GB/T 43894.2-2026半导体晶片近边缘几何形态评价第2部分：边缘卷曲法(ROA)

ICS77040

CCSH.21

中华人民共和国国家标准

GB/T438942—2026

.

半导体晶片近边缘几何形态评价

第2部分边缘卷曲法ROA

:()

Practicefordeterminingsemiconductorwafernear-edgegeometry—

Part2Roll-offamountROA

:()

2026-01-28发布2026-08-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T438942—2026

.

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半导体晶片近边缘几何形态评价的第部分已经发布了

GB/T43894《》2。GB/T43894

以下部分

:

第部分高度径向二阶导数法

———1:(ZDD);

第部分边缘卷曲法

———2:(ROA)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位山东有研半导体材料有限公司西安奕斯伟材料科技股份有限公司天津中环领

:、、

先材料技术有限公司金瑞泓微电子衢州有限公司浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司广东天

、()、、

域半导体股份有限公司深圳中科飞测科技股份有限公司云南驰宏国际锗业有限公司

、、。

本文件主要起草人宁永铎朱晓彤于亚迪王玥张婉婉张雪囡刘云霞徐国科吕莹徐新华

:、、、、、、、、、、

丁雄杰马砚忠陆占清

、、。

Ⅰ

GB/T438942—2026

.

引言

随着硅片直径的增加和线宽的不断降低对硅片几何参数的要求也在不断提高硅片的近边缘区

,。

域是影响硅片几何参数的重要因素目前大直径硅片近边缘区域的厚度平整度等形态的控制难度较

,、

大因此有效地评价和管控大直径硅片的近边缘几何形态对于提高硅片整体质量和集成电路芯片的成

,,

品率促进技术代的升级有着重要的意义该系列标准目前主要用于硅片及其他半导体材料晶片

,。。

半导体晶片近边缘几何形态评价拟由四个部分构成

GB/T43894《》。

第部分高度径向二阶导数法目的在于使用径向二阶导数方法评价半导体晶片近

———1:(ZDD)。

边缘几何形态

。

第部分边缘卷曲法目的在于使用边缘卷曲方法评价半导体晶片近边缘几何

———2:(ROA)。

形态

。

第部分扇形区域平整度法目的在于获得扇形区域平整度进而

———3:(ESFQR、ESFQD、ESBIR)。

评价近边缘几何形态

。

第部分不完整区域局部平整度法目的在于获得不完整区域的

———4:(PSFQR、PSFQD、PSBIR)。

局部平整度进而评价近边缘几何形态

。

该系列标准从不同的测试区域用不同的计算方法得到了对晶片近边缘区域几何参数的量化评价

,,

有效地评价和管控了晶片的近边缘区域几何形态本文件在制定过程中融入了多年来测试校准经验

。、,

对发展我国大直径高质量半导体硅片彻底摆脱在半导体材料和器件方面的落后状态有着非常重要

、,,

的意义

。

Ⅱ

GB/T438942—2026

.

半导体晶片近边缘几何形态评价

第2部分边缘卷曲法ROA

:()

1范围

本文件描述了用边缘卷曲法评价半导体晶片近边缘几何形态的方法

(ROA)。

本文件适用于直径硅抛光片硅外延片绝缘体上硅片及其他带有表面层的圆形晶

300mm、、(SOI)

片也适用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价

,。

注直径硅片参考本文件

:200mm。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体材料术语

GB/T14264—2024

确定晶片坐标系规范

GB/T16596

洁净室及相关受控环境第部分按粒子浓度划分空气洁净度等级

GB/T25915.1—20211:

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T14264—2024。

31

.

中心参考center-referenced

以晶圆片中心为原点建立用于测量计算的坐标系统

,、。

32

.

边缘参考edge-referenced

以晶圆片外围的某一点为原点建立用于测量计算的坐标系统