CN110739266B 制造半导体器件的方法 （三星电子株式会社）

属布线和包围所述第一金属布线的第一层间绝述第一通孔层包括与所述第一金属布线电连接的第一通孔和包围所述第一通孔的第二层间绝缘膜；并且在所述第一通孔层上形成第二布线的第二金属布线和包围所述第二金属布线的第氘并且通过使用包含氘的第一气体和包含氢的2在衬底上形成第一布线层，所述第一布线层包括第一金属布线在所述第一布线层上形成第一通孔层，所述第一通孔层包在所述第一通孔层上形成第二布线层，所述第二布线层包其中，所述第三层间绝缘膜包含氘并且通过使用第一气体和在所述第一通孔层上形成所述第二金属布线，形成所述第二金属在对所述第二金属布线材料进行图案化之后，形成所在所述第二布线层上形成第二通孔层，所述第二通孔层包在所述第二通孔层上形成第三布线层，所述第三布线层包形成填充所述第三沟槽并与所述第二金属布线电连接的第三通孔6.根据权利要求1所述的方法，其中，通过在低于450℃的温度下的等离子体增强化学在形成所述第二层间绝缘膜时不使用氘源，使得所述第二层间绝缘膜不包含添加的3形成覆盖所述第一层间绝缘膜和所述第一金属布线的第一蚀在所述第一蚀刻停止膜上形成第二层间绝缘膜，所述在所述第二层间绝缘膜和所述第一通孔上形成第二金属布线在对所述第二金属布线材料进行图案化之后，在所述第二其中，所述第三层间绝缘膜包括氘并且通过使用第一在所述第二蚀刻停止膜上形成第四层间绝缘膜，所述三层间绝缘膜的一部分和所述第二蚀刻停止膜所述第一层间绝缘膜至所述第三层间绝缘膜在形成所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜时不使设置在所述第一层间绝缘层上的第一绝缘层，包括氮化硅、氮氧接触结构，穿过所述第二层间绝缘层和所述第一绝缘层并接触所4第一上部布线，设置在所述第三层间绝缘层中并接触所述接第二绝缘层，设置在所述第三层间绝缘层上并接触所述第所述第一上部布线的顶表面设置为低于所述第三层间绝缘层其中第三层间绝缘层包括设置在所述第一上部布线15.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述第一上部布线的所述顶表面和侧表16.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述第一上部布线的底表面与所述第二17.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述下部布线的顶表面与所述第一层间所述第一上部布线的所述第一布线图案的底表面接触所述接触结构的顶表面和所述所述第一上部布线的所述第三布线图案的顶表面接触所述第三层所述第二布线图案和所述第三布线图案中的每一个的侧表面接触所述第三层20.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述第一绝缘层的底表面接触所述下部21.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述接触结构的顶表面与所述第二层间5所述下部布线的顶表面与所述第一层间绝缘层的顶表面基本上共面，并所述接触结构的顶表面与所述第二层间绝缘层的顶表面基所述第一上部布线的底表面接触所述接触结构的顶表面和所述第二层间绝缘层的顶所述第一上部布线的顶表面和侧表面与所述第三24.根据权利要求23所述的半导体器件，其中所述第一上部布线的顶表面设置为低于其中，所述第三层间绝缘层包括设置在所述第一上部布线27.根据权利要求23所述的半导体器件，其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的第一绝缘层，设置在所述第一层间绝缘层上并包括氮化其中，所述下部布线的顶表面与所述第一层间绝缘层的顶表所述接触结构的顶表面与所述第二层间绝缘层的顶表面基6所述接触结构接触所述第一绝缘层并与所述第二绝缘层所述上部布线的顶表面与所述第三层间绝缘层的顶表面基所述上部布线的顶表面的宽度大于所述上部布线的底表面上部布线包括第一部分和设置在所述第一部分上其中，所述下部布线的顶表面与所述第一层间绝缘层的顶表所述上部布线的所述第一部分的侧表面接触所述绝缘层和所述第二层所述上部布线的所述第二部分的顶表面与所述第二层间绝缘层的顶表面基所述上部布线的所述第二部分的底表面接触所述上部布线的所述第一部分的顶表面所述上部布线的第二部分的底表面的宽度大于所述上部布线的第一部分的顶表面的7利申请No.10-2018-00839通孔和包围所述第一通孔的第二层间绝缘膜；并且在所述第一通孔层上形成第二布线层，所述第二布线层包括与所述第一通孔电连接的第二金属布线和包围所述第二金属布线的缘膜包括氘并且通过使用包含氘的第一气体和包含氢的第二种气体的化学气相沉积而形[0008]通过参考附图详细描述示例实施例，特征对于本领域技8[0009]图1示出了用于说明通过根据示例实施例的半导体器件制造方法所制造的半导体[0011]图8示出了用于说明通过根据示例实施例的半导体器件制造方法所制造的半导体[0012]图9和图10是示出了中间制造阶段的视图，这些视图用于说明根据示例实施例的[0017]图1是用于说明通过根据示例实施例的半导体器件制造方法所制造的半导体器件[0018]参考图1，通过根据示例实施例的半导体器件制造方法所制造的半导体器件包括[0021]第一布线层110可以形成在衬底100上。第一布线层110可以包括例如第一金属布[0022]第一层间绝缘膜114可以形成在衬底100上。第一层间绝缘膜114可以形成为包围第一金属布线111。第一层间绝缘膜114可以包括形成在第一层间绝缘膜114内的第一沟槽9[0027]可以通过填充第一沟槽T1在第一沟槽T1内形成第一金属布线111。第一金属布线[0031]第一覆盖膜113可以形成在第一金属布线111的上表面上。第一覆盖膜113可以例[0034]第一通孔层120可以形成在第一布线层110上。第一通孔层120可以包括第一通孔[0035]第一蚀刻停止膜125可以形成在第一布线层110上。第一蚀刻停止膜125可以包括[0036]第二层间绝缘膜124可以形成在第一蚀刻停止膜125上。第二层间绝缘膜124和第一蚀刻停止膜125可以形成为包围第一通孔槽T2可以穿透第二层间绝缘膜124和第一蚀刻停止膜125以形成为使得第一覆盖膜113可以[0038]第二层间绝缘膜124可以包括例如与第一层间绝缘膜114相同的材料，例如氧化124可以包括与第一层间绝缘膜114不同的材[0042]第二布线层130可以形成在第一通孔层120上。第二布线层130可以包括第二金属[0043]第三层间绝缘膜134可以形成在第一通孔层120上。第三层间绝缘膜134可以形成[0044]第三层间绝缘膜134可以形成为与第二层间绝缘膜124直接接触。根据示例实施[0045]第三层间绝缘膜134可以形成为覆盖第二金属布线131的上表面。根据示例实施[0048]第一层间绝缘膜114和第二层间绝缘膜124可以不包括例如超过其天然存在量的膜132的一部分可以形成在第二层间绝缘膜1[0051]第二金属布线131可以形成在第二阻挡膜132上。第二金属布线131可以形成为与[0053]第二覆盖膜133可以形成在第二金属布线131的上表面上。第二覆盖膜133可以包[0060]根据示例实施例，可以通过在蚀刻停止膜和第一层间绝缘膜114顺序地堆叠在衬底100上之后用掩模图案蚀刻该蚀刻停止膜和第一层间绝缘膜114[0061]参考图3，可以在第一沟槽T1内沿第一沟槽T1的侧壁和底表面形成第一阻挡膜[0063]参考图4，第一蚀刻停止膜125和第二层间绝缘膜124可以顺序地堆叠在第一布线[0066]参考图5，可以在第二沟槽T2内沿第二沟槽T2的侧壁和底表面形成第一通孔阻挡该第二阻挡膜132、第二金属布线131和第二覆盖膜133以顺序次序堆叠在第一通孔层1203333[0079]可以通过上述制造方法来制造图1中所示的半导体器件。尽管本说明书描述了使突出与图1至图7中所示的用于制造半导体器件[0081]图8是用于说明通过根据示例实施例的半导体器件制造方法所制造的半导体器件[0083]气隙235可以形成在两个堆叠（这两个堆叠彼此移位并且通过顺序地堆叠第二阻将重点突出与图1至图7中所示的用于制造半导体器件的方法[0085]图9和图10是示出了中间制造阶段的视图，这些视图用于说明根据示例实施例的孔层120上形成包括第三沟槽T3的第三层间绝[0089]参考图10，可以在第三沟槽T3内沿第三沟槽T3的侧壁和底表面形成第二阻挡膜[0092]在下文中，将参考图11和图12描述根据示例实施例的用于制造半导体器件的方三层间绝缘膜434内形成第四沟槽T4和在第四沟槽T4上的第五沟槽T5，以暴露出第一覆盖在第二阻挡膜432和第一通孔421上形成第二金属布线431以填[0101]可以通过相同的工艺形成第一通孔421和第二金属布线431。第一通孔421和第二[0102]接下来，随着在第二金属布线431上形成第二覆盖膜433，可以形成第二布线层[0103]在下文中，将参考图13至图16描述根据示例实施例的用于制造半导体器件的方化硅等。第四层间绝缘膜544可以包括与第一层间绝缘膜114和第二层间绝缘膜124相同的[0107]第三蚀刻停止膜545和第四层间绝缘膜544中的每一个可以例如通过CVD等来形[0114]第四蚀刻停止膜555和第五层间绝缘膜554中的每一个可以例如通过CVD等来形孔层540上形成包括第七沟槽T7的第五层[0116]参考图16，可以在第七沟槽T7内沿第七沟槽T7的侧壁和底表面形成第三阻挡膜[0118]第三金属布线551可以与第二通孔541电连接。第三金属布线551可以包括例如以[0120]在下文中，将参考图17和图18描述根据示例实施例的用于制造半导体器件的方六层间绝缘膜654内形成第八沟槽T8和在第八沟槽T8上的第九沟槽T9，以暴露出第二覆盖在第四阻挡膜652和第三通孔641上形成第四金属布线651以填充[0129]可以通过相同的工艺形成第三通孔641和第四金属布线651。第三通孔641和第四[0130]接下来，随着在第四金属布线651上形成第四覆盖膜653，可以形成第四布线层领域技术人员将理解，在不脱离如所附权利要求中阐述的本发明的精神和范围的前提下，