标准解读

GB/T 47073-2026 是一项国家标准,主要针对表面化学分析中的深度剖析技术。该标准特别关注了中能离子散射术(Medium Energy Ion Scattering, MEIS)在硅基底上纳米尺度重金属氧化物薄膜无损深度剖析的应用。通过这一方法,可以实现对材料表面及其近表面区域成分、结构信息的精确获取,对于研究和开发新型电子器件、传感器等具有重要意义。

中能离子散射术是一种利用具有一定能量范围内的离子束轰击样品表面,然后收集并分析散射回来的离子的技术。当这些离子与样品内部原子发生碰撞时,其运动方向会发生改变,并且根据碰撞前后离子的能量变化及角度分布,能够推断出样品表面几纳米到几十纳米范围内元素种类及其分布情况。对于硅基底上的重金属氧化物薄膜而言,这种技术能够在不破坏样品的前提下,提供有关薄膜厚度、组成以及界面性质等方面的信息。

本标准详细规定了使用MEIS技术进行此类分析的具体操作流程、仪器要求、数据分析方法等内容,旨在确保不同实验室之间结果的一致性和可比性。同时,它也为研究人员提供了关于如何正确选择实验条件(如入射离子种类、能量)、如何处理数据以获得准确可靠的深度剖析结果等方面的指导。此外,还涉及到了样品制备、测试环境控制等关键环节的要求,强调了在整个过程中保持高精度和重复性的必要性。


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....

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  • 即将实施
  • 暂未开始实施
  • 2026-01-28 颁布
  • 2026-08-01 实施
©正版授权
GB/T 47073-2026表面化学分析深度剖析中能离子散射术对硅基底上纳米尺度重金属氧化物薄膜的无损深度剖析_第1页
GB/T 47073-2026表面化学分析深度剖析中能离子散射术对硅基底上纳米尺度重金属氧化物薄膜的无损深度剖析_第2页
GB/T 47073-2026表面化学分析深度剖析中能离子散射术对硅基底上纳米尺度重金属氧化物薄膜的无损深度剖析_第3页
GB/T 47073-2026表面化学分析深度剖析中能离子散射术对硅基底上纳米尺度重金属氧化物薄膜的无损深度剖析_第4页
GB/T 47073-2026表面化学分析深度剖析中能离子散射术对硅基底上纳米尺度重金属氧化物薄膜的无损深度剖析_第5页

文档简介

ICS7104040

CCSG.04.

中华人民共和国国家标准

GB/T47073—2026/ISO231702022

:

表面化学分析深度剖析中能离子

散射术对硅基底上纳米尺度

重金属氧化物薄膜的无损深度剖析

Surfacechemicalanalysis—Depthprofiling—Non-destructive

depthprofilingofnanoscaleheavymetaloxidethinfilmson

Sisubstrateswithmediumenergyionscattering

ISO231702022IDT

(:,)

2026-01-28发布2026-08-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T47073—2026/ISO231702022

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

分析的原理和建议

4MEIS………………1

分析

5MEIS………………2

谱模拟

6MEIS……………2

谱分析结果报告

7MEIS…………………4

附录资料性实验室间测试报告

A()……………………5

附录资料性谱模拟程序源代码列表和使用进行谱模拟的程序

B()MEISPowerMeisMEIS……17

附录资料性电子阻止本领数据的可靠性

C()IAEA…………………20

附录资料性据数据库拟合参数ABC和D

D()IAEA、、……………22

参考文献

……………………28

GB/T47073—2026/ISO231702022

:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

本文件等同采用表面化学分析深度剖析中能离子散射术对硅基底上纳米尺

ISO23170:2022《

度重金属氧化物薄膜的无损深度剖析

》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

按照在文中引用的顺序将脚注中的和序号更正了顺序即进行了对调

a),34,。

图增加注黑线为试验数据红线为模拟结果绿线为红线乘以常数后所得与黑线吻

b)A.3“:,,C

合良好的曲线

。”

根据文献及本文件中公式将附录的表中表头处参数的单位更正为

c)[16](1),AA.4“A”

0.5216.5

eV·cm/10atoms。

SESKE

根据文献将附录中的公式更正为SKs(0)s(0)SK

d)[16],A(A.1)S=α+β,N=

coscos

SESKE

N(0)N(0)

α+β。

coscos

将附录的公式和中涉及符号的项更正为密度符号ρ

e)C(C.1)(C.2)P。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国表面化学分析标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC608)。

本文件起草单位中石化石油化工科学研究院有限公司季华实验室中国计量科学研究院河北工

:、、、

程大学国家纳米科学中心

、。

本文件起草人邱丽美范燕王海侯俊先武春霞忻睦迪徐鹏

:、、、、、、。

GB/T47073—2026/ISO231702022

:

引言

中能离子散射术自世纪年代初发明以来一直被认为是一种具有单原子深度分辨的

(MEIS)2080,

表面和界面组成定量分析方法已广泛用于超薄膜特别是纳米栅极氧化物的分析以确定其成

。MEIS,

分厚度和界面最近被用于纳米颗粒分析以确定具有核壳结构样品的尺寸和组成随着

、。,MEIS,。

技术的发展除了早期使用的环形静电能量分析器外不同类型的能量分析器如磁扇型分析器和

MEIS,,

飞行时间能量分析器也已被应用此外随着电子器件等检测对象的尺寸持续缩小由于溅射

(TOF)。,,

损伤导致提供的深度剖析结果变差对深度剖析准确性和可靠性的要求已经超出了溅射深度剖析的极

,

限需要研究种类型的能量分析器离子种类和用于分析入射离子的不同能量范围之间的一

。3、MEIS

致性并建立定量分析的程序附录报告了两次国际实验室间测试结果

,MEIS。A。

GB/T47073—2026/ISO231702022

:

表面化学分析深度剖析中能离子

散射术对硅基底上纳米尺度

重金属氧化物薄膜的无损深度剖析

1范围

本文件描述了使用中能离子散射术对硅基底上无定形重金属氧化物超薄膜进行定量深度

(MEIS)

剖析的方法

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

表面化学分析词汇第部分通用术语及谱学术语

ISO18115-1:20131:(Surfacechemicalanalysis—

Vocabulary—Part1:Generaltermsandusedinspectroscopy)

注表面化学分析词汇第部分通用术语及谱学术语

:GB/T22461.1—20231:(ISO18115-1:2013,IDT)

表面化学分析词汇第部分扫描探针显微术术语

ISO18115-2:20132:(Surfacechemicalanalysis—

Vocabulary—Part2:Termsusedinscanning-probemicroscopy)

注表面化学分析词汇第部分扫描探针显微术术语

:GB/T22461.2—20232:(ISO18115-2:2013,MOD)

3术语和定义

和界定的以及下列术语和定义适用于本文件

ISO18115-1ISO18115-2。

31

.

电子阻止本领electronicstoppingpower

粒子和质子等带电粒子与电子相互作用时受到的减速力该减速力会导致粒子能量损失

α,。

4MEIS分析的原理和建议

41厚度小于的超薄膜能使用分析分析时使用的+或者+离

.10nmMEIS。100keV~500keVHHe

子精确测量散射离子能量和角度

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