Chiplet技术实现模块化芯片复用(课件)

Chiplet技术实现模块化芯片复用汇报人：***（职务/职称）日期：2026年**月**日Chiplet技术概述与发展背景Chiplet核心技术架构解析主流Chiplet技术方案比较设计方法学与工具链支持先进封装技术实现路径测试与可靠性保障体系典型应用场景案例分析目录生态系统构建与标准进展成本效益分析与商业模式技术挑战与解决方案中国Chiplet发展现状前沿研究方向展望产业生态构建建议商业化落地实施路径目录Chiplet技术概述与发展背景01物理极限逼近随着半导体工艺节点接近1nm，量子隧穿效应和漏电问题加剧，传统摩尔定律下的性能提升面临瓶颈，需探索异构集成新路径。成本指数级增长7nm后制程研发费用超3亿美元，5nm流片成本达5.4亿美元，Chiplet通过复用成熟IP核可降低30-50%研发投入。能效比优化需求单芯片集成度提升导致功耗密度激增，采用Chiplet可将计算/存储/IO功能模块分拆优化，实现每瓦性能提升2-3倍。设计周期缩短传统SoC开发需18-24个月，模块化设计允许并行开发不同芯粒，缩短周期至9-12个月。摩尔定律放缓与芯片设计新范式模块化设计理念的产业需求定制化计算架构针对AI/GPU等场景灵活调整计算单元与缓存比例，如AMD3DV-Cache技术将L3缓存堆叠提升3倍。IP核商业化生态建立Die-to-Die互连标准（如UCIe），使AMD、Intel等厂商能像搭积木一样组合第三方IP芯粒。跨工艺节点集成允许CPU采用5nm工艺、模拟电路使用28nm工艺，通过2.5D/3D封装实现最优性价比组合。先进封装技术对Chiplet的支撑作用高密度互连嵌入式微流体冷却通道与TIM导热界面材料结合，解决3D堆叠带来的150W/cm²热流密度挑战。热管理突破信号完整性保障可靠性与测试TSV硅通孔技术实现每平方毫米10,000+连接点，互连密度比PCB高100倍，延迟降低至0.1pJ/bit。CoWoS封装中介层实现μm级布线精度，串扰控制在-50dB以下，数据传输速率达8Gbps/mm²。采用边界扫描（JTAG）和内置自测试（BIST）技术，确保多芯粒系统良品率维持在99.99%以上。Chiplet核心技术架构解析02通过异构集成将不同工艺节点的功能模块（如CPU、GPU、AI加速器）组合，显著优化算力密度与能效比，同时支持定制化芯片设计。提升系统性能与灵活性复用已验证的Chiplet模块可减少重复流片费用，缩短复杂芯片的开发时间，尤其适用于高性能计算和边缘设备等场景。降低研发成本与周期利用先进封装技术（如2.5D/3D堆叠）突破单芯片制程瓶颈，实现更高晶体管集成度。突破摩尔定律限制异构集成技术实现路径定义高速串行接口（如UCIe）的电气特性与信号调制方式，支持多通道并行传输，满足TB级数据吞吐需求。开发自动化测试工具链，覆盖互连接口的时序收敛、抗干扰能力及热插拔可靠性验证。统一的互连标准是Chiplet生态落地的关键，需解决跨厂商模块的兼容性问题，确保信号完整性、延迟和带宽等核心指标达标。物理层协议设计制定分层通信协议（物理层、链路层、事务层），支持环形、网状等拓扑结构，优化数据路由效率。协议栈与拓扑架构测试与验证框架标准化互连接口规范电源与热管理协同设计采用分布式电源网络架构，为不同电压域的Chiplet模块提供动态电压调节（DVFS），降低静态功耗30%以上。集成智能功率传感器，实时监测各模块能耗，通过自适应算法平衡性能与功耗，避免局部过热。多域电源分配优化在硅中介层嵌入微流体冷却通道，结合TSV（硅通孔）技术实现垂直方向的高效导热，散热效率提升50%。开发热-力耦合仿真模型，预测封装材料的热膨胀系数（CTE）不匹配问题，优化散热片与TIM（热界面材料）的选型。三维散热解决方案搭建跨学科仿真平台，整合电磁、热、应力多物理场分析，实现电源噪声与热阻的协同优化。制定标准化功耗-热模型（如CPM），支持EDA工具自动生成最优布局方案，缩短设计迭代周期。系统级协同设计工具主流Chiplet技术方案比较03IntelEMIB技术特点成本与良率优势EMIB采用嵌入式硅桥设计，无需硅中介层，显著降低材料成本；小尺寸硅桥可最大化晶圆利用率，良率高于传统2.5D封装。高性能互连通过EMIB-T引入TSV技术，提升供电能力，支持HBM4/4e等高速存储，同时玻璃基板方案（45μm凸点间距）增强信号完整性。支持异构集成，允许不同制程节点、功能的芯粒（如逻辑芯片与HBM）通过定制化互连桥组合，突破传统封装尺寸限制。设计灵活性CoWoS-S采用硅通孔（TSV）和微凸块技术，已量产多年，广泛应用于NVIDIAGPU等产品，可靠性经过市场验证。台积电路线图显示CoWoS持续升级，支持更大封装尺寸（如手掌大小芯片）和更高HBM堆叠层数，满足未来算力需求。CoWoS技术通过硅中介层实现高密度互连，为高性能计算提供低延迟、高带宽的异构集成方案，尤其适合AI芯片与HBM堆叠场景。技术成熟度高CoWoS-L结合InFO与LSI中介层，支持同构/异构芯片混合集成，可嵌入去耦电容，优化电源完整性与热管理。架构多样化扩展性强TSMCCoWoS方案优势AMDInfinity架构创新高带宽互连设计采用InfinityFabric总线协议，实现芯粒间超低延迟通信（纳秒级），带宽达每秒数百GB，显著提升多芯片协同效率。支持动态频率调整与功耗管理，适应不同负载场景，如游戏CPU与GPU芯粒的实时资源调配。开放生态系统推出3DChiplet标准（如X3D缓存堆叠），允许第三方厂商基于Infinity架构开发兼容芯粒，加速模块化芯片生态构建。通过CDNA2/3架构验证，在数据中心GPU中集成计算、I/O、缓存芯粒，跨5nm/6nm工艺节点实现性能与成本平衡。设计方法学与工具链支持04根据计算密集型、I/O密集型和模拟/射频等不同功能特性，将系统划分为独立芯粒，例如CPU/GPU采用先进制程（3nm/5nm），而SerDes和PCIePHY保留在成熟节点（7nm/22nm），实现性能与成本的最优平衡。芯片级系统划分策略功能解耦与工艺匹配通过分析应用程序的数据传输路径，将高频交互模块（如AI加速器与HBM存储器）划分到同一中介层封装，减少互连延迟，同时将低频控制模块（电源管理）独立为低成本芯粒。数据流优化结合功耗密度分布，将高发热单元（如计算核心）与温度敏感单元（模拟电路）物理隔离，并通过硅中介层或微凸块实现高效散热路径规划，避免热耦合效应。热力学分区采用UCIe等通用互连协议统一不同工艺芯粒的物理层（PHY）设计，确保28nmI/O芯粒与5nm计算芯粒间信号电平兼容，同时支持异步时钟域转换。混合制程接口标准化构建涵盖7nm至65nm等多工艺节点的联合功耗分析模型，精确模拟芯粒间电源噪声耦合效应，优化全局供电网络拓扑。功耗一致性建模建立跨工艺节点的DRC（设计规则检查）协同数据库，解决2.5D封装中TSV（硅通孔）间距与不同制程金属层对准精度的冲突问题。设计规则协同验证开发支持多工艺角（PVT）的全局静态时序分析工具，解决高速信号在有机基板与硅中介层混合传输时的时序偏差问题。时序收敛保障跨工艺节点协同设计01020304信号完整性分析工具3D电磁场仿真采用HFSS或CST等工具对硅桥（SiliconBridge）中的微凸块阵列进行全波电磁仿真，量化高频信号（56GbpsSerDes）的插入损耗与串扰指标。集成AnsysRedHawk与封装级分析工具，预测电源传输网络（PDN）在2.5D封装中的谐振频率，优化去耦电容布局以抑制同时开关噪声（SSN）。通过COMSOL多物理场仿真评估3D堆叠结构中不同CTE（热膨胀系数）材料引起的机械应力对TSV可靠性的影响，优化键合工艺参数。电源完整性协同优化热-机械应力耦合分析先进封装技术实现路径052.5D硅中介层技术高密度互连架构通过硅中介层实现芯片间水平互联，利用硅工艺的细金属线宽（微米级）提升互连密度，典型结构包含TSV垂直通孔和微凸块连接层，相比传统PCB互连缩短信号传输距离达1000倍。01异构集成优势支持CPU、GPU、HBM等不同工艺节点的芯片混合集成，如NVIDIAGPU通过CoWoS技术将逻辑芯片与高带宽内存并排封装，实现TB/s级数据交换带宽。热管理挑战硅中介层的低热导率导致局部热点聚集，需采用微流体通道或导热硅脂等方案优化散热路径，尤其在高功耗AI芯片中需平衡性能与热可靠性。成本敏感性硅中介层需额外光罩和TSV加工步骤，导致成本占比达封装总成本30%-50%，推动2.1D/2.3D等低成本替代方案发展。0203043D堆叠TSV互连方案垂直集成突破通过硅通孔（TSV）实现芯片间垂直堆叠，互连密度提升至10^6/cm²量级，典型应用包括HBM内存堆叠，其TSV间距可压缩至40μm以下。信号完整性难题高频下TSV的趋肤效应导致插入损耗加剧，需协同优化通孔深宽比（通常<10:1）和绝缘层材料（如SiO2/low-k介质）。混合键合技术采用铜-铜直接键合或氧化物融合键合，实现<1μm对准精度，键合界面电阻低至0.1Ω/μm²，显著降低垂直互连延迟。扇出型晶圆级封装应用无基板集成方案通过重布线层（RDL）直接连接芯片与外部焊球，省略传统封装基板，封装厚度可缩减至0.2mm，适配移动设备超薄需求。多芯片异构整合如Foveros-R技术利用扇出型RDL集成处理器与射频模块，实现<0.5pJ/bit的超低功耗互连，适用于5G毫米波前端封装。翘曲控制工艺采用临时键合/解键合技术和模塑料补偿设计，将300mm晶圆级封装的翘曲控制在<50μm，保障高良率量产。埋入式无源器件在RDL层嵌入电容/电感元件，减少30%的PCB级被动元件需求，提升系统集成度，典型应用于AI加速芯片的电源完整性优化。测试与可靠性保障体系06参数边界测试功能测试全覆盖在极端温度（-40℃~150℃）和供电电压（±10%VDD）条件下，测量关键参数（延迟、功耗、漏电流）是否符合规格书要求，筛选出边际性能器件。通过施加完整功能测试向量，验证裸片在标称电压/频率下的逻辑正确性，包括组合逻辑、时序路径和存储单元的读写功能，确保无设计缺陷。针对Die-to-Die互连的PHY层进行眼图测试、抖动容限和阻抗匹配验证，确保2.5D/3D封装中的硅中介层或微凸点连接质量。采用高温加速老化（HTOL）手段，在125℃环境下施加1.2倍额定电压持续48-72小时，提前暴露栅氧缺陷、电迁移等潜在可靠性问题。界面特性测试老化预筛选KnownGoodDie验证方法老化测试与寿命预测动态老化监控在老化过程中实时采集阈值电压（Vth）、跨导（Gm）等器件参数，建立退化模型预测芯片剩余寿命，为冗余设计提供量化依据。电热耦合应力测试同步施加最大工作电流与极限结温（Tjmax），监测热阻（RθJC）变化趋势，识别封装界面材料的热疲劳失效风险。HTOL加速模型基于Arrhenius方程建立温度-寿命加速因子，通过125℃/1000小时测试数据推算常温（25℃）下的10年使用寿命，关键参数漂移需控制在±5%以内。故障隔离与修复机制4冗余设计策略3动态重配置架构2可编程修复电路1三维故障定位在关键模块（如高速Serdes、存储阵列）预留20-30%的备用单元，通过熔丝映射或微代码控制实现故障单元替换。集成eFuse/anti-fuse阵列，通过激光修调或电编程方式绕过失效的存储单元或互连线，提升良率5-15个百分点。部署BIST（内建自测试）引擎和片上开关网络，在系统运行时隔离故障核并重新分配计算资源，实现芯片级容错。采用红外热成像（Lock-inThermography）和时域反射计（TDR）技术，精确定位2.5D/3D堆叠封装中的短路/开路故障所在垂直层。典型应用场景案例分析07高性能计算芯片设计算力密度突破AMDEPYC处理器采用Chiplet设计，将多个7nm计算芯粒与14nmI/O芯粒异构集成，通过InfinityFabric互连实现128核架构，算力密度较传统单芯片提升3倍以上，同时降低40%制造成本。030201内存带宽优化英特尔PonteVecchioGPU整合47个计算芯粒与8个HBM存储芯粒，采用EMIB和Foveros3D封装技术，实现5TB/s内存带宽，解决HPC应用中的"内存墙"瓶颈问题。能效比提升兆芯开胜KH-50000系列通过4个计算芯粒与2个缓存芯粒的2.5D集成，在28nm工艺下实现7nm工艺82%的性能，功耗降低35%，单位算力能耗比提升至1.8TFLOPS/W。华为昇腾910B采用4个AI计算芯粒+1个控制芯粒的异构设计，支持灵活配置8-32TOPS算力，通过chiplet复用使不同场景的芯片开发周期缩短60%。模块化NPU架构英伟达H100通过逻辑芯粒与HBM3存储芯粒的CoWoS封装，实现3TB/s存储带宽，大模型训练效率提升4倍，芯片良率从65%提升至92%。存算一体方案万有引力G-X100MR芯片集成硅光芯粒与计算芯粒，采用TSV实现3D堆叠，光互连带宽达1.6Tbps，延迟降低至纳秒级，特别适用于Transformer模型推理加速。光计算集成010302人工智能加速器实现壁仞科技BR100支持4-16个计算芯粒的灵活组合，通过UCIe接口实现芯片间800GB/s互连，单个封装内可扩展至1024个计算单元，满足不同规模AI训练需求。可扩展设计04车载SoC集成瑞萨电子R-CarV4H将ARM核芯粒、AI加速芯粒、车规MCU芯粒通过2.5D中介层集成，满足ASIL-D功能安全要求，算力密度达32TOPS的同时降低40%功耗。异构处理器集成方案光子-电子协同IME开发的CPO方案将硅光芯粒与网络处理芯粒共封装，采用亚微米混合键合技术，实现112GbpsSerDes通道，系统能效降至0.5pJ/bit。多功能域控制特斯拉FSD芯片集成视觉处理芯粒、神经网络芯粒和安全监控芯粒，通过芯粒复用使自动驾驶系统开发周期缩短9个月，芯片成本降低30%。生态系统构建与标准进展08UCIe联盟技术规范UCIe（UniversalChipletInterconnectExpress）通过定义物理层、协议栈和软件模型，解决了不同厂商Chiplet间的互操作性问题，显著降低异构集成设计的兼容性风险。统一互联标准的重要性该规范由英特尔、AMD、ARM等巨头共同制定，为上下游企业提供开放的技术框架，加速模块化芯片的商用落地与供应链整合。推动产业协同发展0102标准化接口（如BoW、AIB）简化了第三方IP集成流程，使中小设计公司能够快速复用已验证的Chiplet模块。开放标准鼓励EDA工具、测试方案等配套技术的创新，形成从设计到量产的完整工具链支持。开放接口标准是Chiplet技术普及的核心前提，通过标准化Die-to-Die（D2D）通信协议，实现跨工艺、跨架构的芯片模块自由组合。降低设计门槛采用先进封装技术（如硅中介层）配合开放接口，可突破传统PCB互联的带宽限制，实现TB/s级数据吞吐。提升能效与带宽促进生态多元化开放芯片接口标准设计资源共享平台建立可交易的ChipletIP库，提供经过硅验证的模块（如AI加速单元、高速SerDes），缩短产品开发周期30%以上。平台集成自动化验证工具，支持热仿真、信号完整性分析等功能，确保复用模块在新系统中的可靠性。通过云端平台连接设计公司、代工厂与封装厂，实时同步工艺参数（如TSMCN3E、Intel18A），实现设计-制造协同优化。提供标准化KGD（KnownGoodDie）认证服务，降低多源采购中的质量风险，提升良率管理水平。开源基础Chiplet架构（如RISC-V核），降低研发成本并吸引社区开发者贡献定制化模块。建立专利共享池，解决模块复用中的知识产权壁垒问题，促进技术成果转化。加速IP模块复用优化供应链协作推动开源生态建设成本效益分析与商业模式09NRE成本分摊模型工艺节点灵活匹配非关键模块（如模拟电路）可采用成熟制程（如28nm），仅高性能计算单元使用先进制程（如5nm），减少整体NRE投入。多项目共享成本不同厂商或项目可复用标准化Chiplet（如I/O、内存控制器等），分摊高额掩膜版费用。例如，5nm工艺下掩膜成本超1亿美元，通过共享可降低单项目负担30%-50%。降低单次流片风险通过将大型SoC拆分为多个Chiplet模块，每个模块可独立流片，避免因单一模块设计缺陷导致整体芯片报废的风险，显著降低NRE（非重复性工程）成本的沉没风险。小面积Chiplet（50-100mm²）的良率（>90%）远超大芯片（800mm²良率可能<50%），单位晶圆有效芯片产出提升2-3倍。不同Chiplet可分散至不同代工厂生产，规避单一产线产能瓶颈，缩短交付周期并降低紧急加单的溢价成本。通用中介层（Interposer）或硅桥可服务多代产品，封装NRE成本摊薄至百万片量级后，单颗成本可降至1美元以下。良率提升效应封装复用降低成本动态产能调配Chiplet技术通过晶圆级复用和异构集成，重构了传统半导体制造的经济模型，实现从“单芯片最优”到“系统级成本最优”的转变。多项目晶圆经济性IP复用价值评估设计效率提升IP硅片化（Silicon-provenIP）：已验证的ChipletIP（如PCIe控制器）可直接集成，节省验证周期6-12个月，加速产品上市。跨工艺兼容性：同一IP可在不同制程节点（如7nm与16nm）复用，避免重复设计，降低研发人力成本约40%。商业模式创新Chiplet交易生态：建立标准化接口（如UCIe）后，IP供应商可转型为Chiplet供应商，通过授权或按量收费模式（如AMD的3DV-Cache）创造持续收入。长尾市场开发：中小厂商通过采购现成Chiplet组合定制化方案，降低进入门槛，如AI推理芯片可复用通用计算Chiplet+专用加速单元。技术挑战与解决方案10在3DChiplet架构中，垂直堆叠的芯片层会形成热阻屏障，导致热量在中间层积聚。解决方案包括采用硅通孔(TSV)增强纵向导热、使用高导热率中介层材料（如硅碳化物），以及开发微流体冷却通道等主动散热技术。3D堆叠热积聚不同功能Chiplet的功耗差异会导致芯片表面温度分布不均。需通过热仿真优化Chiplet布局，将高功耗单元靠近散热结构布置，同时采用梯度化导热界面材料(TIM)实现定向热传导。局部热点效应0102热密度管理难题信号传输完整性信号穿越有机基板、硅中介层等多介质环境时，会因介电常数差异产生反射和损耗。需采用阻抗匹配技术（如差分屏蔽布线）、低损耗介质材料（如聚酰亚胺），并结合均衡器电路进行信号补偿。跨介质信号衰减Die-to-Die互连间距缩小导致串扰加剧。解决方案包括开发电磁带隙结构(EBG)隔离敏感线路、采用自适应预加重/去加重技术，以及优化布线拓扑结构降低耦合效应。高频串扰抑制高速信号切换引发同步开关噪声(SSN)。需构建分层去耦网络，集成片上深trench电容(DeepTrench)与封装嵌入式电容，实现全频段电源阻抗优化。电源噪声耦合测试覆盖率提升异构测试集成不同工艺节点的Chiplet需开发统一测试访问架构(DFT)，通过标准化测试总线（如IEEE1687）实现测试激励共享与结果聚合，同时采用边界扫描链提升互连测试覆盖率。预封装测试策略针对Known-Good-Die(KGD)需求，开发晶圆级接触式测试技术，结合微探针阵列实现TSV通断检测与功能验证，建立Chiplet级可信度评估模型降低系统集成风险。中国Chiplet发展现状11芯原股份依托自研鲲鹏处理器和昇腾AI芯片，华为海思在2.5D/3DChiplet集成技术上取得突破，其HiPi互联协议已纳入国家标准，支持多芯粒高速互连与功耗优化。华为海思寒武纪专注于AI芯片的寒武纪推出采用Chiplet架构的MLU系列训练芯片，通过分离计算单元与存储控制器芯粒，实现算力密度提升30%以上，同时兼容台积电和国产工艺节点。作为国内领先的芯片设计服务公司，芯原股份在Chiplet领域布局了多款异构计算芯片，通过芯粒复用技术显著降低客户开发成本，其解决方案已应用于AI加速和车载计算领域。本土企业技术布局产学研合作进展HiPi联盟标准化成果由清华大学、电子标准化院等33家单位发起的HiPi联盟，发布《芯粒互联接口规范》国家标准，涵盖协议层、数据链路层及2.5D封装物理层，为国产Chiplet提供统一互连标准。北极雄芯与清华合作基于异构Chiplet集成的智能处理器项目获产学研创新成果奖，其采用硅中介层实现计算、存储芯粒的微米级互连，良率提升达15%。无锡芯光互连技术研究院聚焦Chiplet互连技术研发，联合长电科技开发混合键合工艺，解决高密度TSV（硅通孔）集成中的热应力问题。大基金三期产业链投资通过注资拓荆科技（混合键合设备）、北方华创（TSV刻蚀设备）等企业，推动Chiplet制造装备国产化，覆盖设计-制造-封测全环节。供应链自主可控制造设备突破北方华创的深硅刻蚀设备已支持5μm孔径TSV加工，中微公司介质刻蚀设备进入中芯国际先进封装产线，国产化率从2023年的12%提升至28%。华大九天推出支持Chiplet设计的DFM工具，可分析2.5D封装中的信号完整性，与芯和半导体电磁仿真工具形成全流程解决方案。上海新阳研发的临时键合胶、光刻胶通过长江存储验证，满足多层芯粒堆叠工艺需求，降低对日本JSR等进口材料的依赖。EDA工具链完善材料本地化配套前沿研究方向展望12光互连技术通过光子代替电子传输数据，可实现Tbps级超高带宽，解决传统铜互连在Chiplet间通信时的信号衰减和延迟问题，尤其适用于AI/GPU等高性能计算场景。光互连集成技术突破带宽瓶颈光子传输能耗仅为电互连的1/10，配合硅光集成技术（如CPO共封装光学），可将系统级能效提升至pJ/bit级别，满足数据中心与边缘计算的绿色算力需求。能效比革命光互连支持与逻辑芯片、存储芯片的3D堆叠集成，通过亚微米级波导结构实现多芯粒间低损耗连接，如IME开发的聚合物大马士革镶嵌工艺已实现<1μm线宽的光互连中介层。异构集成兼容性存算一体架构近存计算优化标准化接口适配存内计算创新采用HBM3堆叠内存与计算芯粒的2.5D集成，通过TSV和混合键合技术实现超短互连（<100μm），使内存访问延迟降低至纳秒级，适用于推荐算法等内存密集型任务。基于RRAM/FeFET等新型存储器的存算一体芯粒，支持模拟计算与数字计算的混合架构，如英特尔Loihi神经形态芯片已实现单芯片百万神经元并行计算，能效比传统GPU提升1000倍。UCIe2.0协议新增对存算一体芯粒的支持，通过可配置带宽与协议栈（如CXL/PCIe），实现不同工艺节点的存算芯粒互操作，降低设计复杂度。分子级精准组装利用DNA定向自组装技术，可实现5nm以下晶体管的有序排列，通过预编程的分子模板（如嵌段共聚物）在晶圆表面形成高密度图案，替代部分EUV光刻步骤，降低制造成本。新加坡ASTAR开发的晶圆级自对准工艺，可解决3D堆叠中<0.25μm间距键合焊盘的对准难题，键合强度提升30%，空洞率低于0.1%。动态可重构系统基于铁电材料（如HfO₂）的自组装芯粒，可通过外场调控实现硬件功能动态重构，例如在AI推理中按需切换卷积核或注意力模块，提升资源利用率。美国DARPA的CHIPS项目已验证自组装芯粒的战场环境自适应能力，支持通信、感知、计算功能的分钟级重组，故障恢复时间缩短90%。自组装制造工艺产业生态构建建议13建立开放标准体系统一互连协议推动UCIe等开放接口标准的普及，解决不同厂商Chiplet之间的物理层、协议层互操作性问题，实现跨工艺节点、跨供应商的芯粒混合集成。制定涵盖裸片间互连（Die-to-Die）、封装级通信（Package-Level）及系统级管理的分层标准框架，兼容2.5D/3D封装等多种集成形态。建立ChipletIP交易规则和授权模式，明确设计复用中的版权归属与收益分配，降低生态参与者的法律风险。分层标准化架构知识产权保护机制培育专业设计服务开发支持Chiplet协同设计的EDA平台，集成异构芯粒的功耗分析、信号完整性仿真及热力学建模功能，缩短设计迭代周期。模块化EDA工具链扶持专业IP供应商构建可复用的计算、存储、I/O等芯粒库