CN113809054B 用于耦合多个半导体装置的设备及方法 （美光科技公司）

US2012080806A1,2012.信号提供到所述群组的中间半导体装置处的耦信号远离所述耦合点传播到所述群组的其它半半导体装置等)处具有耦合点且从所述耦合点提合点到所述群组的其它半导体装置的负载可能2第一导体，其经耦合到所述第一存储器装置的所述第一接第二导体，其经耦合到所述第二存储器装置的所述第二接源导体，其经耦合到所述第二接合垫及至少一个导电信号处通过所述第二导体从所述第二接合垫接收所2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二存储器装置包括所述多个存储器装置中3.根据权利要求2所述的设备，其中所述多个存储器装置进一步包含内含第四接合垫4.根据权利要求3所述的设备，其中所述多个存储器装置进一步包含内含第五接合垫通过所述第三及第四导体提供到所述第四接合垫的所述信号具有第三信号时序且通过所述第一及第五导体提供到所述第五接合垫的所述信号具有等于所述第三信号时序的第四导体，其经耦合到所述衬底的导电信号线且到所述中间半导体12.根据权利要求11所述的多裸片装置，其中所述中间半导体装置包括中心半导体装313.根据权利要求11所述的多裸片装置，其中所述半导体装置堆叠包括呈叠瓦式堆叠底且通过所述衬底的所述导电信号线及所述导体耦合到所16.根据权利要求11所述的多裸片装置，其中在接合线上提供的信号从所述中间半导体装置到所述堆叠中的所述最低半导体装置的传播延迟与在接合线上提供的所述信号从所述中间半导体装置到所述堆叠中的所述最高半导体装置的传播延迟近17.根据权利要求11所述的多裸片装置，其中所述中间半导体装置的所述接合垫包括半导体装置堆叠，其包含最低半导体装置、最高半导体装置及安置源导体，其经耦合到所述至少一个中间半导体装置中的一于在最低接合垫处通过所述多个导体中的所述第一者从所述至少一个中间半导体装置中所述多个导体中的所述第二者从所述至少一个中间半导体装置中的所述一者的所述接合19.根据权利要求18所述的设备，其中所述源导体与所述多个导体中的所述第一及第二者经配置以将信号提供到所述中间半导体装置且通过所述多个导体中的所述第一及第二者在两个不同信号路径上将所述信号远离所述耦合点20.根据权利要求19所述的设备，其中所述多个导体中的第一额外者经配置以将所述信号从所述耦合点传播到所述最高半导体装置且所述多个导体中的第二额外者经配置以21.根据权利要求18所述的设备，其中第一数目个裸片在所述源导体所耦合到的所述至少一个中间半导体裸片与所述最高半导体装置之间且第二数目个裸片在所述源导体所衬底，所述半导体装置堆叠经附接到所述衬底，所述衬底包含所将信号提供到半导体装置堆叠的中间半导体装置，所述中间半4通过耦合到所述中间半导体装置及所述第一半导体装置的第一信号路径将所述信号通过耦合到所述中间半导体装置及所述第二半导体装置的第二信号路径将所述信号其中所述第二半导体装置限于经由耦合到所述中间半导体装置及所述第二半导体装置的24.根据权利要求23所述的方法，其中将所述信号提供到所述中间半导体装置包括将路径经耦合到所述中间半导体装置的所述接25.根据权利要求23所述的方法，其中在所述第一及第二信号路径上远离所述中间半导体装置传播所述信号包括在相反信号路径上远离所述中间半导体装26.根据权利要求23所述的方法，其中将所述信号提供到所述中间半导体装置包括从至少通过衬底的导电信号线及耦合到所述导电信号线及所述中间半导体装置的源导体耦27.根据权利要求23所述的方法，其中通过所述第一信号路径的传播延迟近似等于通5[0001]本公开涉及存储器装置，且特定来说涉及用于耦合多个半导体装置的设备及方主从式存储器(MSM)，其中的每一者可包含在堆叠中彼此耦合的多个动态随机存取存储器处的信号到达时间)设置存储器装置的操作时序来适应到达信号的时序差异。这种方法可到最高裸片的信号到达时间的时序差异对于所要系统性能可能不再合垫提供到所述第一接合垫且所述第二导体以等于所述第一信号时序的第二信号时序将所述信号从所述第二接合垫提供到所述第三接电信号线且到所述半导体装置堆叠的中间半导体装置6所述中间半导体装置及所述第二半导体装置的第二信号路径将所述信号远离所述中间半[0016]图8是根据本公开的实施例的用于将信号提供到半导体装置堆叠的半导体装置的施例可与一或多个其它所公开实施例组合以形成新实堆叠115被展示为包含10个半导体装置120(0)到120(9)。半导体装置120(0)到120(9)中的包含导电信号线以沿着所述衬底将信号路由到半导体装置120的堆叠115及从半导体装置7及缓冲提供到多裸片装置100的信号且可将所述信号提供到半导体装置12导体装置120彼此偏移以允许半导体装置120的边缘区被暴露。经暴露边缘区可包含导体[0022]除最低高度半导体装置120(0)以外，每一半导体装置120的接合垫经耦合到所述到衬底130的电路(例如，电路135)可例如通过导电信号线及接合线125耦合到半导体装置[0023]利用图1中所展示的布置，由于通过接合线125的固有传播延迟，提供到堆叠115达半导体装置120(1)，接着在传播通过接合线125(2)之后的更晚时间到达半导体装置120体装置120中的第一者的时间与到达半导体装置120中的最后一者的时间之间的时间延迟个存储器单元MC。字线WL的选择由行解码器/驱动器212来执行且位线BL的选择由列解码器/驱动器213来执行。感测放大器218经耦合到对应位线BL且经连接到本地I/O线对LIOT/电力供应器端子225及226。数据端子224可经耦合到输入/输出电路217的输出缓冲器以用[0027]向命令及地址端子221供应命令及地址信号CA，所述命令及地址信号CA包含命令址解码器232。地址解码器232接收所述地址并将经解码行地址供应到行解码器/驱动器8刷新电路238可将行地址提供到行解码器/驱[0028]经由命令及地址输入电路231将提供到命令及地址端子221的命令提供到命令解237。内部控制信号生成器237可响应于来自命令解码器234的经解码命令而生成各种内部据端子224的写入数据DQ经由输入/输出电路217及读取/写入放大器215供应到存储器单元阵列211且写入在由行地址及列地址指定的存储器单元信号WCK_t及WCK_c。时钟输入电路235接收时钟信号CK_t及CK_c与WCK_t及WCK_c且生成内部时钟信号ICLK。内部时钟信号ICLK可包含基于时钟信号CK_t及CK_c的内部时钟信号及/钟信号LCLK可经供应到输入/输出电路217且用于对数据的输入及/或输出进行定时。内部时钟及时序生成器236可进一步生成用于各种存储器操作的各种其应器端子226供应电力供应器电势VDDQ及VSSQ。将这些电力供应器电势VDDQ及VSSQ供应到输入/输出电路217。电力供应器电势VDDQ及VSSQ可分别为与供应到电力供应器端子225的9[0034]垫形成区域351可包含沿着边缘350a安置的多个接合垫354。多个接合垫354可经[0035]存储器单元阵列区域353中包含的电路及/或外围电路区域352的电路可经耦合到[0036]图4是根据本公开的实施例的半导体装置的导电结构的横截面视图。在本公开的[0037]导电结构430可将半导体装置的端子440耦合到接合垫420。在本公开的一些实施公开的一些实施例中，电路445可为例如包含在外围电路区域(例如，图3的外围电路区域430可进一步经耦合到接合垫420。导电结构430从端子440延伸到接合垫420，使得接合垫半导体装置的裸片垫)以提供用于在不同位置中耦合到端子440的接合垫420。例如，端子将中心区中的裸片垫耦合到沿着半导体装置的边缘定位的接合垫420。沿着边缘的接合垫420可更方便地定位且提供到半导体装置的电路445的耦合，即，通过导电结构430及端子[0040]图5是展示根据本公开的实施例的多裸片装置500的图。多裸片装置500可包含半装置210。半导体装置520中的每一者可为例如存储器装置，例如动态随机存取存储器的一些实施例中，半导体装置520彼此附接及/或通过粘性环氧树脂附接到衬底530。衬底530可包含导电信号线以沿着衬底将信号路由到半导体装置520的堆叠515及从半导体装置路接收及缓冲提供到多裸片装置500的信号且可将所述信号提供到半导体装置520的堆叠导体装置520彼此偏移以允许半导体装置520的边缘区被暴露。经暴露边缘区可包含导体[0043]除最低高度半导体装置520(0)以外，每一半导体装置520的接合垫经耦合到所述的接合垫通过导体525(9)耦合到半导体装置520(9)的接合垫，且所述接合垫通过导体525[0044]半导体装置520(4)通过源导体510耦合到衬底530的导电信号线。源导体510可经耦合到例如半导体装置520(4)的接合垫。半导体装置520(4)经耦合到半导体装置520(3)，合点的信号可在相反方向上从耦合点到半导体装置的横向布置的相对端处的半导体装置从半导体装置520(4)处的耦合点到最低半导体装置520(0)与到最高半导体装置520(9)的置520(0)与到最高半导体装置520(9)的信号的时从中心半导体装置到相对端半导体装置的任一方向上存在相等数目个半导体装置。例如，半导体装置的任一方向上存在几乎相等数目个半导体装置的两个半导体装置中的任一者四个半导体装置且在到第二端半导体装置的第二方向上存在三个半[0049]图6是根据本公开的实施例的耦合在一起的半导体装置的示意图。在本公开的一些实施例中，图6的半导体装置可表示呈其它物理布置的半导体装置。出于便于描述的目体装置520(0)的接合垫通过导体525(1)耦合到半导体装置520(1)的接合垫；半导体装置过导体525(4)耦合到半导体装置520(4)的接合垫；半导体装置520(4)的接合垫通过导体体装置520(7)的接合垫；半导体装置520(7)的接合垫通过导体525(8)耦合到半导体装置[0053]导体525包含可影响信号到达相应半导体装置的时间的时序的固有传播延迟。然提供的信号到半导体装置520(0)与到半导体装置520(9)的到达时间的差异近似于一个导似于到半导体装置520(0)及到半导体装置520(9)的相同置)且信号传播通过导体525(1)到525(9)到半导体装置520(9)的布置相比，信号时序的差导体装置520(0)与半导体装置520(9)之间的信号时序的差异是九个导体525的总传播延[0057]图7是根据本公开的实施例的耦合在一起的半导体装置的接合垫的平面图。虽然接合垫715(2)到715(6)通过导体725(3)A到725(6)A耦合在一起；半导体装置720(2)到720(6)的接合垫716(2)到716(6)通过导体725(3)B到725(6)B耦合在一起；且半导体装置720(2)到720(6)的接合垫717(2)到717(6)通过导体725(3)C到725(6)C耦合在一起。每一半导体装置720展示仅三个接合垫715到717，但在不脱离本公开的范围的情况下可包[0059]相应导体710A到710C经耦合到中间半导体装置720(4)的接合垫715(4)到717(4提供的信号可通过耦合到相应接合垫715到717的导体725提供到所述半导体装置中的每一体装置720(2)与到达半导体装置720(6)的信号时序可近似相等，这是因为通过导体725的传播延迟应近似等于从半导体装置720(4)的接合垫715(4)到717(4)处的耦合点到半导体装置720(2)的对应接合垫715(2)到717(2)的传播延迟，且近似等于从接合垫715(4)到717[0060]图8是根据本公开的实施例的将信号提供到半导体装置堆叠的半导体装置的流程515可经附接到包含导电信号线的衬底。所述信号可通过导电信号线且通过耦合到导电信号线并耦合到半导体装置520(4)的接合垫的源导体5[0062]在步骤803处，在第一信号路径上将信号远离中间半导体装置提供到第一半导体接合垫)的信号可在导体525(3)上远离半导体装置520(4[0063]在步骤805处，还在第二信号路径上将信号远离中间半导体装置提供到第二半导中间半导体装置520(4)且将信号远离中间半导体装置的提供到相应信号路径上的第一及第二半导体装置(例如，导体525(3)上的半导体装信号路径到第一半导体装置