2026年高考化学复习重点知识题型汇编：晶胞的计算

2026年高考化学模拟试卷重点知识题型汇编——晶胞的计算

一,选择题（共20小题）

1.（2025•黑龙江二模）广泛应用于相控阵雷达半导体材料氮化钱有不同的晶型，其中六方氮化钱和立方

氮化铁晶胞相互转化关系如图。已知立方氮化钱的晶胞参数为apm。下列说法正确的是（）

六方氮化像立方氮化保

A.六方氮化钱中Ga和N的配位数均为4

B.立方氮化像中若B原子坐标为&,；）,则A原子坐标为（0,1）

C.立方氮化铁中Ga和N的最小核间距为1~apm

D.六方氮化钱和立方氮化铁的化学式均为Ga6N6

2.（2025秋•泊头市期中）碎化钱（GaAs）是一种重要的半导体材料，可用于制作集成电路衬底、红外探

测器、Y光子探测器等，其晶胞结构如图所示，晶胞参数为anm。下列说法错误的是（）

A.基态Ga原子的核外电子拌布式为［Ar］3di°4s24Pl

B.该晶胞中2号As原子坐标为弓，I，1）

C.晶体中每个Ga原子周围有4个紧邻且等距的As原子

D.该晶体的密度d=嘴—g/cm2

J3.30

axl0NA

3.（2025秋♦南开区校级月考）［Mg（NH3）6］。2的晶胞是立方体结构，边长为anm,结构示意图如图所

示。下列说法错误的是（）

A.基态镁原子的电子排布式为Is22s22P63s2

B.[Mg（NH3）6]C12中存在IT键

C.[Mg（NH3）61cl2的配离子中Mg2+的配位数为6

y[2

D.晶胞中距离最近的两个阳离子间的距离为々"anm

4.（2025秋•皇姑区校级月考）储氢材料MgH2的晶胞结构如图所示，已知MgH2的摩尔质量为Mg/moL

阿伏加德罗常数的值为NA。下列说法正确的是（）

乙irlr

B.晶体密度的计算式为g/cn?

NACLC

C.H的配位数为3

D.晶胞中含有2个H

5.（2025・4月份模拟）一种锂电池的正极材料为某种铁的氧化物，晶胞结构如图1所示，该晶胞由如图2

所示的a、b两种结构单元组成，电池工作或充电时，Li+嵌入或脱嵌于晶胞棱心和体心。下列说法错误

的是（）

ab

图1图2

A.Li.没有嵌入时一个晶胞中Fe?+与Fe一"总数为24个

B.Li.嵌入时，Fe3+被还原为Fe?+

C.电池充电时，Li+嵌入到该铁的氧化物中

D.Li*全部嵌入时，晶体中Fe2+数与F9+数之比为1：1

6.（2025•永州模拟）硒化锌（ZnSe）是一种重要的半导体材料，其晶胞结构如图中所示，乙图为该晶胞

沿z轴方向在xy平面的投影，已知晶胞边长为apm,阿伏加德罗常数的值为NA,下列说法叱硼的是（）

乙

A.Zn位于元素周期表的dIX

B.基态Se原子核外有18种不同运动状态的电子

C.A点原子的坐标为（0,0,0）,则B点原子的坐标为（*,1）

(65+79)x4

D.该晶体密度为一3

(aXlO-10)3^^g-cm

7.（2025•西安校级模拟）二氧化铀（CeO2）可作脱硝催化剂，其理想晶胞如图甲所示。CeO2催化脱硝时,

能在Ce4+和Ce3+之间改变氧化状态，将NO氧化为NO2,并引起氧空位的形成，得到新的铀氧化物

（CesOi5）o该催化脱硝时可能的变化如图乙所示。下列有关说法不正确的是（）

A.CcO2理想晶胞中，Cc4+的配位数为8

688”Q

21-3

B.若CeO2理想晶胞边长为anm,则晶体密度为三一x10tg-cm（其中NA为阿伏加德罗常数的

值）

C.CC8OI5中Ce4+和Ce3+个数比为3：1

D.每氧化标准状况下11.2LNO气体,则生成lmolCc8Oi5

8.（2025•石家庄模拟）二氟化铅（PbF2）晶体可用作红外线分光材料若用O和。来表示PbF2中的两种

离子，其中。在立方晶胞中的位置如图甲所示，晶胞中ACGE和BDHF的截面图均如图乙所示。已知

晶胞参数为apm。NA表示阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是（）

图甲图乙

A.示Pb2*

B.Pb2+的配位数为6

C.Pb”与F的最小间距为史apm

4

D.晶体的密度为3之3二9,cm一

axlO~°NA

9.（2025•湖北模拟）某铜钱硫化物是一种具有广泛应用前景的半导体材料-，其晶胞结构如图所示。卜列

说法错误的是（）

A.第一电禽能S>Ga

B.该化合物的化学式为CuGaS2

C.Cd和S2一的配位数分另IJ为4和6Ga

D.Ga3+填充在S2一形成的正四面体空隙中

10.（2025•汉中三模）钙钛矿型氧化物具有立方晶胞结构，其中一种氧化物高温超导陶瓷可通过多倍钙钛

矿晶胞叠加而得，其晶体的结构如图所示。已知，组成该多倍钙钛矿晶胞的金属元素有Y（钮，III）、

Ba（II）和Cu（II、III）,晶胞参数分别是apm、apm、3apm,该物质的摩尔质量为Mg・molI晶胞

中P、Q原子的分数坐标分别为（0,0,0）和（1,I,1）,阿伏加德罗常数的值为NA。下列选项中错

误的是（）

Q

A.该晶体的化学式是YBa2cli307

B.晶胞中的Cu（II）和Cu（III）个数比是1：2

15

C.M原子的分数坐标为8,一-

26

D.该晶体的密度是p=^%xl030g.cm—3

II.（2024秋•辽宁期末）我国科学家成功合成了世界上首个五氮阴离子盐（N5）6（H3O）2（NH4）4。

（用R代表），经X射线衍射测得化合物R的晶体结构，其局部结构如图所示。从结构角度分析，R中

两种阳离子不同之处为（）

OH

Oo

•N

A.电子总数

B.中心原子的价层电子对数

C.空间结构

D.共价键类型

12.（2025秋•大同期中）错（Zr）是重要的战略金属，可从其氧化物中提取。如图是某种错的氧化物晶体

的立方晶胞，NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是（)

Zr

A.该氧化物的化学式为Zr20

B.晶胞中与Zr最近且距离相等的。有8个

492X1（13。

C.该氧化物的密度为r——g-cm-3

N4a3。

D.若p处Zr坐标为i,》则4处Zr的坐标参数为G，》

13.（2025秋•重庆期中）几种常见物质的晶体结构如图所示,从左到右分别为氯化钠、碘、金刚石和钠,

A.若氯化钠晶体中C厂之间的最近距离为apm,则氯化钠品胞的边长为三即7九

B.碘晶胞中12分子有两种不同的取向

C.若金刚石中C原子的半径为cpm,则金刚石晶胞的体对角线长度为8cpm

D.钠晶体中每个Na原子周围有8个紧邻的Na原子

14.（2025•晋中三模）我国科学家发明了一种成分为ZrO2的催化剂，用于二氧化碳加氢合成甲醇，其四

方晶胞如图所示，已知该晶胞参数为叩m、叩m、cpm,阿伏加德罗常数的值为NA,下列说法正确的是

A.Z「4+与。2一的配位数之比为1：2

i4x91+8x16y3

B.该晶体的出,度为1;~--21g.em

221&

acxNAxiO-

Zr”与O2的最短距离为座apm

C.

4

D.。2-填充在由Zr"构成的四面体空隙中

6（2025•蚌埠模拟）硼氢化钠在室温下是立方晶体，晶胞如图甲所示。甲在一定条件下转变为四方晶体,

晶胞结构和晶胞参数如图乙所示。下列说法不正确的是（）

A.甲图硼氢化钠的立方晶体中的配位数为6

152X1（）23

B.硼氢化钠四方晶体密度为一^—g-cm-3

C.若A点的分数坐标为（0,0,0）,B点的分数坐标为（；，；，1）

V6

D.乙图晶胞中A和B之间的距离为々"Qmn

16.（2025秋•南宁期中）NbO的立方晶胞如图，晶胞参数为anm,P的分数坐标为（0,0,0）,下列说法

正确的是（）

Oo

。Nb

A.O的配位数是6

B.Nb和O的最短距离为

C.晶体密度。=嗯g/cm3

3

NAxaxlO'1"

D.M点的分数坐标为5

17.（2025秋•重庆月考）KIO3晶体具有钙钛矿型的立力结构，其一种晶胞如图所示，其中顶点为K,晶

胞边长为叩m,下列说法不正确的是（)

1

A.I和0之间最近的距离为3即771

B.KI03的另一种晶胞图中，若I在顶点，则O在棱心

C.距离K最近的。有6个

D.晶体密度p=.39+：27空1力-3（设NA为阿伏加德罗常数的值）

N/[Q3X103"

18.（2025春•荔湾区校级月考）一种铀的氧化物晶体结构可描述为U与空位交替填充在由氧原子构成的

体枳相等的立力体体心，形成如图所示的结构单元。该氧化物的立力晶胞的晶胞参数为anm,其最荷式

的式量为Mr,NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是（）

B.与U原子距离最近且相等的O原子有6个

C.O原子与U原子最近的距离为;

D.该晶体的密度为~-cm~3

心以3.10-30J

19.（2025•湖南一模）由Cs+和[PbBr6]4-组成的晶体属于典型的钙钛矿结构，其晶胞结构如图1所示，该

该晶体的化学式为CxPbBs

与Cs+距离最近且相等的有8个

该晶体的密度为p=---^80-2\9/cm

^•a3xl0

D.图2所示的结构，也是该晶体的一个晶胞

20.（2025•全国三模）二氧化钵（CeO2）氧载体具有良好的储氧放氧能力，可用于甲烷化学链重整，其原

理如图所示。下列相关说法错误的是（）

。气空位

CO,

还原

CeO2CeOz-x

A.通入CH4后CeO2被氧化

B.CeO2中O的配位数为4

C.图示CeO2-x中n（Ce4+）：n（Ce3+）=1：1

129VlQ

D.若CeO2中Ce、O最短距离为acm,则其密度为•。，九与

3

4aNA

2026年高考化学模拟试卷重点知识题型汇编——答案

一.选择题（共20小题）

题号I234567891011

答案ADBCCDDBCBC

题号121314151617181920

答案AADBBCCDA

选择题（共20小题）

1.（2025•黑龙江二模）广泛应用于相控阵雷达半导体材料氮化保有不同的晶型，其中六方氮化钱和立方

氮化像晶胞相互转化关系如图。已知立方氮化像的晶胞参数为apm。下列说法正确的是（）

六方氮化保立方氮化银

A.六方氮化钱中Ga和N的配位数均为4

B.立方氮化线中若B原子坐标为信，/，则A原子坐标为（0,|）

C.立方氮化像中Ga和N的最小核间距为fapm

D.六方氮化做和立方氮化钱的化学式均为Ga6N6

【答案】A

【分析】A.在六方氮化线结构中，Ga和N均采取sp3杂化，形成四面体配位，每个原子周围有4个相

邻的异种原子：

B.在立方氮化像中，若B原子坐标为（：ii）,A原子若为面心立方格子的顶点原子；

444

C.立方氮化像中Ga和N的最小核间距为四面体空隙原子与顶点原子的距离，即体对角线的.

4

D.晶体化学式需化简呈最简整数比，六方和立方氮化铁中Ga与N的个数比均为1：1。

【解答】解：A.在六方氮化银结构中，Ga和N均采取sp3杂化，形成四面体配位，每个原子周围有4

个相邻的异种原子，因此Ga和N的配位数均为4,故A正确；

311

B.在立方氮化钱中，若B原子坐标为（:-）,A原子若为面心立方格子的顶点原子，坐标应为（0,

444

0,0）,故B错误；

1

C.立方氮化线中Ga和N的最小核间距为四面体空隙原子与顶点原子的距离，即体对角线的：，其距

4

离为出apm，而不是二apm，故C错误：

D.六方和立方氮化线中Ga与N的个数比均为1：1,故它们的化学式应为GaN,故D错误；

故选：Ao

【点评】本题考查晶体结构，侧重考查基础知识的掌握情况，试题难度中等。

2.（2025秋•泊头市期中）伸化保（GaAs）是一种重要的半导体材料，可用于制作集成电路衬底、红外探

测器、Y光子探测器等，其晶胞结构如图所示，晶胞参数为anm。下列说法错误的是（）

A.基态Ga原了一的核外电了可丰布式为[Ar]3d"）4s24Pl

B.该晶胞中2号As原子坐标为号，1）

C.晶体中每个Ga原子周围有4个紧邻且等距的As原子

D.该晶体的密度d=J*嚼—g/cm3

a3xl03°以

【答案】D

【分析】A.Ga位第四周期第HIA族；

B.由晶胞结构可知，以晶胞的一个顶点为原点建立空间直角坐标系，2号As原子位于晶胞体对角线的

「3处；

4

C.晶体中每个As原子周围有4个紧邻且等距的Ga原子；

11

D.根据均摊法，该晶胞中As原子个数为4（位于晶胞内），Ga原子个数为8X4,则晶胞

中共含4个As原子和4个Ga原子。

【解答】解：A.Ga位第四周期第IHA族，基态原子核外电子排布式为[Ar]3d1°4s24pl故A正确；

3

B.以晶胞的一个顶点为原点建立空间直角坐标系，2号As原子位于晶胞体对角线的二处，故2号As

4

原子坐标为弓，I，1),故B正确；

C.晶体中每个As原子周围有4个紧邻且等距的Ga原子，由于GaAs中两原子配位数相等，故每个

Ga原子周围有4个紧邻且等距的As原子，故C正确：

D.根据均摊法，该晶胞中As原子个数为4,Ga原子个数为8x4+6x^=4,则晶胞中共含4个As

oL

原子和4个Ga原子，故晶体的密度d=9%病,故D错误;

a3xl0以

故选：D。

【点评】本题考查晶体结构，侧重考查学生晶胞计算的掌握情况，试题难度中等。

3.(2025秋•南开区校级月考)[Mg(NH3)6]。2的晶胞是立方体结构，边长为anm,结构示意图如图所

示。下列说法错误的是()

O[Mg(NHJ6]2+

ocr

A.基态镁原子的电子排布式为Is22s22P63s2

B.[Mg(NH3)6]C12中存在IT键

C.[Mg(NH3)6]C12的配离子中Mg2+的配位数为6

V2

D.晶胞中距离最近的两个阳离子间的距离为半anm

【答案】B

【分析】A.Mg原子核外有12个电子，根据能量最低原理书写核外电子排布式；

B.Mg2+与NH3之间形成配位键，NH3中原子之间形成共价键，[Mg(NH3)6产与C「之间形成离子键；

C.Mg2+与6个NH3之间形成配位键；

D.面心与顶角的2个阳离子之间距离最近，二者距离等于面对角线长度的、

【解答】解：A.Mg原子核外有12个电子，根据能量最低原理，可知基态镁原子的电子排布式为

Is22s22P63s2,故A正确;

B.Mg2+与NH3之间形成配位健，NH3中原子之间形成共价键，[Mg(NH3)6/与C「之间形成离子键，

|Mg(NH3)6]02中不存在n键，故B错误；

C.Mg2+与6个NH3之间形成配位键，配离子中Mg2+的配位数为6,故C正确；

D.面心与顶角的2个阳离子之间距离最近，二者距离等于面对角线长度的右晶胞中距离最近的两个

阳离子间的距离为-xV2anm=§anm,故D正确；

2/

故选：Bo

【点评】本题考查晶胞计算与结构、化学键、核外电子排布等，需要学生具备扎实的基础、一定的数学

计算能力试题难度中等。

4.(2025秋•皇姑区校级月考)储氢材料MgH2的晶胞结构如图所示，已知MgH2的摩尔质量为Mg/mol,

阿伏加德罗常数的值为NA。下列说法正确的是()

4J"o

B.晶体密度的计算式为『《-g/cn?

NACLC

C.H的配位数为3

D.晶胞中含有2个H

【答案】C

【分析】A.Mg2+(i)和Mg2+(ii)之间的距离等于晶胞体对角线长度的一半，结合晶胞结构，体对

角线为V2a2+c2nm；

B.该晶胞的体积为a2cXl()Fcm3,Mg?+的个数为2,H的个数为4x*+2=4,一个晶胞中含有2个

MgH2,晶体密度为p=£：

C.由晶胞结构，与H-距离最近且等距离的Mg2+的个数是3；

D.H位于晶胞的面心，该晶胞中H-的个数为4x/+2=4。

【解答】解：A.Mg2+(i)和Mg2+(ii)之间的距离等于晶胞体对角线长度的一半，结合晶胞结构，

，2a2+2

体对角线为，2a2+c2nm,Mg2+(i)和Mg?+(ii)之间的距离为--------nm,故A错误；

B.该晶胞的体枳为「cXlollcn?,Mg2+的个数为2,H+的个数为4x/+2—4,一个晶胞中含有2个

MgH2,故晶体密度为p=f二xdig/cnA故B错误；

C.由晶胞结构，与H-距离最近且等距离的Mg2+的个数是3,则H-的配位数为3,故C正确;

D.H位于晶胞的面和体内，该晶胞中H-的个数为4x^+2=4,故D错误；

故选：Co

【点评】本题考查晶胞的计算，侧重考查图象分析判断、空间想象能力和计算能力，明确离子在晶胞中

的位置、晶胞密度的计算方法是解本题关键，注意单位的换算，题目难度不大。

5.（2025・4月份模拟）一种锂电池的正极材料为某种铁的氧化物，晶胞结构如图】所示，该晶胞由如图2

所示的a、b两种结构单元组成，电池工作或充电时，Li+嵌入或脱嵌于晶胞棱心和体心。下列说法错误

A.Li.没有嵌入时一个晶胞中Fe?+与Fe3+总数为24个

B.Li+嵌入时，Fe3+被还原为Fe?+

C.电池充电时，Li+嵌入到该铁的氧化物中

D.Li+全部嵌入时，晶体中F¥+数与Fe3+数之比为1：1

【答案】C

【分析】A.均摊法计算a、b结构单元中Fe2+、Fe?+数目，而晶胞图1含有4个a结构单元、4个b结

构单元；

B.根据化合价代数和为0,可知晶胞中阳离子所带电荷总数不变，LJ嵌入晶胞棱心和体心，Fe3+被还

原；

C.电池充电时，正极失去电子；

D.计算图I晶胞中Fe2+、Fe3+各自数目，Li+嵌入晶胞楂心和体心，一个晶胞中最多含有（l+12x1）

=4个Li+,最多有4个Fe3+被还原为Fe?+,进而计算Fe2+、Fe?+数目之比。

【解答】解：A.晶胞图1含有4个a结构单元、4个b结构单元，则个晶胞含有Fe3+数目为4X4=16,

含有Fe2+数目为（4x2+4x，l）X4=8,Li*没有嵌入时一个晶胞中Fe?+与Fe?+总数为68=24个,

OO

故A正确；

B.Li，嵌入晶胞棱心和体心，一个晶胞中最多含有（1+I2xb=4个Li+,而I个晶胞含有16个Fe3+

数、8个Fe2+,根据化合价代数和为0,可知晶胞中阳离子所带电荷总数不变，则最多有4个Fe3+被还

原为Fe?+,故B正确；

C.电池充电时，正极失去电子，所以Li+从铁的氧化物中脱嵌出来，故C错误；

D.由A计算可知，Li+没有嵌入时个晶胞含有8个R?+、16个氏“，Li+全部嵌入时，个晶胞中最

多含有（l+12xi）=4个Li+,则有4个Fe3+被还原为Fc?+,Li+全部嵌入时，晶体中Fe?-数与Fe3+数

之比为（16-4）：（8+4）=1：1,故D正确；

故选：Co

【点评】本题考查晶胞结构与计算，理解原电池与电解池工作原理，掌握均摊法进行晶胞有关计算，需

要学生具备扎实的基础、一定的空间想象能力以及综合运用知识的能力。

6.（2025•永州模拟）硒化锌（ZnSe）是一种重要的半导体材料，其晶胞结构如图甲所示，乙图为该晶胞

沿z轴方向在xy平面的投影，已知晶胞边长为叩m,阿伏加德罗常数的值为NA,下列说法正确的是（）

A.Zn位于元素周期表的d区

B.基态Se原子核外有18种不同运动状态的电子

112

C.A点原子的坐标为（0,0,0）,则B点原子的坐标为q,4，4）

(65+79)x4一

D.该晶体密度为3

lo39'cm

(axlO-)/Vx

【答案】D

【分析】A.Zn的原子序数为30,核外电子排布式为Is22s22P63s23P63/°4S2；

B.基态Se原子核外有34个电子，每个电子的运动状态都大同；

C.A点原子的坐标为（0,0,0）,结合由晶胞的结构图分析；

D.由晶胞结构可知，Zn原子位于晶胞内部，个数为4,Se原子位于顶点和面心。

【解答】解：A.Zn的原子序数为30,核外电子排布式为Is22s22P63s23P63d4s2,位于元素周期表的

ds区，故A错误;

B.基态Se原子核外有34个电子，每个电子的运动状态都不同，所以有34种不同运动状态的电子,

故B错误；

C.由晶胞的结构图和图乙可知若A点原子的坐标为（0,0,0）,则B点原子的坐标为

故C错误；

D.均摊：计算晶胞中的微粒数目：顶点位置：处于顶点的微粒被8个晶胞共享，每个晶胞分摊到八分

之­;棱上位置.：处于棱上的微粒被4个晶胞共享，每个晶胞分摊到四分之•；面上位置：处于面上的

微粒被2个晶胞共享，每个晶胞分摊到二分之一；内部位置：处于晶胞内部的微粒完全属于该晶胞，由

晶胞结构可知，Zn原子位于晶胞内部，个数为4,Se原子位于顶点和面心，个数为8x：+6X义=4,

OL

则晶胞的质量为晶胞边长为apm=aX10Wm,晶胞体积为（aX10”°cm）3,根据密度

NA

公式P=§，可得该晶体密度为，：：：［焉:故D正确；

ICv人JLU1/VA

故选：Do

【点评】本题主要考查晶胞的计算等，注意完成此题，可以从题干中抽取有用的信息，结合已有的知识

进行解题。

7.（2025•西安校级模拟）二氧化珅（CcO2）可作脱硝催化剂，其理想晶胞如图甲所示。CcO2催化脱硝时，

能在Ce4+和Ce3+之间改变氧化状态，将NO氧化为NO2,并引起氧空位的形成，得到新的锦氧化物

（Ce80i5）.该催化脱硝时可能的变化如图乙所示。下列有关说法不正确的是（）

•O2-O较空位OC产或C产

乙

A.CeO2理想晶胞中，十的配位数为8

688o

B.若CeO2埋想晶胞边长为anm,则晶体笛度为一元1x10/g•cm3（其中NA为阿伏加德罗常数的

值）

C.Ce80i5中C/+和Ce3+个数比为3：I

D.每氧化标准状况下11.2LNO气体，则生成lmolCe8Oi5

【答案】D

【分析】A.根据CeO2理想品胞图，与Ce"距离最近且相等的0?一数为8：

B.根据均摊原则，CeO2理想晶胞中含有Ce4+个数为8X：+6X2=4、O?-个数为8；

C.Ce8Oi5中Ce4+和Ce3+个数分别为X和8-X,则4x+3(8-x)=30,x=6：

D.根据Ce元素守恒8CeO2〜Ce8Oi5,生成ImolCegOi5提供ImolO原子,NO氧化为NCh。

【解答】解•：A.根据二氧化钻理想晶胞图，与Ce4+距离最近且相等的。2-数为8,CJ+的配位数为8,

故A正确：

B.均摊：计算晶胞中的微粒数目：顶点位置：处于顶点的微粒被8个晶胞共享，每个晶胞分摊到八分

之一；棱上位置.：处于棱上的微粒被4个晶胞共享，每个晶胞分摊到四分之一；面上位置：处于面上的

微粒被2个晶胞共享，每个晶胞分摊到二分之一；内部位置：处于晶胞内部的微粒完全属于该晶胞，

CeO2理想晶胞中含有Ce4十个数为8X5+6X2=4、O?-个数为8,若二氧化钵理想晶胞边长为anm,

oZ

则晶体密度为”cm3=x1021g-cm~3,故B正确；

-73frA

(axlO)x/V/laNA”

C.CesOis中Ce4+和a?+个数分别为x和8-x,则4x+3(8-x)=30,x=6,Cc4+和C?+个数比为3：

1,故C正确；

D.根据Ce元素守恒8CeO2〜Ce80i5,生成ImolCe80i5提供ImolO原子，NO氧化为NCh,每氧化

标准状况下1L2LNO气体，需要0.5molO原子，所以生成0.5molCe80i5,故D错误；

故选：D。

【点评】本题主要考查晶胞的计算等，注意完成此题，可以从题干中抽取有用的信息，结合已有的知识

进行解题。

8.(2025•石家庄模拟)二氟化铅(PbF2)晶体可用作红外线分光材料。若用O和O来表示PbF2中的两种

禽子,其中。在立方晶胞中的位置如图甲所示，晶胞中ACGE和BDHF的截面图均如图乙所示。已知

晶胞参数为apm。NA表示阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是()

图甲图乙

A.。表示Pb?+

B.Pb2+的配位数为6

C.Pb?+与F的最小间距为坐apm

4

4x245

D.晶体的密度为3■，C30Zg.cm

330

axl0NA0

【答案】B

【分析】A.晶胞中。的数目为8,。的数目为8x<+6x：4；

oL

B.以上面的面心为例，距离Pb2+最近的F-下面有4个，上面有4个；

C.Pb2+与F的最小间距为体对角线的；；

4

4x245m

D.晶胞的质量为一『g,晶胞的体积为a3><l（）3（）cm3,代入公式「=多可得晶胞的密度。

【解答】解：A.晶胞中O的数目为8,。的数目为8x：+6x,=4,则O表示Pb2+,故A正确；

B.以上面的面心为例，距离Pb2+最近的F-下面有4个，上面有4个，因此Pb2+的配位数为8,故B

错误；

1A/Q

C.Pb"与F的最小间距为体对角线的一，为一apm,故C正确；

44

D.晶胞的质最为年竺g,晶炮的体积为a3xW3%m3,则晶胞的密度p=£二着翡1g.cnT?,

"Qx10"A

故D正确；

故选：Bo

【点评】本题主要考查晶胞的计算，为高频考点，题目难度一般。

9.（2025•湖北模拟）某铜钱硫化物是一种具有广泛应用前景的半导体材料，其晶胞结构如图所示。下列

说法错误的是（）

A.第一电离能S>Ga

B.该化合物的化学式为CuGaS2

C.Cd和S?-的配位数分别为4和6Ga

D.Ga3+填充在S2-形成的正四面体空隙中

【答案】C

【分析】A.S是非金属元素，而Ga是活泼金属元素；

B.均摊法计算晶胞中Cu、Ga、S原子数目，进而确定化学式；

C.体心的Cu+周围有4个S2,体内的每个S?♦周围有2个Cu+和2个Ca3+；

D.Ga3+周围的4个S?-形成的正四面体。

【解答】解：A.S是非金属元素，而Ga是活泼金属元素，所以第一电离能：S>Ga,故A正确；

B.晶胞中，Cu原子数目为Ga原子数目为6x2+4x《=4.S原子数目为8,三者

数目之比为1：1：2,故化学式为CuGaS2,故B正确；

C.体心的Cu+周围有4个S?-,体内的每个S?-周围有2个Cu+和2个Ca3+,因此Ci?和S?一的配位数

都为4,故C错误；

D.Ga3+周围的4个S2-形成的正四面体，Ga3+填充在S?一形成的正四面体空隙中，故D正确：

故选：Co

【点评】本题考查晶胞结构与计算，掌握均摊出进行晶胞有关计算，需要学生只备扎实的基础，题目侧

重考查学生分析能力以及对基础知识的掌握情况。

10.（2025•汉中三模）钙钛矿型氧化物具有立方晶胞结构，其中一种氧化物高温超导陶瓷可通过多倍钙钛

矿晶胞叠加而得，其晶体的结构如图所示。已知，组成该多倍钙钛矿晶胞的金属元素有Y（钻，III）、

Ba（II）和Cu（II、HI）,晶胞参数分别是apm、叩m、3apm,该物质的摩尔质量为Mg・molI晶胞

中P、Q原子的分数坐标分别为（0,0,0）和（1,1,1）,阿伏加德罗常数的值为NA。下列选项中错

A.该晶体的化学式是YBa2Cu3O7

B.晶胞中的Cu(H)和Cu(IH)个数比是1：2

C.M原子的分数坐标为弓，|)

D.该晶体的密度是0=五翡乂103。97血-3

【答案】B

【分析】A.由晶胞结构可知，利用均摊法计算原子个数：Y原子位于晶胞内部，个数为1;Ba原子位

于晶胞内部,个数为2；

B.设Cu(II)为x,Cu(III)为y,x+y=3,总正电荷3+2X2+2x+3y=14,解得x=2,y=1；

C.M原子在x、y方向为晶胞中心(3，z方向实际坐标为2.5apm；

D.晶胞体积为V=(aX10',0cm)X(aX10',0cm)X(3aX10l0cm)=3a3X10'30cm\结合密度

的计算式分析。

【解答】解：A.均摊：计算晶胞中的微粒数目：顶点位置：处于顶点的微粒被8个晶胞共享，每个晶

胞分摊到八分之一；棱上位置：处于棱上的微粒被4个晶胞共享，每个晶胞分摊到四分之一；面上位置：

处于面上的微粒被2个晶胞共享，每个晶胞分摊到二分之一；内部位置：处于晶胞内部的微粒完全属于

该晶胞，由晶胞结构可知，利用均摊法计算原子个数：Y原子位于晶胞内部，个数为1；Ba原子位于晶

胞内部，个数为2；Cu原子位于晶胞顶点和棱上，个数为8x,+8x1=3；0原子个数：晶胞中棱上、

面上的0原子，通过均摊法计算可得0原子个数为12x4+8x/=7。所以该晶体的化学式是

YBa2Cu3O7,故A正确；

B.设Cu(II)为x,Cu(III)为y,x+y=3,总正电荷3+2X2+2x+3y=14,解得x=2,y=l,所以

晶胞中的Cu(II)和Cu(III)个数比是2：1,故B错误；

112.5a51

C.M原子在x、y方向为晶胞中心(-，-),z方向实际坐标为2.5apm,分数坐标为:一=即《，

223a64

\，|)，故C正确;

D.晶胞体积为V=(aX10'10cm)X(aX10',0cm)X(3aXlO',ocm)=3a3X1030cm3,密度p=

M

Mxl(pOg.cm-3,故D正确;

3a3xl(p3°-3a3.可力

故选：Bo

【点评】本题主要考查晶胞的计算等，注意完成此题，可以从题干中抽取有用的信息，结合已有的知识

进行解题。

II.（2024秋•辽宁期末）我国科学家成功合成了世界上首个五氮阴离子盐（N5）6（H3O）2（NH4）4G

（用R代表），经X射线衍射测得化合物R的晶体结构，其局部结构如图所示。从结构角度分析，R中

两种阳离子不同之处为（）

••

F…口”

凝

A.电子总数

B.中心原子的价层电子对数

C.空间结构

D.共价键类型

【答案】C

【分析】R中两种阳离子分别是H3O+和NH；。

【解答】解：A.H3O+和NH：均含有1（）个电子，故A错误；

B.H3O+的中心原子O的价电子对数为3+6T；J、=3+1=4,的中心原子N的价电子对数为

4+r1x4=4+0=4,即两种离子的中心原子的价层电子对数相同，故B错误；

C.N用■的中心原子N的价电子对数为4+上写3=4+0=4,采取sp3杂化，无孤电子对，其空间构

型为正四面体形，出0♦的中心原子O的价电子对数为4,采取sp3杂化，含有1个孤电子对，其空间构

型为三角锥形，即两种离子的空间结构不同，故C正确；

D.H3O+和NHj都含有极性共价键，故D错误；

故选：Co

【点评】本题主要考查晶胞的计算等，注意完成此题，可以从题干中抽取有用的信息，结合已有的知识

进行解题。

12.（2025秋•大同期中）错（Zr）是重要的战略金属，可从其氧化物中提取。如图是某种错的氧化物晶体

的立方晶胞，NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是（)

Zr

A.该氧化物的化学式为Zr2O

B.晶胞中与Zr最近且距离相等的O有8个

492X1（13。

C.该氧化物的密度为r——9•cm"3

NAa^

D.若p处Zr坐标为i,》则4处Zr的坐标参数为得，%,》

【答案】A

【分析】A.根据均摊法，晶胞中O的数目为8x^+6x2+12xJ+l=8,Zr的数目为4：

B.由晶胞的结构可知，晶胞中Zr与。的配位数分别为8和4；

C.晶胞的质量为4"：+321=岩晶胞的体积为23x1（）3%m3,代入公式p=，可得晶胞的密度;

1133

D.若p处Zr坐标为号,-^--

4,44

【解答】解：A.根据均摊法，晶胞中0的数目为8x黑6x2+12xJ+l=8,Zr的数目为4,则该氧

化物的化学式为ZrO2,故A错误；

B.由晶胞的结构可知，晶胞中与Zr最近且距离相等的O有8个，故B正确；

C.晶胞的质量为4乂（彳+32）己=攀且,晶胞的体积为23义10-3。叩3,晶胞的密度为p=£=49第030g

4AA

•cm3,故C正确；

D.若p处Zr坐标为（寺,寺，》则4处Zr的坐标参数为弓，弓，》，故D正确；

故选：A。

【点评】本题主要考查晶胞的计算，为高频考点，题目难度不大。

13.（2025秋•重庆期中）几种常见物质的晶体结构如图所示，从左到右分别为氯化钠、碘、金刚石和钠,

下列说法不正确的是（）

A.若氯化钠晶体中C「之间的