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素养提升练(八)证据推理——应用相关理论解释物质结构与性质的关系1.(1)O>C>H>Fe(2)小于O原子半径更小,更难失去电子(3)F>O>Cl2.(1)N>C>H(2)As>Se>GeSe>As>Ge3.(1)大于Zn核外电子排布为全满稳定状态,较难失去电子,Cu的价层电子排布为3d104s1,易失去4s电子变为3d10全充满稳定结构(2)Na与Li同族,Na电子层数多,原子半径大,易失电子Li、Be、B同周期,核电荷数依次增加,B的第一电离能失去的电子是2p能级的,该能级电子的能量比Be失去的2s能级电子的高,所以Be的第一电离能较大;与Li相比,B的核电荷数大,原子半径小,较难失去电子,第一电离能较大4.(1)Cu的第二电离能失去的是全充满的3d10电子,Ni的第二电离能失去的是4s1电子(2)b[解析](2)C原子的价层电子排布为2s22p2,Si原子的价层电子排布为3s23p2,P原子的价层电子排布为3s23p3,由第一电离能规律可知,第一电离能:C>Si,P>Si;当P原子失去3个电子后,再失去的一个电子为比3p能级能量低的3s能级的电子,需要的能量较多,即第四电离能与第三电离能相差较大,故符合此情况的曲线为b。5.(1)两者均为分子晶体,CH3CH2NH2可以形成分子间氢键,使分子间作用力增大,而CH3CH2F不能(2)两者熔化时需克服的均为离子键,由于C2H5NH3+的半径大于NH4+,C2H5NH3NO3的离子键弱于NH46.(1)甲苯分子间只存在范德华力,苯胺分子之间存在氢键(2)>P2H4分子间只存在范德华力,N2H4分子间存在氢键(3)S8相对分子质量大,分子间范德华力强(4)H2O>CH3OH>CO2>H2H2O与CH3OH均为极性分子,H2O中氢键比CH3OH多,沸点更高;CO2与H2均为非极性分子,CO2的相对分子质量较大,范德华力较强,沸点更高7.(1)平面三角加成产物CH3OH分子之间能形成氢键(2)ⅥA两者均为分子晶体且结构相似,H2Te相对分子质量比H2S大,分子间作用力更强两者均为分子晶体,H2O分子之间存在氢键8.(1)<能形成分子内氢键,使—OH更难电离出H+(2)NH3分子间能形成氢键(3)O—H>氢键>范德华力形成分子内氢键,而形成分子间氢键,分子间氢键使分子间作用力增大,沸点升高[解析](1)氧的电负性较大,则中形成分子内氢键,即O—H…O,其大小介于化学键和范德华力之间,使—OH更难电离出H+,则水杨酸第二级电离平衡常数小于苯酚的电离平衡常数。(2)分子间氢键能使分子间作用力增大,使物质的熔点、沸点升高。(3)氢键弱于共价键而强于范德华力。对羟基苯甲醛形成分子间氢键,邻羟基苯甲醛形成分子内氢键。9.(1)氮元素电负性大,能与氢原子形成氢键(2)8-羟基喹啉能形成分子内氢键,7-羟基喹啉、6-羟基喹啉可以形成分子间氢键(3)①大π②O—H…O、C—H…O、C—H…N[解析](1)氮元素电负性大,能与氢原子形成氢键,所以8-羟基喹啉分子间可形成O—H…N氢键。(2)由于8-羟基喹啉能形成分子内氢键,7-羟基喹啉、6-羟基喹啉可以形成分子间氢键,所以8-羟基喹啉的熔点明显低于7-羟基喹啉、6-羟基喹啉的熔点。(3)①8-羟基喹啉与苯相似,除含有σ键外,还含有大π键,使C、N原子的性质与普通的烷烃、烯烃、胺明显不同。②8-羟基喹啉分子含有羟基,根据示意图可判断8-羟基喹啉分子间除O—H…N氢键外,还存在O—H…O、C—H…O、C—H…N等氢键。10.(1)K原子半径较大且价层电子数较少,金属键较弱(2)GaF3为离子晶体,GaCl3为分子晶体(3)①SiX4属于分子晶体,相对分子质量越大,范德华力越大,沸点越高②减弱增强[解析](1)K和Cr都是金属晶体,其熔点、沸点与金属键的强弱有关。K和Cr处于同一周期,且核外最外层电子排布相同,但K的原子半径比Cr大,且K的价层电子数比Cr少,则K的金属键比Cr弱,因此K的熔点、沸点比Cr低。(2)GaF3的熔点高于1000℃,GaCl3的熔点为77.9℃,其原因是二者所属晶体类型不同,GaF3是离子晶体,GaCl3是分子晶体,而一般离子晶体的熔点高于分子晶体的熔点。(3)①由题图可知四卤化硅的沸点逐渐升高,且均低于400℃,则四种物质均为分子晶体,其沸点与范德华力有关,相对分子质量越大,范德华力越大,其沸点越高。②PbX2的熔点降低后升高,其中PbF2的熔点超过800℃,其余低于600℃,则PbF2为离子晶体,PbBr2、PbI2为分子晶体,据此推知,依F、Cl、Br、I次序,PbX2中的化学键的离子性减弱,共价性增强。11.(1)AlCl3是分子晶体,而AlF3是离子晶体(2)氧离子半径小于硫离子半径,所以CuO的离子键强,熔点较高(3)Li2O、MgO为离子晶体,P4O6、SO2为分子晶体;MgO的离子键比Li2O强,分子间作用力:P4O6>SO212.(1)As1(2)5s25p3V形(3)cd(4)两者均属于共价晶体,原子半径N<P,键长Ga—N<Ga—P,键能Ga—N>Ga—P,故GaN熔点高[解析](3)N2H4分子的结构为,有4个N—Hσ键和1个N—Nσ键,不含π键,故a错误;基态P原子中,核外电子排布式为1s22s22p63s23p3,确定最高能级为3p能级,最高能层为M,故
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