CN113517875B 用于多模滤波器的电路和方法 （华为技术有限公司）

201480015482.62014.03.12一电容元件包括金属氧化物半导体结构的第一所述第三电容元件包括金属绝缘体金属结构的二电容元件和所述第三电容元件并联的第四电2第三可变电容器，所述第三可变电容器耦合于所述运算放大器的正输入端和负输入与所述第五电容元件、所述第六电容元件和所述第七电容元件并联的第八电容元件，与所述第五电容器串联耦合的第五开关，以及与所述第六电容器串联耦合的第六开金属氧化物半导体结构的第九电容器，所述第九电容器与所述第五电容器背对背连与所述第一电容元件、所述第二电容元件和所述第三电容元件并联的第四电容元件，还包括与所述第二电容器串联耦合的第二开关，以及与所还包括与所述第一电容器串联耦合的第一开关，以及与所所述第一电容元件和第二电容元件形成于半导体基板表面，所述所述多模滤波器用于通过包括全球移动通信系统的200KHz的信号和长期演进的20MHz3所述运算放大器的输入端包括正输入端和负输入端，所述运算放大器的所述多模滤波器包括第一电阻器，所述第一电阻器与所述第一可变电容器并所述多模滤波器还包括第二可变电容器和第二电阻器，所述第二电器与所述第二可变电容器构成的电路与所述第一电容器和第一电阻器构成所述金属氧化物金属结构中的氧化物为二氧化硅或所述第一通孔将所述第一电容器的顶板连接到覆盖半导体基板表面的第一金属互联还包括与所述第七电容器串联耦合的第七开关，以及与所所述第三可变电容器还包括第九开关，所述第九开关和所述第五开4[0001]本发明要求2013年4月29日递交的发明名称为“用于多模滤波器的电路和方法(CircuitandMethodforaMulti-ModeFilter)”的第13/872727号美国非临时专利申波器的电路和方法(CircuitandMethodforaMulti-ModeFilter)”的第61/780513号美国临时专利申请案的在先申请优先权，以上在先申请的内容以引用的方式并入本文本为与单极点滤波器(singlepolefilter)耦合的差分双二阶滤波器(differentialbiquadfilter)。收发器可集成在能够接收和发射多种通信标准的RF信号的单块芯片上，同步码分多址(TDSCDMA)、增强型GSM数据速率演进(EDGE)，以及电气和电子工程协会[0004]根据实施例，集成电路包括含有第一金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor，MOS)电容器的第一电容元件和与所述第一电容元件并联耦合的第二电容件和所述第三电容元件并联耦合的第四电容元件，其中所述第四电容元件包括第二MIM电二MOS电容器和与所述第二MOS电容器并联耦合的第二MIM电容器。所述电路还包括耦合到5述第三电容元件包括第三MOS电容器和与所述第三MOS电容器并联耦合的第三容元件和所述第二电容元件并联耦合；以及确定是否选择了所述电容结构的第四电容元[0007]根据又一实施例，制造集成电路的方法包括在半导体基板表面形成第一电容元元件并联耦合。所述方法还包括在覆盖所述半导体基板表面的金属层中形成第三电容元6数目的当前已知或现有的技术来实施所公开的系统和/或方法。本发明决不应限于下文所波器带宽的要求不同，带宽范围为全球移动通信系统(GSM)的200KHz至长期演进(LTE)-40[0027]双二阶滤波器或双二阶加实极点滤波器(realpolefilter)是蜂窝基带接收器的电流驱动双二阶滤波器的示例。双二阶滤波器(biquadfilter或biquadraticfilter)是一种实施传递函数(两个二次函数之比)的线性滤波器电路100示出了低通Tow-Thomas双[0029]其中R116是电阻器116的电阻，R118是电阻器118的电阻，C112源。电容器112和电阻器114并联耦合在运算放大器110的负输入端和输出端之间。电阻器7的正输入端耦合到接地端104，而电阻器128耦合在运算放大器126的负输入端和输出端之[0037]其中R162是电阻器162的电阻，R152是电阻器152的电阻，C158变低通滤波器的固有频率和Q。电阻器的电阻和电容器的电容是可调的，所以可调节电路[0041]电阻器138耦合在负输入端132和差分运算放大器142的负输入端之间，而电阻器132和正输入端134之间。电阻器144和电容器146并联耦合在差分运算放大器142的负输入端和正输出端之间，而电阻器148和电容器150并联耦合在差分运算放大器142的正输入端和负输出端之间。电阻器152耦合在差分运算放大器142的正输出端和差分运算放大器156的负输入端之间，电阻器154耦合在差分运算放大器142的负输出端和差分运算放大器156的正输入端之间。电容器158耦合在差分运算放大器156的负输入端和差分运算放大器156的正输出端之间，而电容器160耦合在差分运算放大器156的正输入端和差分运算放大器156的负输出端之间。电阻器162耦合在差分运算放大器156的负输出端和差分运算放大器142的负输入端之间，电阻器164耦合在差分运算放大器156的正输出端和差分运算放大器188接通和断开电容器180。在示例中，省略开关182。电容器172的电容可以是固定的8容器172分别并联连接或断开来获取电路170所需的电容。尽管电路170中仅示出四个电容[0043]在RF收发器的多模滤波器中，两个带宽非常接近以至于电路170中实施Clsb所需[0044]电路170和电路190中使用的可变电容器可实施为金属氧化物半导体(MOS)电容大的低带宽模式(即，GSM)下使用时会带来问题。图5示出了图示配置有MOS电容器的电路[0045]背对背MOS电容器可以配置为二进制树，例如电路170和电路190中所示的二进制对MOS电容器串联。电容器218和电容器220使用偏置量236进行偏置并使用开关232进行接电容器250使用偏置量256进行偏置并由开关252控制，电容器258和电容器260使用偏置量9和MIM电容器294连接到开关296和开关300，MIM电容器304和MIM电容器306连接到开关308Cfix并且开关406和412控制电容器408和410，电容器416和418的电容为Cfix+Clsb并且开关414和420控制电容器416和418，电容器424和426的电容为Cfix+2×Clsb并且开关422和428控制电容器424和426，电容器432和434的电容为Cfix+3×Clsb并且开关430和436控制电容器432和434，电容器440和442的电容为Cfix+4×Clsb并且开关438和444控制电容器440和442，电容器448和450的电容为Cfix+5×Clsb并且开关446和452控制电容器448和器464和466的电容为Cfix+7×Clsb并且开关462和468控制电容器464和466，电容器472和474的电容为Cfix+8×Clsb并且开关470和476控制电容器472和474，电容器480和482的电+10×Clsb并且开关486和492控制电容器488和490，电容器496和498的电容为Cfix+11×Clsb并且开关494和500控制电容器496和498，电容器504和506的电容为Cfix+12×Clsb并且开关502和508控制电容器504和506，电容器504和506的电容为Cfix+12×Clsb并且开关502和508控制电容器504和506，电容器512和514的电容为Cfix+13×Clsb并且开关510和电容器520和522，电容器528和530的电容为Cfix+15×Clsb并且开关526和532控制电容器528和530。例如，Cfix的值可以低至1pF，所以使用传统的二进制调谐阵列，我们可以以[0054]为了调节这两种类型的电容器，包含追踪振荡器的电路将提供两种不同的控制[0055]或者，可使用单个跟踪振荡器来控制MIM电容器和MOS电容器。图13示出了电路可仅选择MIM电容器，或同时选择MOS电容器和MIM电容器。如果步骤576中未选择MIM电容技术人员在不脱离本文精神和所公开的范围的