量由20at%降至12at%,形成富Ni/Co层,诱发B2有序相。补偿策略:1.预合金粉末设计Mn过量20%,并采用“核壳”结构:内核Mn25at%,外壳Mn15at%,通过固态扩散均匀化;2.分段工艺:首5层低能量80Jmm⁻³,后续正常120Jmm⁻³,使过量Mn向内扩散;3.实时EPMA闭环反馈,当Mn<18at%时,自动补偿0.5at%Mn粉铺洒,最终成分偏差控制在±1at%以内。五、计算题(每题10分,共20分)24.已知选区激光熔化316L不锈钢,激光功率P=350W,扫描速度v=1200mms⁻¹,光斑直径d=100μm,层厚t=40μm,粉末吸收率η=0.42,密度ρ=7.9gcm⁻³,比热容cp=500Jkg⁻¹K⁻¹,熔化潜热Lm=270kJkg⁻¹,室温25℃,熔点1400℃。(1)计算体积能量密度EV(Jmm⁻³);(2)求理论致密度100%时所需最小能量密度Emin,并判断当前参数是否足够;(3)若致密度仅达96%,求未熔粉末质量分数(忽略飞溅)。答案:(1)EV=P/(v·t·d)=350/(1200×0.04×0.1)=72.9Jmm⁻³(2)单位体积质量m=ρ·V=7.9×10⁻³gmm⁻³升温需Q1=m·cp·ΔT=7.9×10⁻³×0.5×1375=5.43Jmm⁻³熔化需Q2=m·Lm=7.9×10⁻³×270=2.13Jmm⁻³Emin=(Q1+Q2)/η=(5.43+2.13)/0.42=18.0Jmm⁻³72.9>18.0,能量足够。(3)孔隙率4%,未熔粉质量分数=4%×(Emin/EV)=4%×(18/72.9)=0.99%。25.冷喷涂Cu颗粒,直径dp=25μm,密度ρ=8.9gcm⁻³,比热容cp=0.385Jg⁻¹K⁻¹,屈服强度σy=200MPa,计算颗粒临界速度vc(采用Assadi模型:vc=√[σy·(1Ti/Tm)/ρ],Ti=室温300K,Tm=1356K),并求当载气为N₂(γ=1.4,R=297Jkg⁻¹K⁻¹,T0=800K,p0=3.0MPa)时,喷嘴出口马赫数Ma需至少多少才能使颗粒加速至vc(忽略dragcoefficient变化,假设等熵膨胀,速度系数φ=0.85)。答案:vc=√[200×10⁶×(1300/1356)/8900]=√[200×10⁶×0.7787/8900]=418ms⁻¹气体出口速度vg=φ·√[2γ/(γ1)·R·T0·(1(pe/p0)^(γ1)/γ))]令vg=vc/φ=418/0.85=492ms⁻¹解得(pe/p0)^0.286=1(492²×0.4)/(2×1.4×297×800)=0.655pe/p0=0.655^3.5=0.116→Ma=√[(2/(γ1))·((p0/pe)^(γ1)/γ1)]=√[5×(1.68)]=2.9需Ma≥2.9。六、综合设计题(11分)26
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