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文档简介
1第12章:实验11读写内部Flash实验——卓越工程师培养系列——2
通过按下按键KEY1向STM32的内部Flash起始地址为0x0800C000的存储空间写入“0xFFFFFFFF,0xFFFFFFFF”,合计8个字节,按下按键KEY2向STM32的内部Flash起始地址为0x0800C000的存储空间写入“0x76543210,0x89ABCDEF”,合计8个字节,按下按键KEY3读取STM32的内部Flash起始地址为0x800C000的存储空间中的数据,依次读取出8个字节数据。右图所示的是向STM32的内部Flash起始地址为0x0800C000的存储空间写入“0x76543210,0x89ABCDEF”的示意图。《医用单片机开发实用教程-基于STM32F4》-配套讲义1.实验内容3STM32片内自带Flash和SRAM,Flash主要用于存储程序,SRAM主要用于存储程序运行过程中的中间变量,通常不同型号STM32的Flash和SRAM大小是不相同的。Flash存储器又称为闪存,它与EEPROM都是掉电后数据不丢失的存储器,但是Flash的存储容量都普遍大于EEPROM。另外,Flash的编程原理是写1时保持该位为1不变,写0时将原先的1改写为0,因此,编程之前必须将对应的块擦除,而擦除的过程就是向该块所有位写入1,而EEPROM可以按照单个字节进行读写。SRAM是静态随机存取存储器,它是一种具有静止存取功能的内存,读写速度都比Flash要快,但是掉电后数据会丢失,而且价格比Flash要贵。《医用单片机开发实用教程-基于STM32F4》-配套讲义2.实验原理2.1STM32的内部Flash和内部SRAM4STM32的内部Flash地址起始于0x08000000,结束地址是0x08000000加上芯片实际的Flash大小,不同的芯片内部Flash容量大小也不同。医疗电子单片机高级开发系统使用的STM32芯片型号为STM32F429IGT6,其内部Flash容量为1MB(0x100000B),因此,该芯片内部Flash地址范围为0x08000000~0x080FFFFF。《医用单片机开发实用教程-基于STM32F4》-配套讲义2.实验原理2.2STM32的内部Flash简介5STM32的内部Flash由主存储器、系统存储器、OTP、选项字节组成。主存储器除了可以存储程序之外,还可以存储常数类型的数据,当然,也可以存储掉电之后用户依然需要使用到的数据,但是存储地址一定要安排在程序存储区之后,毕竟,对内部Flash中的代码区进行修改,会导致意想不到的后果产生,甚至导致整个STM32系统崩溃。系统存储器用于存放在系统存储器自举模式下的启动程序代码(BootLoader),当使用ISP方式下载程序时,就是由这个程序执行,这个区域由芯片厂写入BootLoader,然后锁死,用户无法改变这个区域。OTP由512个一次性可编程字节和16个额外字节组成,其中,512个一次性可编程字节用于存储用户数据,16个额外字节用于锁定对应的OTP数据块。选项字节用于配置读写保护、BOR级别、软件/硬件看门狗以及器件处于待机或停止模式下的复位。《医用单片机开发实用教程-基于STM32F4》-配套讲义2.实验原理2.2STM32的内部Flash简介6《医用单片机开发实用教程-基于STM32F4》-配套讲义2.实验原理2.3Flash编程过程7《医用单片机开发实用教程-基于STM32F4》-配套讲义2.实验原理2.4Flash扇区擦除过程8步骤1:复制并编译原始工程 步骤2:添加Flash文件对步骤3:完善Flash.h文件步骤4:完善Flash.c文件步骤5:完善ProcKeyOne.c文件步骤6:完善读写内部Flash实验应用层步骤7:编译及下载验证3.实验步骤《医用单片机开发实用教程-基于STM32F4》-配套讲义9
基于医疗电子单片机高级开发系统,编写程序实现密码解锁功能,具体而言:微控制器初始密码为0x12345678,该密码通过STM32FlashWriteWord函数写入内部Flash(切勿写入代码区),通过按下Key1模拟输入密码为0x12345678,通过按下Key2模拟输入密码为0x87654321,通过按下Key3进行密码匹配,如果密码正确,则在OLED上显示“Success!”,否则,如果密码不正确,则在OLED上显示“Failure!”。4.本章任务《医用单片机开发实用教程-基于STM32F4》-配套讲义101.微控制器的内部Flash和内部SRAM有什么区别?2.STM32采用的是大端存储模式还是小端存储模式?3.程序是存放在内部Flash还是内部SRAM?4.使用写内部Flash函数修改内存地址0x08000000的内容会有什么后果?并解释原因。5.简述Flash.c中内部静态函数STM
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