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文档简介
3.3
TTL集成逻辑门
TTL与非门的基本组成与外特性3.2
TTL集成逻辑门三极管的开关特性小结学习目标(1)了解TTL与非门的组成和工作原理(2)掌握TTL基本门的逻辑功能和主要外特性(3)了解集电极开路门和三态门的逻辑功能和应用3.2
TTL集成逻辑门(4)了解TTL集成逻辑门的主要参数和使用常识2026/5/84复习什么是高电平?什么是低电平?什么是状态赋值?什么是正逻辑?什么是负逻辑?二极管与门、或门有何优点和缺点?ABCV1V2V3V4V5V6VD1VD2VD3R1R2R4R5RBRCB1C1C2E2YVCC+5V输入级中间倒相级输出级STTL系列与非门电路逻辑符号8.2k
900
50
3.5k
500
250
V1V2V3V5V6一、TTL与非门的基本组成与外特性
(一)典型
TTL与非门电路
除V4外,采用了抗饱和三极管,用以提高门电路工作速度。V4不会工作于饱和状态,因此用普通三极管。
输入级主要由多发射极管V1和基极电阻R1组成,用以实现输入变量A、B、C的与运算。
VD1~VD3为输入钳位二极管,用以抑制输入端出现的负极性干扰。正常信号输入时,VD1~VD3不工作,当输入的负极性干扰电压大于二极管导通电压时,二极管导通,输入端负电压被钳在-0.7V上,这不但抑制了输入端的负极性干扰,对V1还有保护作用。
中间级起倒相放大作用,V2集电极C2和发射极
E2同时输出两个逻辑电平相反的信号,分别驱动V3和V5。
RB、RC和V6构成有源泄放电路,用以减小V5管开关时间,从而提高门电路工作速度。
输出级由V3、V4、
R4、R5和V5组成。其中
V3和V4构成复合管,与V5构成推拉式输出结构,提高了负载能力。
VD1~VD3在正常信号输入时不工作,因此下面的分析中不予考虑。RB、RC和V6所构成的有源泄放电路的作用是提高开关速度,它们不影响与非门的逻辑功能,因此下面的工作原理分析中也不予考虑。
因为抗饱和三极管V1的集电结导通电压为0.4V,而V2、V5发射结导通电压为0.7V,因此要使V1集电结和V2、V5发射结导通,必须uB1≥1.8V。0.3V3.6V3.6V
输入端有一个或数个为低电平时,输出高电平。
输入低电平端对应的发射结导通,uB1=0.7V+0.3V=1VV1管其他发射结因反偏而截止。1V这时V2、V5截止。V2截止使V1集电极等效电阻很大,使IB1>>IB1(sat),V1深度饱和。V2截止使uC2
VCC=5V,5V因此,输入有低电平时,输出为高电平。截止截止深度饱和V3微饱和,V4放大工作。uY=
5V
-
0.7
V
-
0.7
V
=
3.6
V电路输出为高电平。微饱和放大(二)TTL与非门的工作原理综上所述,该电路实现了与非逻辑功能,即3.6V3.6V3.6V因此,V1发射结反偏而集电极正偏,称处于倒置放大状态。1.8V这时V2、V5饱和。uC2=UCE2(sat)+uBE5=0.3V+0.7V=1V使V3导通,而V4截止。1VuY=UCE5(sat)
0.3V
输出为低电平
因此,输入均为高电平时,输出为低电平。0.3VV4截止使V5的等效集电极电阻很大,使IB5>>IB5(sat),因此V5深度饱和。倒置放大饱和饱和截止导通
TTL电路输入端悬空时相当于输入高电平。
输入均为高电平时,输出低电平VCC经
R1使
V1集电结和
V2、V5发射结导通,使uB1=1.8V。深注意2.
TTL与非门的工作原理电压传输特性测试电路0uO/VuI/V0.31.02.03.03.61.02.0ACDBUOHUOLSTTL与非门电压传输特性曲线(三)TTL与非门的外特性及主要参数1.
电压传输特性和噪声容限输出电压随输入电压变化的特性uI较小时工作于AB段,这时V2、V5截止,V3、V4导通,输出恒为高电平,UOH
3.6V,称与非门工作在截止区或处于关门状态。uI较大时工作于BC段,这时V2、V5工作于放大区,uI的微小增大引起uO急剧下降,称与非门工作在转折区。uI很大时工作于CD段,这时V2、V5饱和,输出恒为低电平,UOL
0.3V,称与非门工作在饱和区或处于开门状态。
电压传输特性测试电路0uO/VuI/V0.31.02.03.03.61.02.0ACDBUOHUOLSTTL与非门电压传输特性曲线饱和区:与非门处于开门状态。截止区:与非门处于关门状态。转折区下面介绍与电压传输特性有关的主要参数:有关参数0uO/VuI/V0.31.02.03.03.61.02.0ACDBUOHUOL电压传输特性曲线标准高电平USH
当uO≥
USH时,则认为输出高电平,通常取USH=3V。标准低电平USL当uO≤
USL时,则认为输出低电平,通常取USL=0.3V。关门电平UOFF保证输出不小于标准高电平USH时,允许的输入低电平的最大值。开门电平UON保证输出不高于标准低电平USL时,允许的输入高电平的最小值。阈值电压UTH转折区中点对应的输入电压,又称门槛电平。USH=3VUSL=0.3VUOFFUONUTH近似分析时认为:uI>UTH,则与非门开通,输出低电平UOL;uI<UTH,则与非门关闭,输出高电平UOH。噪声容限越大,抗干扰能力越强。指输入低电平时,允许的最大正向噪声电压。UNL=UOFF–UIL
指输入高电平时,允许的最大负向噪声电压。UNH=UIH–UON
输入信号上叠加的噪声电压只要不超过允许值,就不会影响电路的正常逻辑功能,这个允许值称为噪声容限。
输入高电平噪声容限UNH输入低电平噪声容限UNL输入负载特性测试电路
输入负载特性曲线0uI/VR1/k
UOFF1.1FNROFFRON2.
输入负载特性
ROFF称关门电阻。RI<ROFF时,相应输入端相当于输入低电平。对STTL系列,ROFF
700
。
RON称开门电阻。RI>RON时,相应输入端相当于输入高电平。对STTL系列,RON
2.1k
。RONROFFUOFF[例]
下图中,已知ROFF
800
,RON
3k
,试对应输入波形定性画出TTL与非门的输出波形。(a)(b)tA0.3V3.6VO不同TTL系列,RON、
ROFF不同。相应输入端相当于输入低电平,也即相当于输入逻辑0。逻辑0因此Ya输出恒为高电平UOH。相应输入端相当于输入高电平,也即相当于输入逻辑1。逻辑1因此,可画出波形如图所示。YbtOYatUOHO解:图(a)中,RI=300
<ROFF
800
图(b)中,RI=5.1k
>RON
3k
3.负载能力负载电流流入与非门的输出端。负载电流从与非门的输出端流向外负载。负载电流流入驱动门IOL负载电流流出驱动门IOH输入均为高电平输入有低电平输出为低电平
输出为高电平
灌电流负载拉电流负载
不管是灌电流负载还是拉电流负载,负载电流都不能超过其最大允许电流,否则将导致电路不能正常工作,甚至烧坏门电路。实用中常用扇出系数NOL表示电路负载能力。门电路输出低电平时允许带同类门电路的个数。
通常按照负载电流的流向将与非门负载分为
灌电流负载拉电流负载
由于三极管存在开关时间,元、器件及连线存在一定的寄生电容,因此输入矩形脉冲时,输出脉冲将延迟一定时间。输入信号UOm0.5UOm0.5UImUIm输出信号4.
传输延迟时间输入电压波形下降沿0.5UIm处到输出电压上升沿0.5Uom处间隔的时间称截止延迟时间tPLH。
输入电压波形上升沿0.5UIm处到输出电压下降沿0.5Uom处间隔的时间称导通延迟时间tPHL。平均传输延迟时间tpd
tPHLtPLH
tpd越小,则门电路开关速度越高,工作频率越高。0.5UIm0.5UOm5.
功耗-延迟积
常用功耗P和平均传输延迟时间tpd的乘积(简称功耗
–延迟积)来综合评价门电路的性能,即M=Ptpd
性能优越的门电路应具有功耗低、工作速度高的特点,然而这两者矛盾。
M又称品质因素,值越小,说明综合性能越好。
使用时需外接上拉电阻RL
即Opencollectorgate,简称
OC门。
常用的有集电极开路与非门、三态门、或非门、与或非门和异或门等。它们都是在与非门基础上发展出来的,TTL与非门的上述特性对这些门电路大多适用。VC可以等于VCC也可不等于VCC
二、其他功能的
TTL门电路
(一)集电极开路与非门1.
电路、逻辑符号和工作原理输入都为高电平时,
V2和V5饱和导通,输出为低电平UOL
0.3V。输入有低电平时,V2和V5截止,输出为高电平UOH
VC。因此具有与非功能。
工作原理OC门
相当于与门作用。因为Y1、Y2中有低电平时,Y为低电平;只有
Y1、Y2均为高电平时,Y才为高电平,故Y=Y1·Y2。2.
应用(1)
实现线与两个或多个OC门的输出端直接相连,相当于将这些输出信号相与,称为线与。
Y只有OC门才能实现线与。普通TTL门输出端不能并联,否则可能损坏器件。注意(2)驱动显示器和继电器等[例]下图为用
OC门驱动发光二极管LED的显示电路。已知LED的正向导通压降UF=2V,正向工作电流
IF=10mA,为保证电路正常工作,试确定RC的值。解:为保证电路正常工作,应满足因此RC=270
分析:该电路只有在A、B均为高电平,使输出uO为低电平时,LED才导通发光;否则LED中无电流流通,不发光。要使LED发光,应满足
IRc
IF=10mA。TTLCMOSRLVDD+5V(3)实现电平转换
TTL与非门有时需要驱动其他种类门电路,而不同种类门电路的高低电平标准不一样。应用OC门就可以适应负载门对电平的要求。
OC门的UOL
0.3V,UOH
VDD,正好符合CMOS电路UIH
VDD,UIL
0的要求。
VDDRL
即Tri-StateLogic门,简称TSL门。其输出有高电平态、低电平态和高阻态三种状态。三态输出与非门电路
EN=1时,P=0,uP=0.3V01100.3V1V导通截止截止
另一方面,V1导通,uB1=0.3V+0.7V=1V,V2、V5截止。这时,从输出端Y
看进去,对地和对电源VCC都相当于开路,输出端呈现高阻态,相当于输出端开路。Y=AB1V导通截止截止Z这时VD导通,使uC2=0.3V+0.7V=1V,使V4截止。(二)三态输出门1.
电路、逻辑符号和工作原理工作原理EN=0时,P=1,VD截止电路等效为一个输入为A、B和1的TTL与非门。
Y=AB
综上所述,可见:(二)三态输出门1.
电路、逻辑符号和工作原理只有当使能信号EN=0时才允许三态门工作,故称EN低电平有效。EN称使能信号或控制信号,A、B称数据信号。当EN=0时,Y=AB,三态门处于工作态;当EN=1时,三态门输出呈现高阻态,又称禁止态。EN即Enable功能表Z0AB1YEN使能端的两种控制方式使能端低电平有效使能端高电平有效功能表Z1AB0YENEN2.
应用任何时刻EN1、EN2、
EN3中只能有一个为有效电平,使相应三态门工作,而其他三态输出门处于高阻状态,从而实现了总线的复用。总线(1)构成单向总线DIDO/DIDO00高阻态工作DIEN=0时,总线上的数据DI经反相后在G2输出端输出。(2)构成双向总线DIDO/DIDO11工作DO高阻态EN=1时,数据DO经G1反相后传送到总线上。DIDO/DIDO11工作DO高阻态EN=1时,数据DO经G1反相后传送到总线上。DIDO/DIDOTTL集成门的类型很多,那么如何识别它们?各类型之间有何异同?如何选用合适的门?三、TTL集成门应用要点
1.各系列
TTL集成门的比较与选用用于民品用于军品具有完全相同的电路结构和电气性能参数,但CT54系列更适合在温度条件恶劣、供电电源变化大的环境中工作。按工作温度和电源允许变化范围不同分为CT74系列CT54系列向高速发展向低功耗发展按平均传输延迟时间和平均功耗不同分向减小功耗-延迟积发展
措施:增大电阻值
措施:(1)
采用SBD和抗饱和三极管;(2)
采用有源泄放电路;(3)
减小电路中的电阻值。其中,LSTTL系列综合性能优越、品种多、价格便宜;ALSTTL系列性能优于LSTTL,但品种少、价格较高,因此实用中多选用LSTTL。
CT74系列(即标准TTL)CT74L系列(即低功耗TTL简称LTTL)
CT74H系列(即高速TTL简称HTTL)CT74S系列(即肖特基TTL简称STTL)
CT74AS系列(即先进肖特基TTL简称ASTTL)
CT74LS系列(即低功耗肖特基TTL简称LSTTL)CT74ALS系列(即先进低功耗肖特基TTL简称LSTTL)
集成门的选用要点(1)实际使用中的最高工作频率fm应不大于逻辑门最高工作频率fmax的一半。实物图片
(2)不同系列TTL中,器件型号后面几位数字相同时,通常逻辑功能、外型尺寸、外引线排列都相同。但工作速
度(平均传输延迟时间tpd)和平均功耗不同。实际使用时,高速门电路可以替换低速的;反之则不行。例如CT7400CT74L00CT74H00CT74S00CT74LS00CT74AS00CT74ALS00xx74xx00引脚图双列直插
14引脚四
2
输入与非门2.
TTL集成逻辑门的使用要点(1)电源电压用
+5V,74系列应满足5V
5%。(2)输出端的连接
普通TTL门输出端不允许直接并联使用。
三态输出门的输出端可并联使用,但同一时刻只能有一个门工作,其他门输出处于高阻状态。集电极开路门输出端可并联使用,但公共输出端和电源VCC之间应接负载电阻RL。输出端不允许直接接电源VCC或直接接地。输出电流应小于产品手册上规定的最大值。3.
多余输入端的处理与门和与非门的多余输入端接逻辑
1或者与有用输入端并接。接
VCC通过
1~10k
电阻接
VCC与有用输入端并接
TTL电路输入端悬空时相当于输入高电平,做实验时与门和与非门等的多余输入端可悬空,但使用中多余输入端一般不悬空,以防止干扰。或门和或非门的多余输入端接逻辑
0或者与有用输入端并接[例]欲用下列电路实现非运算,试改错。
(ROFF
700
,RON
2.1k
)解:OC门输出端需外接上拉电阻RC5.1kΩY=1Y=0RI>RON,相应输入端为高电平。510ΩRI<ROFF,相应输入端为低电平。
是由增强型PMOS管和增强型NMOS管组成的互补对称MOS门电路。比之TTL,其突出优点为:微功耗、抗干扰能力强。主要要求:
掌握CMOS反相器的电路、工作原理和主要外特性。
了解CMOS数字集成电路的应用要点。了解CMOS与非门、或非门、开路门、三态门和传输门的电路和逻辑功能。3.4
CMOS集成逻辑门
AuIYuOVDDSGDDGSBVPVNBAuIYuOVDDSGDDGSBVPVNB增强型NMOS管(驱动管)增强型PMOS管(负载管)构成互补对称结构一、CMOS反相器
(一)电路基本结构要求VDD>UGS(th)N+|UGS(th)P|且UGS(th)N=|UGS(th)P|
UGS(th)N增强型NMOS管开启电压AuIYuOVDDSGDDGSBVPVNBNMOS管的衬底接电路最低电位,PMOS管的衬底接最高电位,从而保证衬底与漏源间的PN结始终反偏。.uGSN+-增强型PMOS管开启电压uGSP+-UGS(th)PuGSN>UGS(th)N时,增强型NMOS管导通uGSN<UGS(th)N时,增强型NMOS管截止OiDuGSUGS(th)N增强型NMOS管转移特性
时,增强型PMOS管导通时,增强型PMOS管截止OiDuGSUGS(th)P增强型PMOS管转移特性AuIYuOVDDSGDDGSBVPVNB(一)电路基本结构UIL=0V,UIH=VDDAuIYuOVDDSGDDGSVP衬底BVN衬底B(二)工作原理ROFFNRONPuO+VDDSDDS导通电阻RON<<截止电阻ROFFRONNROFFPuO+VDDSDDS可见该电路构成CMOS非门,又称CMOS反相器。无论输入高低,VN、VP中总有一管截止,使静态漏极电流iD
0。因此CMOS反相器静态功耗极微小。◎输入为低电平,UIL=0V时,uGSN=0V<UGS(th)N,UIL=0V截止uGSN+-VN截止,VP导通,导通uGSP+-uO
VDD为高电平。AuIYuOVDDSGDDGSVP衬底BVN衬底B截止uGSP+-导通uGSN+-◎输入为高电平UIH=VDD时,uGSN=VDD>UGS(th)N,VN导通,VP截止,◎输入为低电平UIL=0V时,uGSN=0V<UGS(th)N,VN截止,VP导通,uO
VDD,为高电平。UIH=
VDDuO
0V,为低电平。二、其他功能的
CMOS门电路
(一)CMOS与非门和或非门1.CMOS与非门
ABVDDVPBVPAVNAVNBY
每个输入端对应一对NMOS管和PMOS管。NMOS管为驱动管,PMOS管为负载管。输入端与它们的栅极相连。与非门结构特点:驱动管相串联,负载管相并联。ABVDDVPBVPAVNAVNBYCMOS与非门工作原理11导通导通截止截止0
驱动管均导通,
负载管均截止,
输出为低电平。
◆
当输入均为高电平时:
低电平输入端相对应的驱动管截止,负载管导通,输出为高电平。
◆
当输入中有低电平时:ABVDDVPBVPAVNAVNBY0截止导通1因此Y=AB2.CMOS或非门
ABVDDVPBVPAVNAVNBY或非门结构特点:驱动管相并联,负载管相串联。YABuOuIVDD1漏极开路的CMOS与非门电路(二)漏极开路的
CMOS门简称OD门与
OC门相似,常用作驱动器、电平转换器和实现线与等。Y
=
AB构成与门构成输出端开路的非门需外接上拉电阻RDC、C为互补控制信号
由一对参数对称一致的增强型NMOS管和PMOS管并联构成。PMOSCuI/uOVDDCMOS传输门电路结构uO/uIVPCNMOSVN(三)CMOS传输门
工作原理MOS管的漏极和源极结构对称,可互换使用,因此CMOS传输门的输出端和输入端也可互换。uOuIuIuO
当C=0V,uI=0~VDD时,VN、VP
均截止,输出与输入之间呈现高电阻,相当于开关断开。uI不能传输到输出端,称传输门关闭。CC
当C=VDD,uI=0~VDD时,VN、VP中至少有一管导通,输出与输入之间呈现低电阻,相当于开关闭合。uO=uI,称传输门开通。C=1,C=0时,传输门开通,uO=uI;
C=0,C=1时,传输门关闭,信号不能传输。PMOSCuI/uOVDDCMOS传输门电路结构uO/uIVPCNMOSVN
传输门是一个理想的双向开关,可传输模拟信号,也可传输数字信号。TGuI/uOuO/uICC传输门逻辑符号TG即
TransmissionGate的缩写(三)CMOS传输门
在反相器基础上串接了PMOS管VP2和NMOS管VN2,它们的栅极分别受EN和EN控制。(四)CMOS三态输出门AENVDDYVP2VP1VN1VN2低电平使能的CMOS三态输出门工作原理001导通导通Y=A110截止截止ZEN=1时,VP2、VN2均截止,输出端Y呈现高阻态。
因此构成使能端低电平有效的三态门。EN=0时,VP2和VN2导通,呈现低电阻,不影响CMOS反相器工作。
Y=AEN三、CMOS数字集成电路应用要点
(一)CMOS数字集成电路系列CMOS4000
系列
功耗极低、抗干扰能力强;电源电压范围宽VDD=3~15V;工作频率低,fmax=5MHz;驱动能力差。高速CMOS系列
(又称HCMOS系列)
功耗极低、抗干扰能力强;电源电压范围VDD=2~6V;工作频率高,fmax=50MHz;驱动能力强。
提高速度措施:减小MOS管的极间电容。
由于CMOS电路UTH
VDD/
2,噪声容限UNL
UNH
VDD/
2,因此抗干扰能力很强。电源电压越高,抗干扰能力越强。民品军品VDD=2~6V
T表示与
TTL兼容VDD=4.5~5.5VCC54HC/74HC系列CC54HC/74HC系列TT按电源电压不同分为按工作温度不同分为CC74系列CC54系列高速
CMOS
系列1.注意不同系列
CMOS电路允许的电源电压范围不同,一般多用+5V。电源电压越高,抗干扰能力也越强。
(二)CMOS集成逻辑门使用要点
2.
闲置输入端的处理不允许悬空。
可与使用输入端并联使用。但这样会增大输入电容,使速度下降,因此工作频率高时不宜这样用。与门和与非门的闲置输入端可接正电源或高电平;或门和或非门的闲置输入端可接地或低电平。主要要求:
了解TTL和CMOS电路的主要差异。
了解集成门电路的选用和应用。
3.5集成逻辑门电路的应用
一、CMOS门电路比之
TTL的主要特点
注意:CMOS电路的扇出系数大是由于其负载门的输入阻抗很高,所需驱动功率极小,并非CMOS电路的驱动能力比TTL强。实际上CMOS4000系列驱动能力远小于TTL,HCMOS驱动能力与TTL相近。
功耗极低抗干扰能力强电源电压范围宽输出信号摆幅大(UOH
VDD,UOL
0V)
输入阻抗高扇出系数大二、集成逻辑门电路的选用
根据电路工作要求和市场因素等综合决定若对功耗和抗干扰能力要求一般,可选用
TTL电路。目前多用74LS系列,它的功耗较小,工作频率一般可用至20MHz;如工作频率较高,可选用CT74ALS系列,其工作频率一般可至50MHz。若要求功耗低、抗干扰能力强,则应选用
CMOS电路。其中CMOS4000系列一般用于工作频率1MHz以下、驱动能力要求不高的场合;HCMOS常用于工作频率20MHz以下、要求较强驱动能力的场合。解:三、集成逻辑门电路应用举例
[例]试改正下图电路的错误,使其正常工作。CMOS门TTL门OD门(a)(b)(c)(d)VDDCMOS门Ya=ABVDDYb=
A
+
BTTL门OD门Yc=
AVDDENYd=ABEN
=
1
时EN
=
0
时OD门&TTL门悬空≥CMOS门悬空可用两级电路2个与非门实现之[例]试分别采用与非门和或非门实现与门和或门。解:(1)
用与非门实现与门设法将Y=AB用与非式表示因为Y=AB=AB因此,用与非门实现的与门电路为Y
=
AB将与非门多余输入端与有用端并联使用构成非门可用两级电路
3个与非门实现(2)
用与非门实现或门因此,用与非门实现的或门电路为Y
=
A
+
B因为
Y
=
A
+
B
=
A
+
B=
A
·
B设法将
Y
=
A
+
B
用与非式表示实现A实现B可用两级电路
3个或非门实现之。(3)
用或非门实现与门设法将Y=AB用或非式表示因此,用或非门实现的与门电路为因为
Y
=
AB
=
A
·
B=
A
+
B将或非门多余输入端与有用端并联使用构成非门Y=AB可用两级电路
2个或非门实现之(4)
用或非门实现或门设法将
Y
=
A
+
B
用或非式表示因为
Y
=
A
+
B
=
A
+
B因此,用或非门实现的或门电路为Y
=
A
+
B[例]有一个火灾报警系统,设有烟感、温感和紫外光感三种不同类型的火灾探测器。为了防止误报警,只有当其中两种或三种探测器发出探测信号时,报警系统才产生报警信号,试用与非门设计产生报警信号的电路。输入输出ABCY000001010011100101110111解:(1)
分析设计要求,建立真值表感三种不同类型的火灾探测器有烟感、温感和紫外光产生报警信号两种或三种探测器发出探测信号时,报警系统才与非门设计
报警电路的输入信号为烟感、温感和紫外光感三种探测器的输出信号,设用
A、B、C表示,且规定有火灾探测信号时用
1表示,否则用
0表示。
报警电路的输出用
Y表示,且规定需报警时Y为1,否则
Y为0。由此可列出真值表如右图所示11110000(2)
根据真值表画函数卡诺图
1
1ABC01000111101
1(3)
用卡诺图化简法求出输出逻辑函数的最简与或表达式,再变换为与非表达式。Y=AB+AC+BC(4)
画逻辑图根据Y的与非表达式画逻辑图=AB·AC·BCABCY=AB·AC·BC门电路是组成数字电路的基本单元之一,最基本的逻辑门电路有与门、或门和非门。实用中通常采用集成门电路,常用的有与非门、或非门、与或非门、异或门、输出开路门、三态门和CMOS传输门等。门电路的学习重点是常用集成门的逻辑功能、外特性和应用方法。
本章小结在数字电路中,三极管作为开关使用。
硅NPN管的截止条件为UBE<
0.5V
,可靠截止条件为UBE≤0V,这时iB
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