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半导体封装引线键合的WireBond焊接时序分析概述半导体封装引线键合的WireBond焊接时序分析概述 11.1引线键合的分类和特点 11.1.1热压焊 1.1.2超声焊 21.1.3金丝球焊 31.2金丝球焊键合工艺 31.1.1键合焊接原理 31.1.2金丝球键合工艺过程 1.1.3线孤特征 5 51.4金丝球焊工艺材料的选择 61.4.1引线的选择 61.4.2焊针的选择 的焊区和采用微电子密封方式进行外围传感器的I/O引线或衬底上的金属布线焊区热挤压金属焊接的主要操作技术及其工作基本原理就是通过对被压焊区内的其金属丝与其他受到压焊的其它金属在其他接触部位和在接触面上的压焊电弧线和原热压力焊接工艺所用的焊件一般有针形、楔形和锥形三种。焊压一般是头需要被进行高温压焊加热至200℃以上，焊接螺丝和芯片电导体在连接芯片的两个(3)热压焊的金属接头在两端进行金属焊接加工操作时易因为过热造成接点金于A1膜的涂层表面结构形成了可塑型状的改变。这一电子变形也严重地直接破坏了引线最关键的铝合金丝型钢球焊制造工艺本身就是最新的具有国际代表性的一金丝球焊接工艺是指用直径极细的金丝线将芯片上的焊盘与基扳连接起来的技第二焊点(通常在引线框架或基扳)。66278控制小球尺寸95移至第二焊点打线初期，通过“电子火焰熄灭”(EFO)离子化空气间隙产生的电子火花，将引线的一段线尾(焊针)完全加热熔化形成一个金丝无空小球(FAB)。其是关系到后移到第一焊点的位置(步骤1和2)。FAB被放置在与焊垫相互接触的界面，在压力、热能和超声波的作用下.在金丝球和焊垫之间形成的金属焊接.使焊球变形.形成最终的形状.至此无空球被焊到焊垫上.形成第一个焊点(步骤3)。第一焊点的形设置的程序形成一个特定的线弧(步骤4、5和6)。二次焊接是在引脚焊接区与引线之间，在压力和超声的作用下进行的(步骤7)。最终，焊头上升到一定高度，一个FAB(步骤8、9和10)。接着再对线路进行EFO,把线路尾部融化成FAB,为接下WireBond工作台具有完全编程的传送器合轨道，其具有软接触的特征，可自动基板(LeadFram):是模塑封装的骨架，它主要由两部分组成：芯片焊盘和引脚。便于线材的加工制作，常用金线直径为23um、25um、30um,高纯度99.99%,其经1.4金丝球焊工艺材料的选择(1)封装形式和材质艺，所选金线纯度为99.99%,通常称为4ns级引线，如满足高引线强度，还可采用合金线。为了提高设备的可靠性，还可采用3ns级和2ns级的引线。表格1.1不同材铜金铝银电导牢(%IACS)热导率(W/mK)热膨胀系数f(gm/mK)拉伸弹性模量(GPa)(2)引线直径(3)抗张强度(4)延长性(5)热应

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