2025年本科深造CMOS模拟集成电路深度解析与应试指南

8.下列电路不险能使用半边电路法计算差段用益＜）.（2分）

A.二极管负载若分放大措

专升本（CMOS模拟集成电路分析与设计》B.电源源鱼牧不分放大潺

C"iK电流钺力分放大器

一、（共75题洪⑼分）

D.Cascodc仇战Casoede走分放大器

1GouJuuM5ct;在1965年预言:每『七升JLA体值的效日将母（＞彳/］岫一街

1.原则答案1C

分）

A.12B.ISC.20D.249.镜像电流通•殷规定相似的（）.（2分）

.辰则答案：B

A.制造工艺B.密件宽长比C.器件宽哎WD.器件长度L

.原则答案：D

2MOS筲的小信号输出电阴，•是由MOS管的（）效应产生的.（2分）

A.体B.衬伯C.淘长调利D.亚阂值导通

10.某一恒流液也流险如图所示.忽视M3的体效应.要使/。和,*，严格相等.外

月期芥窠：C

3在CMOS模扪I集成电跻设计中.我们一般让M0$号工作在（）区.（2分）

A.亚阙位区B.深三极管区C.三极管区D.饱和I，

.成期答案：D

4MOS首一旦出现O现象,itHiffiMOS管将进入电和区。（2分）

A.夹断B.反蟹C,导电D.耗尽

.现则答案；A应取为（》.卷（2分）

A%十%

5（）非征了MOS零件的械徒哎.（2分）

ACB.叫--

BW-»C-

ca

D%+%

.原则答案।A

JR则答案:c

II.选杼府：卜列构造中密勒效应最大的是（）.12分）

6Cascode放大器中两个相似的NMOS管具有不相似叫O.（2分）

A.r»A.共源被放大卧B.源级联的器

C共相级放大港D.共源共标级放大器

BQ-

ca.原则答案:A

DG

12.下图中，其中电压放大器的增益为-A.假出该放火器为理想放上5s.请计算该

.瓜则答案iB

R

-VA—I

7茶本差分对电路中对共模增益影响最明显的原因是C.（2分）

A.用电旅游的小信号埔III阻抗为行限位—

例较不匹

RIC电路的等效输入电阻为（）.‘即'&＜"'（2分》

C输入MOS不1（配

D.电路制造中的误差K

JR则答窠:c/\1+^

RI+M/18.在NMOS中，若、SBX）.会使中供电压（）（2分）

c*+⑷A.增大B不变C.减小D.可大可小

,原则答案；A

工帅+邛/）

.原则答案：A19.NMOS管中,假如VB变得更负.则耗尽层（）.（2分）

A.不变B.攵得更窄C.变得更宽D.几乎不变

对电路迸行出流工作已分析的命令是C.分）

13.Hspicc（2.咏则答案：C

A.DCB.ACC.OPD.IC

.如则答案：C20.伴随做电子工艺水平提高,特性尺寸不偿破小,这时电跻的工作电压会（）＜2

分》

14.模拟柒成电路设计中的第一步是O.（2分）

A.不停提高B.不变C.可大可小D.不停被少

A.电路设计B,板图设il

.原则答案：D

C规格定义D,电蹄构造选界

.成则答案:C21.MOS管漏电沛的变化量除以概源电质的变化纸是（）.（2分）

A.电9B.电阻C弱0D.涔阳

,原则答案；C

22.工作在饱和区的MOS管.可以被布作是一种（）.（2分）

A.但乐海B.电质控制电流源

C恒流源D.电流控制电EK源

.原则答案।B

23.卷初效应最明显的放火目是＜）.（2分）

A.火源极放大叁B.源极理随热

C.共榔微放大梏D.共基极放大器

IJ.＜）可提高图中放大器的增益..原则答案:A

，：2分）

24不能直接工•乍的共双极放大器是＜）共源极放大器.（2分）

A.诚小4旅小1T

A.电阻负我B,二极管连接负我

R增大A.增大％C.电流湿负载D,：极管和电流湖并联负我

CJA大A,总小1T.原则答案：C

C减小4,增大1»

25.模拟集成电拓设计中的最终一步是（）.（2分〉

川则答案：AA.电路设计B.版图设计

C规格定义D.电路构造选择

电检拟集成电路设计中可使用大信号分析措施的足•）.（2分）JK则答案।B

A.增盛B.输出电叭C加出挠偏D.输入电用

.瓜则答案।C26.在当今的集或电路制造工艺中.＜）丁.艺制造的IC在功FC方面只大的优

势.（2分）

17.模拟奥成电路设计中可使用小信号分析措施的是•）.（2分）AMOSBCMOSC.BipolarD.BiCMOS

A.蝌内B.H而冷空C.SHH样摭D.输入伯E?则答*:B

.成则答案：A

27.MOS器件小侑弓模型中的统是由MOS管的（）效应引起.（2分）A.亚阈值区B.深三极管区C,三极管区D.也和区

A.一级B.村僻C.沟长调制D.亚阑值导通.原则答案;B

.原则答案：B

35.下图的共海北榭放大器中.选择合适的倒置电压VB.让输入电玉Vin从0读

2.PMOS管的导电沟遒中依托（）导电.（2分）

A,电子B,空穴C,正电荷D.负电荷

总则答案；B

29.当MOS管的魔K比必定W时.其湾导。漏源电泡的关系曲线是（）.

渐增长,则先从饱和区迸入战性区的MOS笆是《）

（2分）

A.MIB.M2

A.见图B.见图C.见图D.见图C两个同步进入D.均在也许

.原则答案:D.版则答案tD

汕祖如MOS管的栅期过驶动电压给定，L嬉＜）,输出电流越理想.（2分）

A,大B.小C.近似于WD,精确

总则答案；A

31.MOS电容中对电容值奉献蚊大的是（＞.（2分：

c

N3

36.下面放大器的小信号地花为＜）.

A.-8/

C-CM

D.C«

B.1+8/

总则答案；A

C.I

D.理论上无力大

32.下面几种电路中增益线性度械佳的是（）.42分）

,原则答案；A

A.电见负裁共源级放大》8B.电流源负我共源级放大隅

C二极管倒就共源级放大器D.漱微鱼反馈共燕级加大罂

37.下列不足基本差分对电路中尾电流的作用的是（）.（2分）

.限则答案।C

A.为放大豁管货供固定偏置B.为放大省提供电流通路

C.减小放大㈱依共梭地苻D.捉得放大器的增益

33.电用与I我共源级放大器中,下列措施不能梃鸟放大落小信勺增益的是（＞.

.限则答案।D

：2分）

A.tft大器件宽长比B.增大负我电阻

C减少输入信号直流电平D.增大器件的沟道长度L

.原则答案:D

34.电瓶仇族共同勿放火源中，让物人信号从VDD卜肾，NMOS管苜先龙人（）

区.（2分）

%,下图电流镜的输出电压最小依为＜）.（2分）

A2%,+2匕

区2%,+匕

以2%+2%

.原则答案；C

3必卜图中.其中电压放大器的增益为-A.假定该放大器为理想放大器.请计算该

D.仅破小/

.原则答案：C

41.MOS管的线电压变化时，源极和潮极（）互换，（2分）

A.ffiB.不能

C.不僦得能不能D.在特殊的极双状况下能

.原则答案：A

42.CMOS工艺里不必易加工的器件为（》.（2分）

A.电UIB.电容C.电蟠D.MOS管

CR（l+A）

.原则答案tC

3%）

43.MOS管的特性尺寸一般是指O.（2分）

.原则答案；B

A.WB.LC.W/LD.tox

.BK则答案rB

44.MOS管从不导通到导通过程中,最先出现的是（）.（2分）

A.反型B.失断C.耗尽D.导通

.原则答案：C

45.源极郎的揩一般不能用作（）.（2分）

A.缓冲备B放大盏C.电平移动D.Si动器

.原则答案:B

46.能较大范田或高闾值电压的指施足；＜）.（2分）

A,增大MOS管尺寸&提高过驱动电压A.夹断层B反型层C.导电层D,耗尽层

C制造时向沟道区域注入杂质以增大忖底偏置效应,原则答案：B

.盛姬答案:C

57.形成（）的明源电压叫团（ft电压＜）.（2分）

47.PMOS管导电.依托的是沟道中的〈）.（2分）A.夹断层B反型层C.导电层D.耗尽层

A,电子B.空穴C.电荷D.电子空穴对.原则答案tB

.瓜则答案।B

58.NMOS管中.据如VBS变得更小,则耗尽层（）.（2分）

做为了让MOS管对外体现出受拄电流源的特性.我心一般让其工作在（）区.A.不受B.变得更平C.变旧更宽D.几乎不变

：2分）.原则答案：C

A.裁止B.三极昔C.线性D.饱和

.原则答案：D59.NMOS管的杼电沟道中依托（）导电.（2分）

A,电子B.空穴C,正电荷D,负电荷

49.MOS管中出大的电容是。.《2分）,原则答案；A

A.敏化层电容B,耗足层电容C.交废电容D.站电容

,原则答案；A60.当MOS特例宽长比是定值时•其跨导与过胸动电糠的关系曲线是（）.

50.MOS器件小信号模型中的■是由MOS管的＜）效应引起.（2分）

A.体B.衬倒C.沟长调剂D.亚阈倡导通

.0则答案；C

分）

51.在当今的集成电路制造工艺中.（）工艺制造的I，二被M殛实现尺寸的按比例缩BCD（2

A.见图B.M图C.见图D.见图

4.（2分）

A.MOSB.CMOSC.BipolorD.BiCMOS.康胤左宴：C

.但则答案；B

61.MOS??的浜源电流受根源过Si动电压控制，我们定义（）来表达电压传换电流

52.（）在1965年预方:每个芯片上高体曾的数II招邮18个月翻•长（2分）的能力.（2分）

A.比尔盅茨B.摩尔C.乔布斯D.贝尔A,跨导B,受控电流河C跨mD.小信号增益

.日则答案।B.原则答案:A

53.H常见的集成电路股柔用（）工艺制造.（2分）62.X为沟长调利效应系数.对于较长的沟道.X{ft（）（2分）

A.MOSB.CMOSCBipolarD.BiCMOSA.较大B.以小C.不变D.不定

总则答案；B.昂则答案।B

54.工作在＜）区的MOS管.可以被看作为电流源.（2分）63.共源共榭放大器构造的一种通要特性就处输出阻抗（）•（2分）

A.截止B.三极管C.深三极管D.但和AXB.般C.ifGD.很高

总则杵案।D.糜则答案:D

55.工作在（）区的MOS??.凡跨导是恒定值.（2分》64.NMOS好中,对阈依电压影响点大的魁（）.（2分）

儿被止B.三极苫C.深三极竹D.饱和A.VBSB.VGSC.VDSD.W,'L

JR则答案:D•原则答案：A

外双范f沟道就在线轨层下形成（）,源和涡之何“寻妁”，（2分）65.Cascode放火器中两个尺寸相似的NMOS具有相似的（）效应.（2分）

A.沟长调剂B.体c.-waD.衬底偏置A/"匕

.原则答案：A

B.2%+匕

出.小佑号输出电取相对最小的放大器是（）.（2分）C.2心

A.共巡级放大器B.混燹跟两器D.2%+2%

C共郴级放大器D.共源共揭级放大器

.瓜则答案।B.原则答案：B

67.差分放大器中.共模输入电平的变化不会引起差动输出的变化的原因是（）.71.下图中,其中电压放大器的增益为-A,假定该放大器为理想放大器.请计算该

：2分）

A.足电流源输出阻抗为斤限值B.输入MOS行不完仝对称

C他找不完全对称D.输入对管工作在抱和区

.原则答案:D

6%下列不是其本整分对电路中尾电渣的作用的是（）.（2分）

A为放火器管提供固定偏置B.为放人皆提供电流过路

C战小放大都的共模增粒D.梃高放大器的增益

B或

原则答案:D

C画1+川