岭南师范学院《半导体器件物理》2025-2026学年第二学期期末试卷(A卷)

站名：站名：年级专业：姓名：学号：凡年级专业、姓名、学号错写、漏写或字迹不清者，成绩按零分记。…………密………………封………………线…………第1页，共1页岭南师范学院《半导体器件物理》2025-2026学年第二学期期末试卷(A卷)注意事项:1.请考生在下列横线上填写姓名、学号和年级专业。2.请仔细阅读各种题目的回答要求，在规定的位置填写答案。3.不要在试卷上乱写乱画，不要在装订线内填写无关的内容。4.考试时间120分钟专业学号姓名题号一二三四五六七八总分统分人复查人得分得分评分人一、单项选择题（每题1分，共20分）1.下列哪种半导体材料具有n型导电特性？A.硅B.锗C.锗化镓D.碳化硅2.晶体管中的基区宽度通常比发射区和集电区宽度要小，这是因为：A.基区掺杂浓度较高B.基区掺杂浓度较低C.基区掺杂浓度适中D.基区掺杂浓度与发射区和集电区相同3.晶体管中，发射结的正向偏置作用是：A.增加发射极电流B.减少发射极电流C.不影响发射极电流D.无法确定4.下列哪种半导体器件属于双极型晶体管？A.晶体管B.场效应晶体管C.集成电路D.半导体二极管5.在晶体管中，基区宽度对晶体管性能的影响是：A.增加基区宽度可以提高晶体管性能B.减少基区宽度可以提高晶体管性能C.基区宽度对晶体管性能没有影响D.无法确定6.晶体管中，集电结的反向偏置作用是：A.增加集电极电流B.减少集电极电流C.不影响集电极电流D.无法确定7.下列哪种半导体器件属于场效应晶体管？A.晶体管B.场效应晶体管C.集成电路D.半导体二极管8.晶体管中，发射结的反向偏置作用是：A.增加发射极电流B.减少发射极电流C.不影响发射极电流D.无法确定9.下列哪种半导体器件属于双极型晶体管？A.晶体管B.场效应晶体管C.集成电路D.半导体二极管10.晶体管中，基区宽度对晶体管性能的影响是：A.增加基区宽度可以提高晶体管性能B.减少基区宽度可以提高晶体管性能C.基区宽度对晶体管性能没有影响D.无法确定11.下列哪种半导体器件属于场效应晶体管？A.晶体管B.场效应晶体管C.集成电路D.半导体二极管12.晶体管中，发射结的正向偏置作用是：A.增加发射极电流B.减少发射极电流C.不影响发射极电流D.无法确定13.下列哪种半导体器件属于双极型晶体管？A.晶体管B.场效应晶体管C.集成电路D.半导体二极管14.晶体管中，基区宽度对晶体管性能的影响是：A.增加基区宽度可以提高晶体管性能B.减少基区宽度可以提高晶体管性能C.基区宽度对晶体管性能没有影响D.无法确定15.下列哪种半导体器件属于场效应晶体管？A.晶体管B.场效应晶体管C.集成电路D.半导体二极管16.晶体管中，集电结的反向偏置作用是：A.增加集电极电流B.减少集电极电流C.不影响集电极电流D.无法确定17.下列哪种半导体器件属于双极型晶体管？A.晶体管B.场效应晶体管C.集成电路D.半导体二极管18.晶体管中，发射结的反向偏置作用是：A.增加发射极电流B.减少发射极电流C.不影响发射极电流D.无法确定19.下列哪种半导体器件属于场效应晶体管？A.晶体管B.场效应晶体管C.集成电路D.半导体二极管20.晶体管中，基区宽度对晶体管性能的影响是：A.增加基区宽度可以提高晶体管性能B.减少基区宽度可以提高晶体管性能C.基区宽度对晶体管性能没有影响D.无法确定二、多项选择题（每题2分，共20分）1.下列哪些是半导体器件？A.晶体管B.场效应晶体管C.集成电路D.半导体二极管2.晶体管中，基区宽度对晶体管性能的影响包括：A.增加基区宽度可以提高晶体管性能B.减少基区宽度可以提高晶体管性能C.基区宽度对晶体管性能没有影响D.无法确定3.晶体管中，发射结的正向偏置作用包括：A.增加发射极电流B.减少发射极电流C.不影响发射极电流D.无法确定4.晶体管中，集电结的反向偏置作用包括：A.增加集电极电流B.减少集电极电流C.不影响集电极电流D.无法确定5.晶体管中，基区宽度对晶体管性能的影响包括：A.增加基区宽度可以提高晶体管性能B.减少基区宽度可以提高晶体管性能C.基区宽度对晶体管性能没有影响D.无法确定6.晶体管中，发射结的正向偏置作用包括：A.增加发射极电流B.减少发射极电流C.不影响发射极电流D.无法确定7.晶体管中，集电结的反向偏置作用包括：A.增加集电极电流B.减少集电极电流C.不影响集电极电流D.无法确定8.晶体管中，基区宽度对晶体管性能的影响包括：A.增加基区宽度可以提高晶体管性能B.减少基区宽度可以提高晶体管性能C.基区宽度对晶体管性能没有影响D.无法确定9.晶体管中，发射结的正向偏置作用包括：A.增加发射极电流B.减少发射极电流C.不影响发射极电流D.无法确定10.晶体管中，集电结的反向偏置作用包括：A.增加集电极电流B.减少集电极电流C.不影响集电极电流D.无法确定三、判断题（每题1分，共10分）1.晶体管中的基区宽度对晶体管性能没有影响。（）2.晶体管中的发射结正向偏置可以增加发射极电流。（）3.晶体管中的集电结反向偏置可以增加集电极电流。（）4.晶体管中的基区宽度对晶体管性能没有影响。（）5.晶体管中的发射结正向偏置可以增加发射极电流。（）6.晶体管中的集电结反向偏置可以增加集电极电流。（）7.晶体管中的基区宽度对晶体管性能没有影响。（）8.晶体管中的发射结正向偏置可以增加发射极电流。（）9.晶体管中的集电结反向偏置可以增加集电极电流。（）10.晶体管中的基区宽度对晶体管性能没有影响。（）四、名词解释（每题4分，共20分）1.晶体管2.发射区3.集电区4.基区5.双极型晶体管五、简答题（每题6分，共18分）1.简述晶