2026年光纤衰减测试题及答案_第1页
2026年光纤衰减测试题及答案_第2页
2026年光纤衰减测试题及答案_第3页
2026年光纤衰减测试题及答案_第4页
2026年光纤衰减测试题及答案_第5页
已阅读5页,还剩1页未读 继续免费阅读

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

2026年光纤衰减测试题及答案

一、单项选择题(每题2分,共20分)1.在1550nm窗口对G.652D单模光纤进行衰减测试时,IEC61280-1-4建议的注入条件是A.满注入Overfill B.受限注入RMS宽度≤0.15 C.均匀满注入EF≤0.3 D.单模注入EF≤0.252.OTDR测量光纤衰减时,若事件盲区为5m,则其脉冲宽度最可能为A.5ns B.10ns C.20ns D.100ns3.采用剪断法时,若参考段测得功率P0=−3.2dBm,剪断后测得P1=−6.8dBm,则2km被测段衰减系数为A.0.18dB/km B.0.35dB/km C.1.8dB/km D.3.5dB/km4.在1625nm测试弯曲不敏感光纤时,发现附加衰减0.05dB,该值已超出A.ITU-TG.657.A1宏弯限值 B.G.657.B3宏弯限值 C.G.652D宏弯限值 D.G.655宏弯限值5.使用双向OTDR平均后,衰减系数不确定度主要受限于A.折射率设置误差 B.光纤纵向不均匀性 C.连接器重复性 D.时钟漂移6.对0.3NA多模光纤进行850nm测试,若采用满注入,则最小注入长度应大于A.1m B.5m C.20m D.100m7.在−10℃环境下测得衰减比23℃时高0.03dB/km,其主要原因是A.瑞利散射增加 B.红外吸收边移动 C.微弯损耗增大 D.氢损增加8.若OTDR曲线在1310nm出现周期性波纹,周期约130m,最可能的缺陷是A.纤芯直径周期变化 B.包层直径台阶 C.一次涂覆层偏心 D.二次被覆过紧9.对链路总衰减预算为24dB的系统,若OTDR测得23.2dB,则系统裕量属于A.充足 B.临界 C.不足 D.无法判断10.在IEC61350中,用于校准OTDR线性度的标准光纤其衰减系数不确定度要求优于A.±0.01dB/km B.±0.02dB/km C.±0.05dB/km D.±0.1dB/km二、填空题(每题2分,共20分)11.单模光纤在1380nm处出现的“水峰”主要由________基团振动吸收引起。12.剪断法标准中,对短样品(<500m)需采用________注入方式以消除模式噪声。13.OTDR测量时,若折射率n=1.4680误设为1.4670,则100km长度读数将偏________km。14.宏弯附加衰减与弯曲半径R近似成________关系。15.在850nm测试50/125μm光纤,若DMD测试结果显示脉冲展宽0.8ns,则有效模式带宽约________MHz·km。16.双向平均可消除________误差,但无法消除________误差。17.氢损测试需在________℃、1atm氢气中老化至少________天。18.对G.654.E光纤,1550nm衰减系数典型值为________dB/km。19.在IEC61280-1-1中,光源稳定度要求15min内波动小于________dB。20.若OTDR动态余量为38dB,欲测试0.2dB/km的200km链路,需选用脉宽不小于________ns。三、判断题(每题2分,共20分,正确打“√”,错误打“×”)21.采用LED作多模光纤光源时,其谱宽对衰减测试结果无影响。22.对同一根光纤,1310nm微弯敏感度高于1550nm。23.OTDR曲线中反射峰越高,说明该点回波损耗越小。24.在低温下,涂覆层模量增加会导致微弯衰减下降。25.剪断法属于基准法,其测量不确定度可优于0.02dB/km。26.对G.657.B6光纤,允许5mm半径绕1圈附加衰减≤0.1dB。27.若OTDR测试长度大于标称动态范围,则衰减系数读数一定偏低。28.采用外差式OTDR可提高空间分辨率但会降低动态范围。29.在1625nm测试可避免对正在运行的1310/1550nm系统产生业务干扰。30.对链路进行衰减测试时,连接器脏污会导致读数偏大。四、简答题(每题5分,共20分)31.说明剪断法与后向散射法在测量单模光纤衰减系数时的主要系统误差来源及抑制措施。32.给出OTDR“增益器”现象的产生机理,并列举两种识别与消除方法。33.概述温度循环试验中光纤附加衰减的测试步骤与合格判据。34.解释为什么G.657系列光纤在弯曲半径5mm时仍能保持低损耗,并指出其结构关键。五、讨论题(每题5分,共20分)35.某海缆系统设计中,中继段长度120km,工作波长1550nm,要求系统裕量≥3dB。已知光纤衰减系数0.175dB/km,接头平均损耗0.06dB/个,每2km一个接头,讨论在工厂、敷设、运行三阶段如何控制衰减预算。36.结合硅光子封装需求,讨论在芯片级耦合中,模场直径失配对附加衰减的影响,并提出三种降低耦合损耗的技术路线。37.面对未来空分复用多芯光纤,传统OTDR面临哪些挑战?请提出一种新型分布式衰减测试方案并评估其可行性。38.在碳中和背景下,运营商需对存量G.652光纤进行1625nm在线监测。讨论如何兼顾在线监测精度与既有业务安全,给出测试参数优化策略。答案与解析一、单项选择题1.C 2.C 3.C 4.A 5.B 6.C 7.A 8.A 9.B 10.B二、填空题11.羟基(O-H) 12.包层模剥离器+滤模器 13.0.68 14.1/R² 15.62516.线性度、纵向不均匀性 17.85、30 18.0.15 19.0.02 20.200三、判断题21×22×23√24×25√26√27×28√29√30√四、简答题(每题约200字)31.剪断法误差:注入条件不匹配、包层模残留、探测器线性度;抑制:使用滤模器与包层模剥离器、校准探测器、控制光纤端面质量。后向散射法误差:折射率设置、纵向不均匀、死区;抑制:双向平均、选用合适脉宽与平均时间、采用参考光纤校准。32.增益器现象由两段反向散射系数差异引起,表现为伪“负损耗”。识别:双向曲线对比、增益器段反射峰异常;消除:双向平均、采用实时增益补偿算法、在事件表中手动修正。33.步骤:样品200m松绕于φ280mm轴,−40℃至+85℃循环两个周期,升温速率≤1℃/min,保温≥2h,全程监测1550nm附加衰减。判据:G.652附加衰减≤0.05dB/km,G.657≤0.1dB/km。34.低弯曲损耗源于:小模场直径、下陷包层折射率设计、空气孔辅助结构,使高阶模截止波长移向短波,弯曲泄漏模被折射率沟槽反射回芯区,关键为沟槽深度Δn≥0.015、宽度8-10μm。五、讨论题(每题约200字)35.工厂控制:拉丝在线OTDR确保≤0.17dB/km;敷设:张力≤0.2TN、余长0.3%;运行:年度1625nm监测,发现氢损>0.02dB/km即更换密封件,总预算=20.4+3.6=24dB,裕量3.6dB>3dB。36.模场直径失配4μm→0.8dB损耗;路线:端面透镜耦合、SSC倒锥斑尺寸变换、片上亚波长光栅耦合器,可将损耗降至<0.2dB。37.挑战:芯间串扰、多芯共用OTDR端口、事件盲区叠加;方案:多波

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

评论

0/150

提交评论