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第1页(共1页)2026年高考化学4月模拟试卷必刷题——晶体的结构与性质一.选择题(共25小题)1.(2026•保定一模)某含Pb化合物是一种被广泛应用于太阳能电池领域的晶体材料,该化合物晶胞如图,晶胞参数a≠b≠c,B原子的分数坐标为(0,0,0),坐标夹角均为90°,NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是()A.Cs与Pb之间的距离为a2B.晶体中,与铯离子最近且等距的溴离子有12个 C.此晶胞密度为5.8×10D.晶胞中C原子的分数坐标为(12.(2026•哈尔滨一模)利用KHF2热解制备KxMgyFz可有效防止该晶体内部因OH﹣的引入而发光淬灭,所得KxMgyFz晶体掺杂Ln3+(Ln=La~Lu)获得的一种发光材料结构如图(已知K+的空缺率=KA.图1中x:y:z=1:1:3 B.图1中K+与Mg2+的配位数相同 C.图2中K+的空缺率为12.5% D.KHF2热解产生的HF可消除OH﹣,有利于该材料发光3.(2026•湖北模拟)钠﹣硫电池的不同路径—载体与产物的相关性如图所示。下列说法错误的是()A.1mola(环状)含8molsp3﹣sp3型σ键 B.e中Cu的价态可能会影响其晶体结构和导电性 C.c存在过硫键(—S—S—),其键能大小决定了其稳定性 D.d晶胞(如图)中Na+和S2﹣的配位数之比为1:14.(2026•桂林一模)NaxWO3晶体因x变化形成空位而导致颜色各异,当0.44≤x≤0.95时,其立方晶胞结构如图,设NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是()A.W的平均价态随空位数减少而升高 B.与W最近且等距离的O有6个 C.当x=0.5时,晶胞密度为243.5×10D.NaxWO3晶体呈现不同颜色是因为空位数不同,吸收的可见光波长不一样5.(2026•合肥模拟)化合物MgxGeyO4y的晶胞结构如图所示(设阿伏加德罗常数的值为NA),已知:晶胞的摩尔体积Vm下列叙述错误的是()A.Mg的第一电离能大于同周期相邻元素 B.x:y=2:1 C.图中的Y代表镁 D.该晶胞的摩尔体积为abc6.(2026•池州模拟)BaSnO3是一种立方结构氧化物材料,晶胞结构如图所示。因其易于掺杂,有望成为新一代透明导电薄膜。该立方晶胞的参数为anm,设NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是()A.Ba的配位数为12 B.若将图中Sn平移至晶胞顶点,则O位于晶胞棱心 C.La掺杂Ba形成LaxBa1﹣xSnO3薄膜,当掺入量x=0.04时,晶体密度为3.04×1021NA⋅aD.La掺杂Ba后,薄膜的导电性能显著提高,归因于La与Ba之间存在价态差7.(2026•鞍山模拟)Li2CN2是一种高活性的人工固氮产物,其合成反应为:2LiH+C+N2高温A.合成反应中,还原剂是LiH和C B.晶胞中含有的Li+个数为4 C.每个CN22-周围与它最近且距离相等的Li+有D.该晶体的密度为1328.(2026•宜春模拟)某正五价含砷化合物属四方晶系,晶胞参数以及晶胞沿z轴方向的投影如图所示,晶胞棱边夹角均为90°。该化合物可由ClF3和AsCl3反应得到:2ClF下列说法错误的是()A.基态As原子的价电子排布式为4s24p3 B.晶体中阳离子的空间构型为正四面体 C.该晶体阴离子的配位数(距离阴离子最近的阳离子数目)为2 D.该晶体密度为8129.(2026•洛阳校级模拟)由Ni、La、O三种元素组成的一种催化剂的立方晶胞结构如图,设NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是()A.该晶体的化学式为LaNiO3 B.晶胞中与La最近且等距的O有8个 C.最近的两个O原子的核间距为22D.该晶体的密度为2.46×110.(2026春•黑龙江校级月考)某太阳能电池材料的化学式为(CH3NH3)PbI3(M=620g•mol﹣1),其晶胞结构如图所示,其中“●”代表Pb2+,NA表示阿伏加德罗常数的值。下列说法中不正确的是()A.该晶体为离子晶体 B.图中“〇”代表I﹣ C.晶体密度为6.2×10D.该晶体沿体对角线方向的投影图为11.(2026•柳州模拟)萤石(CaF2)是自然界中常见的含氟矿物,其立方晶胞结构如图所示,X、Y代表组成的离子,晶胞参数为apm,NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是()A.与Ca2+紧邻的F有8个 B.晶胞中,F﹣填充在Ca2+形成的四面体空隙中 C.晶胞内F﹣之间最近的距离为12D.CaF2的晶体密度为15612.(2026•抚顺一模)砷化镓是一种新型半导体材料,应用广泛。图甲为它的立方晶胞结构,图乙为该晶胞沿y轴的投影图。该晶胞的边长为apm,在三维坐标系中a、b两点的原子坐标分别为(0,0,0)、(1,1,1)。下列说法错误的是()A.As和Ga原子间的最近距离为34B.c点的原子坐标为(1C.1个Ga与12个Ga等距离且最近 D.该晶体的密度为5.8×113.(2026•河南校级模拟)硫元素与铁、铜元素形成的某种化合物的结构如图甲所示,晶胞的俯视图如图乙。已知,位于顶点的Fe原子的坐标参数为(0,0,0)。下列说法错误的是()A.晶体中S位于Fe和Cu组成的四面体中心 B.晶体中距离Cu最近的S有4个 C.图乙中“△”代表S原子 D.该晶体的密度为184×114.(2026•常德模拟)SmCo5作为第一代钐钴基稀土永磁材料,其优异的磁性性能源于独特的晶胞结构(如图所示)。NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法不正确的是()A.Co位于元素周期表d区 B.该晶体的密度为4.45×10C.A原子位于晶胞面上 D.向该材料中掺入其他元素可调控其性能15.(2026•南阳校级一模)锆酸锶(SrZrO3,摩尔质量为Mg/mol)的晶胞结构如图所示,该立方晶胞参数为dpm,a、c的坐标分别为(0,0,0)和(1A.b的坐标为(0,B.锆原子填充在氧原子形成的八面体空隙中 C.与O原子距离最近且等距的O原子的数目为8 D.该晶体的密度为M16.(2026•茂名校级模拟)科技自立自强,赋能国家高质量发展。下列说法正确的是()A.我国新一代舱外航天服采用水升华热控系统实现温控:水升华过程破坏了H—O共价键 B.我国首个百万吨级CO2捕集项目建成投产:CO2的VSEPR模型为 C.国内完成首条完全自主可控的8英寸SiC晶圆生产线:SiC属于分子晶体 D.我国研发的LiNbO3薄膜光子芯片在光通信领域具有重要应用:419317.(2026•锦州校级二模)某立方晶系的硫锰矿晶胞,沿z轴将原子投影到xy平面,投影图如下(设NA代表阿伏加德罗常数的值,括号中z数据为原子在z轴方向的原子坐标)。下列说法错误的是()A.该晶胞在体对角线上的投影可能为 B.投影图中1号硫原子的分数坐标为(1C.锰原子的配位数为4 D.若晶体密度为ρg•cm﹣3,则最近的两个硫原子之间的距离为218.(2026•仁寿县校级一模)AlxCoOy晶体的一种立方晶胞如图。已知:Al与O最小间距大于Co与O最小间距,x、y为整数,两个“〇”之间的最短距离为bnm。下列说法错误的是()A.x=1,y=3 B.Al周围最近的O原子数目为12 C.图中体心位置“⊗”一定代表Co D.晶体的密度为13419.(2026•广元模拟)锆(Zr)是重要的战略金属,可从其氧化物中提取。如图是某种锆的氧化物晶体的立方晶胞,p处Zr的坐标参数为(14,1A.该氧化物的化学式为Zr4O8 B.该氧化物的密度为123×10C.p点和q点之间的距离为22D.该晶体中Zr的配位数为420.(2026春•青海月考)LiF常用作光学元件、电池材料等。LiF的立方晶胞如图所示,晶胞的边长为anm,NA为阿伏加德罗常数的值。下列叙述正确的是()A.Li+的配位数为8 B.与F﹣最近的F﹣有6个 C.Li+半径r=2-D.1个晶胞含LiF的质量为104g21.(2026•青铜峡市校级一模)下列对物质结构或性质的解释错误的是()选项物质结构或性质解释A高于CsCl熔点(646℃)高于SiCl4(﹣68.8℃)CsCl是离子晶体而SiCl4是分子晶体BNH3的键角(107°)大于PH3(93.6°)同族元素的氢化物,中心原子电负性越大,键角越小C三氟乙酸的酸性强于三氯乙酸F3C一的极性大于Cl3C—的极性DP的第一电离能大于SP的3p能级电子排布为半充满,较稳定A.A B.B C.C D.D22.(2026•云南一模)CsPbI3晶体具有优良的光电性能,其晶胞为钙钛矿型立方结构(如图),其中晶胞边长为apm。下列说法错误的是()A.Cs+的配位数为12 B.若Pb2+位于顶点,则I﹣位于面心 C.Pb2+位于I﹣形成的正八面体空隙中 D.p、q微粒间的距离为2223.(2025秋•哈尔滨期末)某含钙化合物的晶胞结构如图甲所示,沿x轴方向的投影为图乙,晶胞底面显示为图丙,晶胞参数a≠c,α=β=γ=90°。已知该含钙化合物的摩尔质量为Mg/mol,阿伏加德罗常数的值是NA。下列说法正确的是()A.该含钙化合物的化学式是Ca3N2B B.同周期第一电离能处在B和N之间的元素有2种 C.晶体密度的计算式为MND.图丙中Ca和N的间距为3224.(2026春•湖北校级月考)I2晶胞是长方体,边长分别为acm、bcm、ccm且a≠b≠c。I2有两种空间取向(如图)。下列说法正确的是()A.晶体中两种取向的碘分子数之比为5:2(或2:5) B.每个I2分子周围与其最近且距离相等的I2有12个 C.将晶胞原点移至xz面心,所有原子坐标均不变 D.1个晶胞中含有8个碘原子25.(2025秋•江西月考)Laves相是由两种金属组成的一种合金相。镁与铜可形成一种Laves结构(结构如图),该晶胞可分成8个小立方体,有4个立方体中填入Mg,另外4个小立方体中填入以四面体方式排列的Cu。设NA为阿伏加德罗常数的值,下列有关说法正确的是()A.两个最近的Mg的距离为22B.与Mg原子最近且等距的Mg原子数目为8 C.该合金的化学式为MgCu D.晶体的密度为1.216×1
2026年高考化学4月模拟试卷必刷题——解答一.选择题(共25小题)1.(2026•保定一模)某含Pb化合物是一种被广泛应用于太阳能电池领域的晶体材料,该化合物晶胞如图,晶胞参数a≠b≠c,B原子的分数坐标为(0,0,0),坐标夹角均为90°,NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是()A.Cs与Pb之间的距离为a2B.晶体中,与铯离子最近且等距的溴离子有12个 C.此晶胞密度为5.8×10D.晶胞中C原子的分数坐标为(1【答案】B【分析】A.由图可知,Cs和Pb之间的距离为晶胞体心到顶点的距离;B.已知a≠b≠c,Br分三组位于12条棱的中点,三组Br到Cs的距离分别为b2+c22C.由图可知,Cs位于晶胞的体心,有1个;Pb位于晶胞的顶点,有8×18=1个;BrD.原点B为(0,0,0),C原子在x=1、y=12、z=【解答】解:A.Cs和Pb之间的距离为晶胞体心到顶点的距离,为体对角线的一半,故A正确;B.Br分三组位于12条棱的中点,三组Br到Cs的距离分别为b2+c22、a2+c2C.Cs位于晶胞的体心,有1个;Pb位于晶胞的顶点,有8×18=1个;Br位于晶胞的棱的中点,有12×14=3个;则晶胞质量m=133+207+3×80NA=580NAD.原点B为(0,0,0),C原子在x=1、y=12、z=1处,分数坐标为(1,故选:B。【点评】本题考查晶体结构,侧重考查学生晶胞计算的掌握情况,试题难度中等。2.(2026•哈尔滨一模)利用KHF2热解制备KxMgyFz可有效防止该晶体内部因OH﹣的引入而发光淬灭,所得KxMgyFz晶体掺杂Ln3+(Ln=La~Lu)获得的一种发光材料结构如图(已知K+的空缺率=KA.图1中x:y:z=1:1:3 B.图1中K+与Mg2+的配位数相同 C.图2中K+的空缺率为12.5% D.KHF2热解产生的HF可消除OH﹣,有利于该材料发光【答案】B【分析】A.根据均摊法,图1晶胞中K+的个数为1,Mg2+的个数为8×18=1,FB.离子晶体中配位数是指:与一个离子直接相邻且等距离的带不同电荷的离子的数目,图1中K+周围距离最近且相等的F﹣有12个,Mg2+周围距离最近且相等的F﹣有6个;C.图2晶胞中K+或空位的位置在内部,其个数应为1,8个顶点Mg2+其中一个被Ln3+替换,Ln3+个数为1×18=18,Mg2+的个数为7×18=D.已知利用KHF2热解制备KMgF3,可有效防止该晶体内部因OH﹣的引入而发光淬灭,KHF2热解产生的HF可与OH﹣反应HF+OH【解答】解:A.根据均摊法,图1晶胞中K+的个数为1,Mg2+的个数为8×18=1,F﹣的个数为12×14=3,所以该晶体的化学式为KMgF3,即x:y:z=B.离子晶体中配位数是指:与一个离子直接相邻且等距离的带不同电荷的离子的数目,图1中K+周围距离最近且相等的F﹣有12个,Mg2+周围距离最近且相等的F﹣有6个,所以K+与Mg2+的配位数不相同,故B错误;C.图2晶胞中K+或空位的位置在内部,其个数应为1,8个顶点Mg2+其中一个被Ln3+替换,Ln3+个数为1×18=18,Mg2+的个数为7×18=78,设晶胞中有x个K+,晶胞整体显电中性,则有1×x+3×D.KHF2热解产生的HF可与OH﹣反应HF+OH-=H2O+故选:B。【点评】本题考查晶体结构,侧重考查学生基础知识的掌握情况,试题难度中等。3.(2026•湖北模拟)钠﹣硫电池的不同路径—载体与产物的相关性如图所示。下列说法错误的是()A.1mola(环状)含8molsp3﹣sp3型σ键 B.e中Cu的价态可能会影响其晶体结构和导电性 C.c存在过硫键(—S—S—),其键能大小决定了其稳定性 D.d晶胞(如图)中Na+和S2﹣的配位数之比为1:1【答案】D【分析】A.a为环状S8,S8呈八元环状,S原子价层电子对数为4,采用sp3杂化B.e中S的化合价不低于﹣1,故铜的化合价有+1和低于+1两种,Cu的价态不同会影响NaCu5S3晶体中电子分布等;C.过硫键类似过氧键,不稳定,受热易断裂;D.从Na2S晶胞看,S2﹣位于顶点和面心,Na+位于体内,故S的配位数为8,Na+的配位数为4。【解答】解:A.a为环状S8,S8呈八元环状,S原子价层电子对数为4,采用sp3杂化,1个S8分子含8个单键均为sp3﹣sp3型σ键,故A正确;B.Cu的价态不同会影响NaCu5S3晶体中电子分布等,从而影响晶体结构和导电性,故B正确;C.过硫键类似过氧键,不稳定,受热易断裂,故其键能会影响c的稳定性,故C正确;D.S2﹣位于顶点和面心,Na+位于体内,故S的配位数为8,Na+的配位数为4,即Na+和S2﹣的配位数之比为1:2,故D错误;故选:D。【点评】本题考查晶体结构,侧重考查学生基础知识的掌握情况,试题难度中等。4.(2026•桂林一模)NaxWO3晶体因x变化形成空位而导致颜色各异,当0.44≤x≤0.95时,其立方晶胞结构如图,设NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是()A.W的平均价态随空位数减少而升高 B.与W最近且等距离的O有6个 C.当x=0.5时,晶胞密度为243.5×10D.NaxWO3晶体呈现不同颜色是因为空位数不同,吸收的可见光波长不一样【答案】A【分析】A.Na与W显正价,O为负价,空位数越少,Na+越多;B.以顶点的W原子为例,离其最近的O位于棱上有6个;C.该晶胞中W原子个数为18×8=1,O原子个数为14×12=3,所以x=0.5时,该晶胞的化学式为NaD.NaxWO3晶体因为空位数不同,导致对可见光的吸收波长不同。【解答】解:A.O为负价,Na与W显正价,空位数越少,Na+越多,W的化合价越低,故A错误;B.以顶点的W原子为例,离其最近的O位于棱上有6个,故B正确;C.该晶胞中O原子个数为14×12=3,W原子个数为18×8=1,所以x=0.5时,该晶胞的化学式为Na0.5WO3,晶胞密度为D.NaxWO3晶体因为空位数不同,导致对可见光的吸收波长不同,所以晶体呈现不同颜色,故D正确;故选:A。【点评】本题考查晶体结构,侧重考查学生基础知识的掌握情况,试题难度中等。5.(2026•合肥模拟)化合物MgxGeyO4y的晶胞结构如图所示(设阿伏加德罗常数的值为NA),已知:晶胞的摩尔体积Vm下列叙述错误的是()A.Mg的第一电离能大于同周期相邻元素 B.x:y=2:1 C.图中的Y代表镁 D.该晶胞的摩尔体积为abc【答案】C【分析】A.Mg的价电子排布为3s2,处于全充满稳定结构;B.化合物呈电中性,Mg为+2价,Ge为+4价,O为﹣2价,可得2x+4y=2×4y,解得x=2y;C.由晶胞结构图可知,1个晶胞中含有X的数目为8×18+6×12+4×14D.1个晶胞含4个Mg2GeO4单元。【解答】解:A.Mg的价电子排布为3s2,处于全充满稳定结构,第一电离能大于同周期相邻的Na和Al,故A正确;B.化合物呈电中性,Mg为+2价,Ge为+4价,O为﹣2价,可得2x+4y=2×4y,解得x=2y,即x:y=2:1,故B正确;C.由晶胞结构图可知,1个晶胞中含有X的数目为8×18+6×12+4×14+3=8,4个Y原子均位于晶胞内,16个Z原子位于晶胞内,X、Y、Z个数比为2:1:4,结合化学式Mg2GeOD.1个晶胞含4个Mg2GeO4单元,晶胞体积为abcnm3=abc×10﹣21cm3,故摩尔体积为abcNA4故选:C。【点评】本题考查晶体结构,侧重考查学生基础知识的掌握情况,试题难度中等。6.(2026•池州模拟)BaSnO3是一种立方结构氧化物材料,晶胞结构如图所示。因其易于掺杂,有望成为新一代透明导电薄膜。该立方晶胞的参数为anm,设NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是()A.Ba的配位数为12 B.若将图中Sn平移至晶胞顶点,则O位于晶胞棱心 C.La掺杂Ba形成LaxBa1﹣xSnO3薄膜,当掺入量x=0.04时,晶体密度为3.04×1021NA⋅aD.La掺杂Ba后,薄膜的导电性能显著提高,归因于La与Ba之间存在价态差【答案】C【分析】A.以晶胞顶点的Ba原子为研究对象,根据晶胞结构,Ba原子位于立方晶胞的8个顶点,每个顶点的Ba原子周围,距离最近且相等的O原子分布在相邻晶胞的6个面心位置;B.原晶胞中,Sn位于晶胞体心,Ba位于晶胞顶点,O位于晶胞的6个面心;若将Sn平移至晶胞顶点,相当于对晶胞进行坐标平移变换,原晶胞中面心位置的O原子;C.当La掺杂量x=0.04时,晶胞中La的物质的量为0.04,Ba的物质的量为0.96,Sn为1,O为3,则该晶胞对应的摩尔质量M=(0.04×139+0.96×137+119+3×16)g/mol=304.08g/mol;1个晶胞的质量m=MNA=304.08NAg;晶胞参数为anm,即a×10﹣7cm,因此晶胞体积V=(a×10﹣7)3=a3×D.Ba元素在BaSnO3中为+2价,La元素为+3价,当La掺杂取代Ba后,为了维持晶体的电中性,会在晶体中产生电子作为载流子,载流子浓度的提升会显著提高薄膜的导电性能。【解答】解:A.晶胞结构中Ba原子位于立方晶胞的8个顶点,每个顶点的Ba原子周围,距离最近且相等的O原子分布在相邻晶胞的6个面心位置,每个Ba原子周围共有12个等距的O原子,Ba的配位数为12,故A正确;B.原晶胞中,Sn位于晶胞体心,Ba位于晶胞顶点,O位于晶胞的6个面心;若将Sn平移至晶胞顶点,相当于对晶胞进行坐标平移变换,原晶胞中面心位置的O原子,在以Sn为顶点的新晶胞中,对应位置为晶胞的棱心,因此O位于晶胞棱心,故B正确;C.当La掺杂量x=0.04时,晶胞中La的物质的量为0.04,Sn为1,O为3,则该晶胞对应的摩尔质量M=(0.04×139+0.96×137+119+3×16)g/mol=304.08g/mol;1个晶胞的质量m=MNA=304.08NAg;晶胞参数为anm,即a×10﹣7cm,因此晶胞体积V=(a×10﹣7)3=a3×10﹣D.Ba元素在BaSnO3中为+2价,La元素为+3价,当La掺杂取代Ba后,为了维持晶体的电中性,会在晶体中产生电子作为载流子,载流子浓度的提升会显著提高薄膜的导电性能,因此薄膜导电性能提高的原因是La与Ba之间存在价态差,故D正确;故选:C。【点评】本题考查晶体结构,侧重考查学生晶胞计算的掌握情况,试题难度中等。7.(2026•鞍山模拟)Li2CN2是一种高活性的人工固氮产物,其合成反应为:2LiH+C+N2高温A.合成反应中,还原剂是LiH和C B.晶胞中含有的Li+个数为4 C.每个CN22-周围与它最近且距离相等的Li+有D.该晶体的密度为132【答案】D【分析】A.标注化合价:LiH中H为﹣1价,反应物C、N2均为0价;产物Li2CN2中,Li+为+1价,CN22-中N为﹣3价、C为+4价,H2中HB.用均摊法计算晶胞中离子数目:黑球(CN22-):8个在顶点,1C.以晶胞体内的CN22-为例,周围最近且距离相等的Li+D.晶胞中含2个Li2CN2,Li2CN2的摩尔质量M=2×7+12+2×14=54g/mol,晶胞总质量m=2×54NA=108NAg。晶胞体积V=apm×bpm×bpm=ab【解答】解:A.标注化合价:LiH中H为﹣1价,反应物C、N2均为0价;产物Li2CN2中,Li+为+1价,CN22-中N为﹣3价、C为+4价,H2中H为0价。化合价升高的是LiH中H(﹣1→0)和C(0→+4),因此还原剂是LiH和CB.用均摊法计算晶胞中离子数目:黑球(CN22-):8个在顶点,1个在晶胞体内,总数目为8×18+1=2。化合物Li2CN2中Li+与CN22-数目比为2:1,因此晶胞中LiC.以晶胞体内的CN22-为例,周围最近且距离相等的Li+共有8D.晶胞中含2个Li2CN2,晶胞总质量m=2×54NA=108NAg。晶胞体积V=apm×bpm×bpm=ab2×10﹣故选:D。【点评】本题考查晶体结构,侧重考查学生基础知识的掌握情况,试题难度中等。8.(2026•宜春模拟)某正五价含砷化合物属四方晶系,晶胞参数以及晶胞沿z轴方向的投影如图所示,晶胞棱边夹角均为90°。该化合物可由ClF3和AsCl3反应得到:2ClF下列说法错误的是()A.基态As原子的价电子排布式为4s24p3 B.晶体中阳离子的空间构型为正四面体 C.该晶体阴离子的配位数(距离阴离子最近的阳离子数目)为2 D.该晶体密度为812【答案】C【分析】A.基态As原子为33号元素;B.阳离子[AsCl4]+中As为+5价,价层电子对数为:C.阴离子[AsF6]D.晶胞中含2个[AsCl4]+和2个[AsF6]-,摩尔质量为:2×(75+4×35.5+75+6×19)g/mol=812g/mol,体积为a2【解答】解:A.基态As原子为33号元素,价电子排布式为4s24p3,故A正确;B.阳离子[AsCl4]+中As为+5价,价层电子对数为:4+1C.阴离子[AsF6]-的配位数指距离最近的阳离子数目,阴离子周围最近的阳离子有四个,配位数应为D.晶胞中含2个[AsCl4]+和2个[AsF6]-,摩尔质量为:2×(75+4×35.5+75+6×19)g/mol=812g/mol,体积为a2c×10﹣故选:C。【点评】本题考查晶体结构,侧重考查学生基础知识的掌握情况,试题难度中等。9.(2026•洛阳校级模拟)由Ni、La、O三种元素组成的一种催化剂的立方晶胞结构如图,设NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是()A.该晶体的化学式为LaNiO3 B.晶胞中与La最近且等距的O有8个 C.最近的两个O原子的核间距为22D.该晶体的密度为2.46×1【答案】B【分析】A.Ni位于顶点,一个晶胞中含Ni个数为8×18=1,O位于棱上,一个晶胞中含有O的个数为12×B.晶胞中与La最近且等距的O有12个;C.两个最近的O原子之间的距离为面对角线的12D.晶胞的质量m=139+59+16×3NAg=246NAg,晶胞的体积V=a【解答】解:A.Ni位于顶点,一个晶胞中含Ni个数为8×18=1,O位于棱上,一个晶胞中含有O的个数为12×14=3,晶胞内含1B.晶胞中与La最近且等距的O有12个,故B错误;C.两个最近的O原子之间的距离为面对角线的12,为22anmD.晶胞的体积V=a3×10﹣21cm3,晶胞的质量m=139+59+16×3NAg=246故选:B。【点评】本题考查晶体结构,侧重考查学生晶胞计算的掌握情况,试题难度中等。10.(2026春•黑龙江校级月考)某太阳能电池材料的化学式为(CH3NH3)PbI3(M=620g•mol﹣1),其晶胞结构如图所示,其中“●”代表Pb2+,NA表示阿伏加德罗常数的值。下列说法中不正确的是()A.该晶体为离子晶体 B.图中“〇”代表I﹣ C.晶体密度为6.2×10D.该晶体沿体对角线方向的投影图为【答案】D【分析】A.该晶体的化学式为(CH3NH3)PbI3,由CH3NH3+、B.已知“●”代表Pb2+,位于体心,则Pb2+有1个;由晶体结构可知,位于顶点的离子有8个,用均摊法可得有8×18=1个,对应CHC.由分析可知,该晶胞中有1个(CH3NH3)PbI3,其晶胞的质量m=620NAg,晶胞体积V=(a×10﹣10cm)3=a3×10﹣D.沿体对角线方向投影时,顶点的CH3NH【解答】解:A.该晶体的化学式为(CH3NH3)PbI3,由CH3NH3+、Pb2+B.已知“●”代表Pb2+,位于体心,则Pb2+有1个;位于顶点的离子有8个,用均摊法可得有8×18=1个,对应CH3NH3+;位于面心的6个离子有6个,用均摊法可得有6C.该晶胞中有1个(CH3NH3)PbI3,晶胞体积V=(a×10﹣10cm)3=a3×10﹣30cm3,晶胞的质量m=620NAg,密度D.沿体对角线方向投影时,顶点的CH3NH3+故选:D。【点评】本题考查晶体结构,侧重考查学生晶胞计算的掌握情况,试题难度中等。11.(2026•柳州模拟)萤石(CaF2)是自然界中常见的含氟矿物,其立方晶胞结构如图所示,X、Y代表组成的离子,晶胞参数为apm,NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是()A.与Ca2+紧邻的F有8个 B.晶胞中,F﹣填充在Ca2+形成的四面体空隙中 C.晶胞内F﹣之间最近的距离为12D.CaF2的晶体密度为156【答案】D【分析】A.X位于顶点和面心,有8×18+6×12=4个,B.Ca2+为面心立方堆积,位于顶点和面心的Ca2+构成8个四面体空隙;C.F﹣位于晶胞划分出的8个小立方体的体心,相邻F﹣之间最近的距离为晶胞边长的一半;D.CaF2的晶体密度ρ=m【解答】解:A.X位于顶点和面心,有8×18+6×12=4个,Y位于晶胞内部,有8个,萤石的化学式为CaF2,则X为Ca2+,Y为F﹣,面心Ca2+属于2个晶胞共有,故与Ca2+B.Ca2+为面心立方堆积,位于顶点和面心的Ca2+构成8个四面体空隙,F﹣填充在Ca2+形成的四面体空隙中,故B正确;C.F﹣位于晶胞划分出的8个小立方体的体心,相邻F﹣之间最近的距离为晶胞边长的一半,为12apm,故D.CaF2的晶体密度ρ=mV=故选:D。【点评】本题考查化学键,侧重考查学生基础知识的掌握情况,试题难度中等。12.(2026•抚顺一模)砷化镓是一种新型半导体材料,应用广泛。图甲为它的立方晶胞结构,图乙为该晶胞沿y轴的投影图。该晶胞的边长为apm,在三维坐标系中a、b两点的原子坐标分别为(0,0,0)、(1,1,1)。下列说法错误的是()A.As和Ga原子间的最近距离为34B.c点的原子坐标为(1C.1个Ga与12个Ga等距离且最近 D.该晶体的密度为5.8×1【答案】B【分析】A.As和Ga原子的最近距离为晶胞体对角线的14,体对角线长度为3aB.根据a、b两点的原子坐标,甲图中c点位于晶胞靠上区域,z坐标应为34C.Ga原子采取面心立方最密堆积;D.Ga在8个顶点和6个面心,均摊为18×8+12×6=4,As在内部,为4个,晶胞总质量为4×(70+75)NAg=580NAg,晶胞体积为(a×10﹣10cm【解答】解:A.As和Ga原子的最近距离为晶胞体对角线的14,体对角线长度为3apm,故最近距离为34aB.甲图中c点位于晶胞靠上区域,z坐标应为34,分数坐标为(14C.Ga原子采取面心立方最密堆积,每个Ga原子周围等距离且最近的Ga原子数目为12,故C正确;D.Ga在8个顶点和6个面心,均摊为18×8+12×6=4,As在内部,为4个,晶胞总质量为4×(70+75)NAg=580NAg,晶胞体积为(a×10﹣10cm)3=a故选:B。【点评】本题考查晶体结构,侧重考查学生晶胞计算的掌握情况,试题难度中等。13.(2026•河南校级模拟)硫元素与铁、铜元素形成的某种化合物的结构如图甲所示,晶胞的俯视图如图乙。已知,位于顶点的Fe原子的坐标参数为(0,0,0)。下列说法错误的是()A.晶体中S位于Fe和Cu组成的四面体中心 B.晶体中距离Cu最近的S有4个 C.图乙中“△”代表S原子 D.该晶体的密度为184×1【答案】D【分析】A.Fe在8个顶点,1个内部,4个面上,S在内部,为8个,Cu在6个面上,4条棱上;B.以位于面心的Cu为研究对象,距离Cu最近的S有4个;C.S在内部,为8个;D.该晶胞中含有8×18+1+4×12=4个Fe、6×【解答】解:A.Fe在8个顶点,1个内部,4个面上,S在内部,为8个,Cu在6个面上,4条棱上,晶体中S位于Fe和Cu组成的四面体中心,故A正确;B.以位于面心的Cu为研究对象,距离Cu最近的S有4个,故B正确;C.S在内部,为8个,则俯视图乙中“△”代表S原子,故C正确;D.该晶胞中含有8×18+1+4×12=4个Fe、6×12+4×14=4故选:D。【点评】本题考查晶体结构,侧重考查学生晶胞计算的掌握情况,试题难度中等。14.(2026•常德模拟)SmCo5作为第一代钐钴基稀土永磁材料,其优异的磁性性能源于独特的晶胞结构(如图所示)。NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法不正确的是()A.Co位于元素周期表d区 B.该晶体的密度为4.45×10C.A原子位于晶胞面上 D.向该材料中掺入其他元素可调控其性能【答案】B【分析】A.根据元素周期表的分区规则,Co是27号元素,其价电子排布式为3d74s2,属于Ⅷ族元素;B.由晶胞结构可知,Sm原子位于晶胞的顶点,Sm原子个数为8×18=1,Co原子位于面心和体心,C.根据晶胞结构可知,A原子为Co;D.向材料中掺入其他元素可以改变材料的原子组成和结构,从而调控其磁性、力学性能等。【解答】解:A.Co是27号元素,其价电子排布式为3d74s2,属于Ⅷ族元素,所以Co位于元素周期表d区,故A正确;B.Sm原子位于晶胞的顶点,Sm原子个数为8×18=1,Co原子位于面心和体心,Co原子个数为8×C.A原子为Co,位于晶胞面上,故C正确;D.向材料中掺入其他元素可以改变材料的原子组成和结构,从而调控其磁性、力学性能等,这是材料改性的常用方法,故D正确;故选:B。【点评】本题考查晶体结构,侧重考查学生基础知识的掌握情况,试题难度中等。15.(2026•南阳校级一模)锆酸锶(SrZrO3,摩尔质量为Mg/mol)的晶胞结构如图所示,该立方晶胞参数为dpm,a、c的坐标分别为(0,0,0)和(1A.b的坐标为(0,B.锆原子填充在氧原子形成的八面体空隙中 C.与O原子距离最近且等距的O原子的数目为8 D.该晶体的密度为M【答案】D【分析】A.b位于左侧面心,在x、y、z轴上投影坐标分别为0、12、1B.与位于体心的锆原子距离最近且等距的O原子有6个,此6个O原子形成八面体空间结构;C.以顶面面心氧原子为参照物,距离其最近的氧原子在四个侧面面心上;D.据“均摊法”,晶胞中含8×18=1个Sr、1个Zr、【解答】解:A.b位于左侧面心,在x、y、z轴上投影坐标分别为0、12、12,坐标为(0,B.与位于体心的锆原子距离最近且等距的O原子有6个,锆原子填充在氧原子形成的八面体空隙中,故B正确;C.以顶面面心氧原子为参照物,距离其最近的氧原子在四个侧面面心上,这样的氧原子有8个,故C正确;D.据“均摊法”,晶胞中含8×18=1个Sr、1个Zr、6×12故选:D。【点评】本题考查晶体结构,侧重考查学生晶胞计算的掌握情况,试题难度中等。16.(2026•茂名校级模拟)科技自立自强,赋能国家高质量发展。下列说法正确的是()A.我国新一代舱外航天服采用水升华热控系统实现温控:水升华过程破坏了H—O共价键 B.我国首个百万吨级CO2捕集项目建成投产:CO2的VSEPR模型为 C.国内完成首条完全自主可控的8英寸SiC晶圆生产线:SiC属于分子晶体 D.我国研发的LiNbO3薄膜光子芯片在光通信领域具有重要应用:4193【答案】B【分析】A.水升华是物理变化,是水分子间距离增大的过程,只破坏分子间作用力和氢键;B.CO2分子中心C原子的价层电子对数为2+4-2×2C.SiC是空间网状结构的共价晶体,属于共价晶体;D.原子符号ZAX【解答】解:A.水升华是物理变化,是水分子间距离增大的过程,只破坏分子间作用力和氢键,没有破坏分子内的H—O共价键,故A错误;B.二氧化碳分子中心C原子的价层电子对数为2+4-2×22=2,VSEPRC.SiC是空间网状结构的共价晶体,属于共价晶体,不属于分子晶体,故C错误;D.原子符号ZAX中,左下角Z为质子数,因此4193Nb的质子数为故选:B。【点评】本题主要考查分子晶体等,注意完成此题,可以从题干中抽取有用的信息,结合已有的知识进行解题。17.(2026•锦州校级二模)某立方晶系的硫锰矿晶胞,沿z轴将原子投影到xy平面,投影图如下(设NA代表阿伏加德罗常数的值,括号中z数据为原子在z轴方向的原子坐标)。下列说法错误的是()A.该晶胞在体对角线上的投影可能为 B.投影图中1号硫原子的分数坐标为(1C.锰原子的配位数为4 D.若晶体密度为ρg•cm﹣3,则最近的两个硫原子之间的距离为2【答案】D【分析】A.晶胞沿体对角线的投影形态由原子的空间排布决定,该立方晶胞的原子排布可形成对应投影结构;B.原子的分数坐标由其在晶胞x、y、z轴方向的相对位置确定,可通过投影图中原子的位置与z轴坐标推导;C.配位数为晶胞中一个原子周围紧邻的异号原子数目,可通过Mn与S的空间位置关系确定;D.晶胞中原子数目可通过均摊法确定,最近硫原子间距与晶胞参数相关,可通过密度公式推导晶胞参数后计算。【解答】解:A.结合分析可知,晶胞结构如图,该晶胞在体对角线上的投影可能为,故A正确;B.结合分析可知,1号硫原子的分数坐标为(14,C.结合分析可知,锰原子的配位数为4,故C正确;D.结合分析可知,据均摊法计算可知,晶胞中硫原子有4个,锰原子有4个,设晶胞棱长为acm,ρ=4MNA故选D。【点评】本题以硫锰矿晶胞的xy平面投影图为载体,考查晶胞分数坐标、配位数、原子投影规律与密度相关的晶胞参数计算,是高考物质结构与性质模块的高频重难点题型,侧重考查空间想象能力与晶胞定量分析能力。18.(2026•仁寿县校级一模)AlxCoOy晶体的一种立方晶胞如图。已知:Al与O最小间距大于Co与O最小间距,x、y为整数,两个“〇”之间的最短距离为bnm。下列说法错误的是()A.x=1,y=3 B.Al周围最近的O原子数目为12 C.图中体心位置“⊗”一定代表Co D.晶体的密度为134【答案】D【分析】A.黑球位于顶点,个数为8×18=1B.Al与O最小间距大于Co与O最小间距,则黑球为Al,白球为O,根据晶胞结构,1个Al原子共用8个晶胞,每个晶胞使用3个面,每2个面重叠使用;C.由B可知,⊗为Co,体心位置“⊗”一定代表Co;D.根据晶体中2个白球间的距离为bnm,设晶胞的边长为2anm,由可知anm=b2nm=b2×1【解答】解:A.⊗位于体心,个数为1,白球位于面心,个数为6×12=3,黑球位于顶点,个数为8×18=1,由化合价代数和为0可知化学式为AlCoO3,即x=B.Al与O最小间距大于Co与O最小间距,则黑球为Al,白球为O,根据晶胞结构,1个Al原子共用8个晶胞,每个晶胞使用3个面,每2个面重叠使用,则1个Al原子周围的O原子数为8×3×C.⊗为Co,体心位置“⊗”一定代表Co,故C正确;D.根据晶体中2个白球间的距离为bnm,设晶胞的边长为2anm,anm=b2nm=b2×10-7cm,则边长故选:D。【点评】本题考查晶体结构,侧重考查学生晶胞计算的掌握情况,试题难度中等。19.(2026•广元模拟)锆(Zr)是重要的战略金属,可从其氧化物中提取。如图是某种锆的氧化物晶体的立方晶胞,p处Zr的坐标参数为(14,1A.该氧化物的化学式为Zr4O8 B.该氧化物的密度为123×10C.p点和q点之间的距离为22D.该晶体中Zr的配位数为4【答案】C【分析】A.由均摊法,该晶胞中Zr个数为4,O个数为8×B.该晶胞分子式为ZrO2,一个晶胞中有4个ZrO2,所以该氧化物密度为123×4NC.根据p点坐标参数为(14,14D.根据Zr的坐标参数和图示结构可知,Zr的配位数为8。【解答】解:A.由均摊法,该晶胞中Zr个数为4,O个数为8×18+6×12B.该晶胞分子式为ZrO2,一个晶胞中有4个ZrO2,所以该氧化物密度为123×4NA(a×1C.q点坐标参数为(34,34,1D.根据Zr的坐标参数和图示结构可知,Zr的配位数为8,故D错误;故选:C。【点评】本题考查晶体结构,侧重考查学生基础知识的掌握情况,试题难度中等。20.(2026春•青海月考)LiF常用作光学元件、电池材料等。LiF的立方晶胞如图所示,晶胞的边长为anm,NA为阿伏加德罗常数的值。下列叙述正确的是()A.Li+的配位数为8 B.与F﹣最近的F﹣有6个 C.Li+半径r=2-D.1个晶胞含LiF的质量为104g【答案】C【分析】A.LiF晶胞为NaCl型面心立方结构,阴阳离子交替排列;B.观察晶胞中每个离子周围最近且等距的异号离子数,确定配位数;C.结合晶胞边长,利用面心立方的几何关系(面对角线、边长)推导离子半径;D.用均摊法确定晶胞中LiF的“分子数”,再结合摩尔质量与阿伏加德罗常数计算晶胞质量(注意单位)。【解答】解:A.LiF晶胞为类似NaCl的面心立方结构,阴阳离子配位数均为6,故A错误;B.以顶点F﹣为例,与之最近的F﹣位于相邻面心,共12个,故B错误;C.晶胞边长为anm,面对角线长为2anm,面对角线上两个端点F﹣的中心距离为2a=4R,得R=2a4,又沿晶胞边长方向,阴阳离子核间距满足R+r=a2,因此LiD.LiF摩尔质量为26g/mol,1个晶胞含4个LiF,质量为m=nM=NNA故选:C。【点评】本题是NaCl型晶胞的经典变式题,“模型化”是高效解题的关键:高中化学晶体部分的知识点看似零散,实则都可以归纳为几个经典模型(如NaCl型、ZnS型、CaF2型),把这些模型的配位数、均摊数、距离公式整理成“工具箱”,考试时就能像查字典一样快速定位,实现“多题一解”;“数形结合”是突破难点的法宝:晶体结构的问题,本质是立体几何问题,像本题的半径计算,需要你在脑海中构建晶胞的三维结构,将抽象的离子位置转化为具体的线段长度,多画晶胞图,多做几何推导,能有效锻炼你的空间想象能力,这也是化学核心素养的重要组成部分;整体难度不大。21.(2026•青铜峡市校级一模)下列对物质结构或性质的解释错误的是()选项物质结构或性质解释A高于CsCl熔点(646℃)高于SiCl4(﹣68.8℃)CsCl是离子晶体而SiCl4是分子晶体BNH3的键角(107°)大于PH3(93.6°)同族元素的氢化物,中心原子电负性越大,键角越小C三氟乙酸的酸性强于三氯乙酸F3C一的极性大于Cl3C—的极性DP的第一电离能大于SP的3p能级电子排布为半充满,较稳定A.A B.B C.C D.D【答案】B【分析】A.离子晶体熔化破坏离子键,分子晶体熔化破坏分子间作用力,离子键强于分子间作用力;B.同主族氢化物中心原子电负性变化会影响成键电子对斥力与键角大小;C.取代基极性会通过诱导效应影响羧酸的电离能力与酸性强弱;D.原子核外电子排布的洪特规则特例会影响元素第一电离能的大小。【解答】解:A.CsCl为离子晶体,SiCl4为分子晶体,离子晶体熔化需破坏强烈的离子键,分子晶体熔化仅需破坏微弱的分子间作用力,离子键的键能远大于分子间作用力,故A正确;B.同主族元素的氢化物,中心原子电负性越大,成键电子对越靠近中心原子,成键电子对之间的斥力越强,键角越大;NH3键角大于PH3是因N的电负性大于P,选项解释与实际规律相反,故B错误;C.F的电负性大于Cl,F3C—的极性大于Cl3C—,吸电子诱导效应更强,使羧基中O—H键极性增强,更易电离出H+,三氟乙酸的酸性强于三氯乙酸,故C正确;D.P的3p能级电子排布为3p3,为半充满的稳定结构,失去一个电子所需能量更高;S的3p能级电子排布为3p4,易失去一个电子达到半充满稳定结构,故P的第一电离能大于S,故D正确;故选:B。【点评】本题综合考查物质结构与性质的核心知识点,覆盖晶体类型与熔点、键角影响因素、有机物酸性比较和第一电离能规律,侧重考查对结构化学基础理论的理解与辨析能力。22.(2026•云南一模)CsPbI3晶体具有优良的光电性能,其晶胞为钙钛矿型立方结构(如图),其中晶胞边长为apm。下列说法错误的是()A.Cs+的配位数为12 B.若Pb2+位于顶点,则I﹣位于面心 C.Pb2+位于I﹣形成的正八面体空隙中 D.p、q微粒间的距离为22【答案】D【分析】A.在该钙钛矿型结构中,Cs+位于晶胞顶点,与它等距离且最近的I﹣位于面心,每个顶点周围有12个面心,因此的配位数为12;B.原晶胞中Pb2+位于体心,I﹣位于面心,若将Pb2+平移至顶点,根据晶胞的平移对称性,I﹣的位置会相应变为面心;C.Pb2+位于体心,周围有6个等距的I﹣(分别位于上下、左右、前后6个面心),这6个I﹣恰好构成正八面体,因此Pb2+于正八面体空隙中;D.p为(顶点),q为(体心),二者的距离为晶胞体对角线的一半,因晶胞体对角线长度为apm,因此p、q间距离为apm。【解答】解:A.在该钙钛矿型结构中,Cs+位于晶胞顶点,与它等距离且最近的I﹣位于面心,每个顶点周围有12个面心,因此的配位数为12,故A正确;B.原晶胞中Pb2+位于体心,I﹣位于面心,若将Pb2+平移至顶点,根据晶胞的平移对称性,I﹣的位置会相应变为面心,故B正确;C.Pb2+位于体心,周围有6个等距的I﹣(分别位于上下、左右、前后6个面心),这6个I﹣恰好构成正八面体,因此Pb2+于正八面体空隙中,故C正确;D.p为(顶点),q为(体心),二者的距离为晶胞体对角线的一半,因晶胞体对角线长度为3apm,因此p、q间距离为32apm,故D故选:D。【点评】本题以钙钛矿型立方晶胞为载体,考查了离子配
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